수지로 밀봉된 반도체 장치 및 그것의 제조방법 document_id 1019880006794

[청구항 2] 제1항에 있어서,상기제1 및 제2접속단자와 상기 전도부재가 동일한 물질로 만들어진 것을 특징으로 하는 수지밀봉된ic 조절장치. [청구항 3] 제2항에 있어서,상기 수지모울드부분은 상기 제2접속단자를 그것으로 둘러싸는 방식으로 수지로 몰딩하므로서 그위에 일체로 형성된 콘넥터 하우징을 게다가 더 가지고 있는 것을 특징으로 하는 수지밀봉된ic 조절장치. [청구항 4] 제3항에 있어서,상기 수지모울드부분은 상기 모노리딕 ic와 상기 모노리딕 ic에 접속된 상기 제1 및 제2접속단자중의 적어도 한부분을 밀봉하기 위해 제1수지로 모울드한 제1모울드부분, 제2수지로 모울드한 제2모울드부분, 상기 제1모울드부분의 적어도 한부분에 있는 외부커버링으로 이루어진 것을 특징으로 하는 수지밀봉된ic조절장치. [청구항 5] 제4항에 있어서,상기 수지모울드부분은 상기 모노리딕 ic와 상기 모노리딕 ic 에 접속된 제1 및 제2접속단자중의 적어도 한부분을 밀봉하기 위해 제1수지로 모울드한 제1모울드부분, 제2수지로 일체로 모울드하여 콘넥터 하우징 부분과 일체로 되어 있고, 상기 제1모울드 부분의 적어도 한부분을 외부에서 덮어사는 제2모울드부분으로 이루어져있고, 상기 콘넥터 하우징부분은 상기 접속단자를 두러싸는 방식으로 모울드되어 있는 것을 특징으로 하는 수지밀봉된ic 조절장치. [청구항 6] 제5항에 있어서,제1수지와 제2수지는 같은 종류의 수지인 것을 특징으로 하는 수지밀봉된ic 조절장치. [청구항 7] 제5항에 있어서,제1수지와 제2수지는 다른 종류의 수지인 것을 특징으로 하는 수지밀봉된ic 조절장치. [청구항 8] 제7항에 있어서,제1수지와 제2수지가 틀린 강도를 갖는 것을 특징으로 하는 수지밀봉된ic 조절장치. [청구항 9] 제8항에 있어서,제2수지의 강도가 제1수지의 강도보다 큰 것을 특징으로하는 수지밀봉된ic 조절장치. [청구항 10] 제5항에 있어서,상기 제2접속단자의 팀단은 상기 단자를 둘러싸는 상기 콘넥터 하우징 부분이 구비된 공동의 내부에 배열되어 있는 것을 특징으로 하는 수지밀봉된ic조절장치. [청구항 11] 제6항에 있어서,제1수지와 제2수지는 몰딩할때는 상기 제1수지가 상기 제2수지보다 낮은 점도를 갖고 있고, 몰딩을 한후에는 상기 제2수지가 제1수지보다 더 큰 강도를 갖는 것을 특징으로 하는 수지밀봉된ic조절장치. [청구항 12] 제7항에 있어서,상기 제1수지는 열경화성수지로 만들어지고, 상기 제2수지는 열가소성수지로 만들어진 것을 특징으로 하는 수지밀봉된ic조절장치. [청구항 13] 제4항에 있어서,상기 제2수지는 최소한 상기 제1모울드 부분으로부터 연장된 제2접속단자의 기초부분을 상기 제2수지로 덮는 방식으로 모울드된 것을 특징으로 하는 수지밀봉된ic 조절장치. [청구항 14] 제4항에 있어서,상기 제2모울드 부분은 상기 제1모울드 부분을 상기 제2수지에 수용하여 거기에 고정결합시키는 방식으로 모울드된 것을 특징으로 하는 수지밀봉된ic 조절장치. [청구항 15] 제14항에 있어서,상기제1 및 제2모울드 부분의 접촉면중의 적어도 하나가 거칠게 되어 있는 것을 특징으로 하는 수지밀봉된ic 조절장치. [청구항 16] 제15항에 있어서,표면이 요철면으로 된 것을 특징으로 하는 수지밀봉된ic 조절장치. [청구항 17] 제3항에 있어서,상기 제2접속단자는 제1수지로 모울드된 상기 제1모울드 부분에 의해 규정된 표면방향으로 미리 정해진 각도로 굽혀진 것을 특징으로 하는 수지밀봉된ic 조절장치. [청구항 19] 제18항에 있어서,상기 수지모울드부분은 상기 제2접속단자를 수지로 둘러싸는 방식으로 몰딩하므로서 콘넥터 하우징 부분을 그위에 입체로 형성한 것을 특징으로 하는 수지밀봉된ic 조절장치. [청구항 20] 제18항에 있어서,상기 수지모울드부분은 상기 모노리딕 ic와 상기 모노리댁 ic와 전기적으로 접속된 제1 및 제2접속단자중의 적어도 한부분을 밀봉하기 위해 제1수지로 모울드된 제1모울드부분, 제2수지로 모울드되고 상기 제 1모울드 부분의 적어도 한부분을 외부에서 덮어사는 제2모울드부분으로 이루어져 있는 것을 특징으로 하는 수지밀봉된ic 조절장치. [청구항 21] 제19항에 있어서,상기 제2접속단자의 팁단은 상기 단자를 둘러싸는 상기 콘넥터 하우징 부분에 구비된 공동의 내부에 배열되어 있는 것을 특징으로 하는 수지밀봉된ic 조절장치. [청구항 22] 제20항에 있어서,상기 제1수지는 열경화성수지로 만들어지고 상기 제2수지는 열가소성 수지로 만들어진 것을 특징으로 하는 수지밀봉된ic조절장치. [청구항 23] 제18항에 있어서,상기 탈열기는 상기 제2접속단자가 굽혀진 방향과 같은 방향으로 상기 모울드 부분의 하나의 표면 전체에 걸쳐 고정되어 있는 것을 특징으로 하는 수지밀봉된ic 조절장치. [청구항 25] 제24항에 있어서,및 제2접속단자와 상기 전도부재는 동일한 물질로 만들어진 것을 특징으로 하는 수지밀봉된반도체장치. [청구항 26] 제25항에 있어서,상기 수지모울드부분은 상기 제2접속단자를 수지로 둘러싸는 방식으로 몰딩하므로서 그위에 일체로 형성된 콘넥터 하우징부분을 게다가 더 가지고 있는 것을 특징으로 하는 수지밀봉된반도체장치. [청구항 27] 제26항에 있어서,상기 수지 모울드부분은 상기 모노리딕 ic와 상기 모노리딕 ic에 접속된 제1 및 제2접속단자중의 적어도 한부분을 밀봉하기 위해 모울드한 제1 모울드부분과 제2 수지로 모울드되고 상기 제1모울드부분의 적어도 한부분을 외부에서 덮어싸는 제2모울드 부분으로 이루어진 것을 특징으로 하는 수지밀봉된반도체장치. [청구항 28] 제27항에 있어서,상기 제2접속단자의 팁단은 상기 단자를 둘러싸는 상기 콘넥터 부분에 구비된 공동의 내부에 배열되어 있는 것을 특징으로 하는 수지밀봉된반도체장치. [청구항 43] 제1항에 있어서,관통 간극(penetrating aperture)을 상기 수지모울드부분에 구비시킨 것을 특징으로 하는 수지밀봉된ic 조절장치. [청구항 44] 제24항에 있어서,상기 관통간극을 상기 수지모울드부분에 구비시킨 것을 특징으로 하는 수지밀봉된반도체장치. [청구항 46] 제45항에 있어서,전기적인 부하가 발전기인 것을 특징으로 하는 수지밀봉된반도체장치. [청구항 47] 제45항에 있어서,상기 제1접속단자는 상기 전기적인 부하부분에 직접적으로 접속될 수 있는 단자이며, 상기 제2접속단자는 콘넥터로서 사용될 수 있게 된 것을 특징으로 하는 수지밀봉된반도체장치. [청구항 48] 제45 또는 제47항에 있어서 상기 콘넥터 하우징은 상기 모울드부분에 의해 규정되는 표면방향에 미리 정해진 각도로 굽혀져 있는 것을 특징으로 하는 수지로 밀봉된 반도체장치