문맥 (context)
[청구항 1]
반도체 기판위의 선택적인 영역에 배치된 제1불순물 확산층과
제1게이트 절역막들과 상기 제1불순물 확상층에 배치된 제1게이트 절연감ㄱ들과 상기제1불순물 확산층에 배치된 제1게이트 전극들로 구성된 하나이상의 제1게이트들과
상기 제1게이트에 인접하게 배치된 상기 반도체기판의 오목면과
상기 오목면에 배치된 제2불순물 확산층과 상기 제불순불 확산층에 배치된 제2게이트 절연막들과제2게이트전극들로 이루어진 하나 이상의 제2전극들로 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치
[청구항 2]
제1항에 있어서,상기 반도체기판 오목며의 깊이가 제1불순물 확산층의 두께와 같거나 더 큰 것특징으로 하는반도체 장치.
[청구항 3]
제1항에 있어서,상기 제1불순물 확산층과 제2불순물을 확산층이 동일한불순물함유하는것을특징으로 하는반도체 장치.
[청구항 4]
제1항에 있어서,상기 제1불순물 확산층들이 제1불순물 원소를 함유하고 상기 제2불순물 확산층들이제2불순물원소함유하는것을특징으로 하는반도체 장치.
[청구항 5]
제3항에 있어서,상기 불순물들이 비소 또는 이이온들인것을특징으로 하는반도체 장치.
[청구항 10]
반도체기판에 형성된 다수의 돌출부들과
상기 돌출부들의 상면에 형성된 제1절연막들과
돌출부들 위에 상기 제1절연막에 형성된 제1게이트전극들과
상기 제1게이트전극과 상기 반도체기판표면의 측면과 상면에 형성된 제2절연막과
상기 반도체 표면에 위치한 상기 제2절연막에 형성된 제2게이트전극들로 구성되는 것을 특징으로 하는 멀티게이트 트랜지스터
[청구항 11]
제9항에 있어서,하나 이상의 상기 돌출부가 불순물에 의해확산되는것을특징으로 하는멀티게이트 트랜지트터.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
청구항 1 및 청구항 2를 참조할 때, 반도체 기판 오목면의 깊이와 제1불순물 확산층의 두께 사이의 관계는 어떠한가?
추론 과정 (compact_reasoning)
-
1과제 해석
task_interpretation청구항 1과 2를 바탕으로 반도체 기판 오목면의 깊이와 제1불순물 확산층의 두께 사이의 상관관계를 파악해야 한다.
-
2정보 추출
information_extraction청구항 2에서 오목면의 깊이와 제1불순물 확산층의 두께에 대한 구체적인 수치적 관계가 명시되어 있다.
- 상기 반도체기판 오목며의 깊이가 제1불순물 확산층의 두께와 같거나 더 큰 것
-
3근거 선택
evidence_selection질문에서 요구하는 두 구성 요소 간의 관계를 직접적으로 설명하는 청구항 2의 문구를 선택한다.
- 상기 반도체기판 오목며의 깊이가 제1불순물 확산층의 두께와 같거나 더 큰 것
-
4논리 통합
logical_integration오목면의 깊이가 제1불순물 확산층의 두께보다 크거나 같다는 조건이 성립함을 확인한다.
-
5결론 도출
conclusion_formulation반도체 기판 오목면의 깊이는 제1불순물 확산층의 두께와 같거나 더 크다.
-
6답변 생성
answer_generation추출된 정보를 바탕으로 질문에 대한 최종 답변을 작성한다.
최종 답변 (final_answer)
반도체 기판 오목면의 깊이가 제1불순물 확산층의 두께와 같거나 더 크다.
핵심 해석 (core_interpretation)
본 발명은 반도체 기판의 오목 구조와 불순물 확산층의 두께를 특정 관계(깊이 ≥ 두께)로 설정하여 반도체 장치를 구성하는 기술에 관한 것이다.