마스크형 이온 비임 석판인쇄 시스템 및 방법 document_id 1019870701019

[청구항 2] 제1항에 있어서,추출 이온 경로내의 사절 자석을 포함하고, 이 자석이 각각의 입자의 질량에 따라 비임내의 입자를 편향시키기에 적합하게 되며, 바람직한 비임 경로를 따라 선정된질량의이온전달하는것을특징으로 하는마스크 이온 비임 석판 인쇄시스템. [청구항 3] 제2항에 있어서,확장 비임내에 추출 이온을 형성하기 위한 장치가 초기 각 팽창으로 비임내에 이온을 형성하기 위해 이온 소오스와 자석사이에 배치된 장치, 및 자석과 조준장치 사이의 이온 경로내에 배치되고 자석으로 부터 전달된 비임의 각 팽창을 증폭시키기에 배치되고 자석으로 부터 전달된 비임의 각 팽창을 증폭시키기에 적합한렌즈구성된것을특징으로 하는마스크 이온 비임 석판 인쇄시스템. [청구항 4] 제2항에 있어서,추출장치가 이온 소오스로 부터 연속적으로 간격을 두고 배치된 한쌍의 전극, 및 소오스 부근의 전극에 저전압을 인가하고 소오스로 부터 멀리 떨어진 전극에 고 전압을 인가하기 위한 장치로 구성되고, 전극 간격과 인가 전압이 선정된 팽창각으로 이온 비임내의 전극을 지나서 소오스로 부터 이온을 추출하기 의해 2개의 전극들 사이와 소오스와 부근 전극사이에 전계를 설정하도록선택되는것을특징으로 하는마스크 이온 비임 석판 인쇄시스템. [청구항 5] 제1항에 있어서,마스크의 채널링축과 정렬상태로 조준 비임을 조종하기 위한 장치가 조준장치와 마스크 사이에 배치된팔중극편향기구성된것을특징으로 하는마스크 이온 비임 석판 인쇄시스템. [청구항 6] 제1항에 있어서,비임 조준장치가 비임 경로내에 배치되고 상당 부분을 삭제하기 않고서 비임을 조준하기에 적합한렌즈구성된것을특징으로 하는마스크 이온 비임 석판 인쇄시스템. [청구항 7] 제1항에 있어서,추출장치가 이온 소오스로부터 연속적으로 간격을 두고 배치된 한쌍의 전극, 및 소오스 부근의 전극에 저 저압을 인가하고 소오스로부터 멀리 떨어진 전극에 고 전압을 인가하기 위한 장치로 구성되고, 전극 간격과 인가 전압이 전극을 지나서 소오스로 부터 이온을 추출하고 추출된 이온에 선정된 에너지 레벨을 부과하도록 선택되며, 주준 장치가 선정된 량 만큼 이온 에너지 레벨을 증폭시키기 위한장치포함하는것을특징으로 하는마스크 이온 비임 석판 인쇄시스템. [청구항 8] 제7항에 있어서,전극에 전압을 인가하기 위한 장치가 동일 비로 인가 전압을 조정하여, 증폭된 이온에너지 레벨을 조정하기위힌징치포함하는것을특징으로 하는마스크 이온 비임 석판 인쇄시스템. [청구항 9] 제1항에 있어서,추출 장치와 조준 장치 사이의 비임 경로에 인접하여 배치되고, 기질 노출 순차의 비임 블랭킹 기간동안 마스크로부터 멀리 떨어져 비임을 편향시키기에 적합한다수의전극포함하는것을특징으로 하는마스크 이온 비임 석판 인쇄시스템. [청구항 10] 제9항에 있어서,전극이 조준 장치에 관련하여 비임을 형성하고 정렬하기에도 적합한팔중극편향기구성된것을특징으로 하는마스크 이온 비임 석판 인쇄시스템. [청구항 12] 제11항에 있어서,광학장치가 자석으로 부터 나오는 비임의 각분기보다 상당히 큰 각수렴으로 자석으로 부터 유출 비임을 접속시키기에 적합한 제1렌즈, 및 제1렌즈로 부터의 교차점을 지나서 비임을 조준하기에 적합하고, 바람직한 조준 비임 직경에 대응하는 위치에서 비임 경로내에 배치되는제2렌즈구성된것을특징으로 하는비임 형성 메카니즘. [청구항 14] 제13항에 있어서,및 제 2렌즈가 각각 2중 실린더 렌즈, 및 비임을 형성하고 비임내의 이온을 가속시키기 위해 각각의 렌즈의 유입 실린더와 유출 실린더 양단에 선정된 전압차비를 실정하기 위한장치구성된것을특징으로 하는비임 형성 메카니즘. [청구항 15] 제14항에 있어서,선정원 전압차비를 보유하면서 각각의 렌즈의 유입 및 유출 실런더 양단의 전압차의 절대치를 변화시키기 위한정치포함하는것을특징으로 하는비임 형성 메카니즘. [청구항 16] 제14항에 있어서,이온 비임 소오스가 비임 이온에 초기 에너지 레벨을 전달하는 추출 입구 전극을 포함하고, 또한 제1렌즈용 유입 실린더와 동일한 전압 레벨에 전극을 유지시키기 위한 장치, 및 제 2 렌즈용 유입 실린더와 동일한 전압 레벨에 제1렌즈의 유입 실린더를 유지시키기 위한장치포함하는것을특징으로 하는비임 형성 메카니즘. [청구항 17] 제16항에 있어서,이온 소오스, 추출 전극/제1렌즈 유입 실린더, 및 제1렌즈 유출 실린더/제2렌즈 유입 실린더가 제 2 렌즈 유출 실린더 전압에 관련하여 각각 약 200-300kv, 192-288kv 및 160-240kv의범위내의전압유지되는것을특징으로 하는비임 형성 메카니즘. [청구항 18] 제14항에 있어서,제1렌즈의 입구에서의 비임의 각분기가 약 100mr이고, 제1렌즈가 비임 교차점을 지나서 최소한 3의 인자만큼 비임의 각분기를 증폭시키며, 제2렌즈에 의해 조준된 후의 비임의 직경이 최소한 약 1.7cm이고, 제2렌즈를 통하는 비임 소오스로 부터의전체열길이인것을특징으로 하는비임 형성 메카니즘. [청구항 19] 제14항에 있어서,제1렌즈의 촛점을 둘러싸고, 비임내의 표유이온을 제한하기에 충분히 작은 직경을 갖고 있는 비임 애퍼츄어포함하는것을특징으로 하는비임 형성 메카니즘. [청구항 20] 제13항에 있어서,입자 제거 장치와 제 1렌즈 사이의 비임 경로내에 배치되고, 이 경로로 부터 떨어져 비임을 편향시키고 제1및 제2렌즈에 관련하여 비임을 형성 및 정렬하기에도 적합한팔중극펀향기포함하는것을특징으로 하는비임 형성 메카니즘. [청구항 27] 제12항에 있어서,마스크가채널마스크인것을특징으로 하는방법.