가공데이터 · 특허 지식베이스

마스터 슬라이스형 집적회로 document_id 1019880001500

출원번호
1019880001500
분류
전기(H섹션)
문맥 (context)
[청구항 1] 각종 회로가 상호접속의 루팅(routing)을 변화시킴으로서 형성될 수 있는 마스터 슬라이스형 집적회로에 있어서 반도체칩상의 주변영역에 배열된 다수의 입력/출력 셀 각각이 소정 방향으로 배열되어 있으며, 트랜지스터를 구성하는 다수의 기본셀로 구성되는 다수의 기본셀 열 칩상에 형성되며 데이터 버스를 수용하는 상호접속영역 및 기본셀열에 배열되어 있으며, 데이터 버스가 플로우팅 상태로 변화되는 것을 방지하기 위하여 상호접속 영역상에 놓인 데이터 버스의 전위를 유지하며, 각각이 기본셀의 각 트랜지스터의 구동력보다 더 작은 구동력을 갖는 트랜지스터로 구성되는 다수의 래치셀로 구성되는 것을 특징으로 하는 마스터 슬라이스형 집적회로 [청구항 2] 제1항에 있어서,래치셀 각각은 각 기본셀의 트랜지스터의 구동력보다 더 작은 상위한 구동력을 갖는트랜지스터구성되는것을특징으로 하는마스터 슬라이스형 집적회로. [청구항 3] 제1항에 있어서,기본셀과 래치셀의 트랜지스터는상보형금속산화물반도체트랜지스터인것을특징으로 하는마스터 슬라이스형 집적회로. [청구항 4] 제3항에 있어서,기본셀의 각각의 cmos 트랜지스터의 채널이 래치셀의 cmos 트랜지스터의 채널보다 더 넓은 것특징으로 하는마스터 슬라이스형 집적회로. [청구항 5] 제3항에 있어서,래치셀은 각각이 각 기본셀의 mos 트랜지스터의 구동력보다 더 작은 상위한 구동력을 갖는 cmos 트랜지스터로 구성되며, 각 래치회로의 상위한 구동력의 cmos 트랜지스터의 채널영역은크기서로상위한것을특징으로 하는마스터 슬라이스형 집적회로. [청구항 6] 제1항에 있어서,래치회로는 트랜지스터에 의하여 구성된 제1 및 제2인버터로 구성되며, 제1인버터의 출력단자와 제2인버터의 입력단자는 데이터 버스의 1비트선에 접속되며, 제1인버터의 출력단자는제2인버터의입력단자접속되는것을특징으로 하는마스터 슬라이스형 집적회로. [청구항 7] 제6항에 있어서,제1인버터를 구성하는 트랜지스터의 구동력은 제2인버터를 구성하는 트랜지스터의 구동력보다 더 큰 것특징으로 하는마스터 슬라이스형 집적회로. [청구항 8] 제7항에 있어서,및 제2인버터의 구동력은 기본셀의 트랜지스터에 의하여 구성될 수 있는회로소자의최소구동력인것을특징으로 하는마스터 슬라이스형 집적회로. [청구항 9] 제1항에 있어서,다수의 래치회로는 기본셀열 각각의 양단부배열되는것을특징으로 하는마스터 슬라이스형 집적회로. [청구항 10] 제1항에 있어서,다수의 래치회로는 상호접속 채널상에 놓은 독립데이타 버스의 수와 데이터 버스의 각각으로 구성되는1비트선의수와합계적어도도달하는것을특징으로 하는마스터 슬라이스형 집적회로. [청구항 11] 제1항에 있어서,회로 블록은 기본셀의 사용에 의하여 제조되며, 기본셀로 구성되는 입출력버퍼를 통하여데이터 버스접속되는것을특징으로 하는마스터 슬라이스형 집적회로. [청구항 12] 제1항에 있어서,기본셀은 한쌍의 p 채널 금속산화물 반도체(mos) 트랜지스터와 n 채널 mos 트랜지스터로 구성되며, 래치셀 각각은 제1 및 제2n 채널 mos 트랜지스터로 구성되며, 및 제1 및 제2p 채널 mos 트랜지스터와 래치셀의 제1및 제2n 채널 mos 트랜지스터 각각의 상호 콘덕턴스(gm)는 기본셀의 p및 n채널 mos 트랜지스터의 상호 콘덕턴스보다 더 작은 것특징으로 하는마스터 슬라이스형 집적회로. [청구항 13] 제12항에 있어서,래치셀의 제1p 채널 mos 트랜지스터의 상호 콘덕턴스는 그의 제2p 채널 mos 트랜지스터의 상호 콘덕턴스보다 더 작으며, 래치셀의 제1n 채널 mos 트랜지스터의 상호 콘덕턴스는 그의 제2n 채널 mos 트랜지스터의 콘덕턴스보다 더 작은 것특징으로 하는마스터 슬라이스형 집적회로. [청구항 14] 제13항에 있어서,인버터는 제2p 및 n 채널 mos 트랜지스터로 구성되며, 제2 cmos 인버터는 제1p 및 n 채널 mos 트랜지스터에 의하여 구성되며, 및 제1cmos 인버터의 입력은 데이타 버스에 접속되며, 그의 출력은 제2cmos 인버터의 입력에 접속되고, 및 제2cmos 인버터의 출력은데이터 버스접속되는것을특징으로 하는마스터 슬라이스형 집적회로.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
마스터 슬라이스형 집적회로에서 데이터 버스가 플로팅 상태로 변화하는 것을 방지하기 위해 상호접속 영역상에 배치되는 래치셀의 구동력은 기본셀 트랜지스터의 구동력과 비교하여 어떠한 관계를 갖는가?
추론 과정 (compact_reasoning)
  1. 1과제 해석task_interpretation

    마스터 슬라이스형 집적회로에서 데이터 버스의 플로팅 방지를 위해 배치된 래치셀의 구동력과 기본셀 트랜지스터 구동력 간의 관계를 파악해야 한다.

  2. 2정보 추출information_extraction

    청구항 1에서 래치셀의 구성과 구동력에 관한 정보를 추출한다.

    • 각각이 기본셀의 각 트랜지스터의 구동력보다 더 작은 구동력을 갖는 트랜지스터로 구성되는 다수의 래치셀
  3. 3근거 선택evidence_selection

    래치셀의 구동력이 기본셀 트랜지스터의 구동력보다 작다는 직접적인 문구를 선택한다.

    • 각각이 기본셀의 각 트랜지스터의 구동력보다 더 작은 구동력을 갖는 트랜지스터로 구성되는 다수의 래치셀
  4. 4논리 통합logical_integration

    추출된 근거를 바탕으로 래치셀의 구동력이 기본셀 트랜지스터의 구동력보다 작다는 관계를 도출한다.

  5. 5결론 도출conclusion_formulation

    질문에 대한 답변으로 래치셀의 구동력이 기본셀 트랜지스터의 구동력보다 더 작다는 결론을 내린다.

  6. 6답변 생성answer_generation

    확정된 답변 형식에 맞춰 최종 답변을 생성한다.

최종 답변 (final_answer)
기본셀의 각 트랜지스터의 구동력보다 더 작은 구동력을 갖는다.
핵심 해석 (core_interpretation)
데이터 버스의 플로팅 상태를 방지하기 위해 상호접속 영역에 배치되는 래치셀은 기본셀 트랜지스터보다 낮은 구동력을 갖도록 설계된다.