이종접합 p-i-n 광전지 document_id 1019870011658

[청구항 2] 제1항에 있어서,하나또는 그 이상의 중간 반도체층 들이 상기 진성층과 상기 p-형 및 n~형층들중의 한층 사이에 배치되어, 상기 전성층의 상기 하나 또는 그이상의 중간층들을 통하여 상기 한충과 전기적으로 전도성 접촉하는광전지. [청구항 3] 제2항에 있어서,하나또는 그 이상의 중간 반도체 층들이 상기 n-형충과 진성층 사이와 상기 진성층과 상기 p-형사이배치되는광전지. [청구항 4] 제1항에 있어서,상기 반도체층들의 조성물이 상기 진성층과 상기 n-형층 사이의 공유영역에서 전도대 엣지의 스파이크(spike)와 상기 진성층과 상기 p-형층 사이의 공유영역에서가전자대엣지의스파이크를최소화시키도록선택되는광전지. [청구항 5] 제4항에 있어서,상가 진성층과 p-형층의 조성물이 공통 음이온을 갖고 상기 진성층과 n-형층이 공통 양이온을 가져서, 공통 음이온들과 공통 양이온들을 지니을 화합물들을 사용함으로써 각각 가전자대와 전도대의 스파이크들을 최소화시키는광전지. [청구항 6] 제1항에 있어서,상기 반도체층들중 최소한 하나가 다결정질인광전지. [청구항 7] 제6항에 있어서,상기 반도체층들의 각각이 다결정질인광전지. [청구항 8] 제1항에 있어서,상기 반도체층들중 최소한 하나가 ⅱ -vl화합물인광전지. [청구항 9] 제8항에 있어서,상기 반도체 층들의 각각의ⅵ 화합물인광전지. [청구항 10] 제1항상기p-형충이 znte이며, 상기 진성층이 cdte이고 상기 n-형층인광전지. [청구항 11] 제10항에 있어서,상기 반도체층들의 각각이 다결정질인광전지. [청구항 12] 제10항에 있어서,상기 진성층전착된인광전지. [청구항 13] 제10항에 있어서,상기n-형층이 좁은갭반응기부착된인광전지. [청구항 14] 제12항에 있어서,상기n-형층이 진공증착된 cds이고,상기 p-형층이 진공증착된 cds이고, 상기 p-형층이진공증착된인광전지. [청구항 15] 제13항에 있어서,상기 진성층이 전착된 cdte이고 상기 p-형층이진공증착된인광전지. [청구항 16] 제1항에 있어서,상기n-형층이, 상기 n-형층과 상기 제2오믹 접촉을 전기적으로 연결시키는 투명한 전도산화물층과 상기 산화물층을 지지하는 유리판을 포함하는 투명한 기판상부착되는광전지. [청구항 17] 제10항에 있어서,상기cds가 상기 n-형층과 상기 제2오믹접촉을 전기적으로 연결시키는 투명한 전도산화물층과 상기 산화물층을 지지하는 유리판을 포함하는 투명한 기판상부착되는광전지. [청구항 18] 제13항에 있어서,상기cds 가 상기 n-형층과 상기 제2오믹접촉을 전기적으로 연결시키는 투명한 전도산화물충과 상기 산화물층을 지지하는 유리판을 포함하는 투명한 기판상부착되는광전지. [청구항 20] 제1항에 있어서,효율을특징으로하는광전지. [청구항 21] 다결정질 ⅱ -ⅵ화합물로된 p-형의 비교적 넓은 밴드갭 반도체층, 다결정질 ⅱ -ⅵ화합물로된 n-형의 비교적 넓은 밴드갭 반도체층, 상기 p-형층과 한측면상에서 전기적으로 전도성접촉을 하고 상기 n-형층과 반대측면상에서 전기적으로 전도성 접촉을 하는,· 광방사 흡수제로서 사용되는 다결정질 ⅱ -ⅵ화합물로된 고저항을의 진성 반도체층, 및 상기 p-형층과 상기 n-형층 각각과 전기적으로 전도성 접촉을 하는 제1과 제2 오믹 접촉들을 포함하는 최소한 네개의 상이한 원소들로 함께 이루어진 최소한 세개의 상이한 반 도체층들을 갖는 이종접합 p-i-n광전지