문맥 (context)
[청구항 2]
제 1 항에 있어서,상기 제 2 캐패시터전극이 복수의 메모리셀에 공통으로 배설되게 셀플레이트구성된것을특징으로 하는반도체기억장치
[청구항 3]
제 1 항에 있어서,상기 제 2 캐패시터전극이 각각 불순물이 포함된 제 1 층 및 제 2 층 다결정실리콘막으로 형성되고, 상기 홈 내벽면의 저농도확산층은 상기 제 1 층 다결정실리콘막으로부터의 고상확산에 의해형서된것특징으로 하는반도체기억장치
[청구항 4]
제 1 항에 있어서,상기 제 2 캐패시터전극이 기판의상기 홈상에패턴경계설치되어있는것특징으로 하는반도체기억장치
[청구항 5]
제 1 항에 있어서,상기 제 1 캐패시터전극이 상기 홈의 영역 내에만 형성되어 상기 홈의 상부내벽면에서 상기 소오스 및 드레인중 어느한쪽의확산층접속되어있는것을특징으로 하는반도체기억장치
[청구항 6]
제 1 항에 있어서,상기 제 1 캐패시터전극이 상기 홈영역으로부터 홈외부로 일부 돌출되어 홈의 상부내벽면 및 외부평탄면에서 상기 소오스 및 드레인영역중 어느한쪽의확산층접촉된것을특징으로 하는반도체기억장치
[청구항 8]
제 7 항에 있어서,상기 제 2 캐패시터전극이 복수의 메모리셀에 공통으로 배설되도록 셀플레이트를구성주는것을특징으로 하는반도체기억장치의 제조방법
[청구항 9]
제 7 항에 있어서,상기제 1 및 제 2 캐패시터전극을 각각 불순물을 포함하는 제 1 층 및 제 2 층 다결정실리콘막으로형성주는것을특징으로 하는반도체기억장치의 제조방법
[청구항 10]
제 7 항에 있어서,상기 홈의 상부내벽면에 노출되는 mos 트랜지스터의 소오스와 드레인중 어느 한쪽의 확산층 일부를 상기 홈의 형성전에혀성시키는것을특징으로 하는반도체장치의 제조방법
[청구항 11]
제 7 항에 있어서,상기 제 1 도체막을 이방성에칭으로 전면에칭시켜 상기 제 1 캐패시터전극이 상기 홈의 내부에만 남도록패턴형성하는것을특징으로 하는반도체기억장치의 제조방법
[청구항 12]
제 7 항에 있어서,상기 제 1 캐패시터전극을 홈의 영역으로부터 외부로 돌출되도록 포토에칭으로 패턴형성시켜, 홈의 회부평탄면에서 상기 소오스 및 드레인중 어느한쪽의확산층접촉시키는것을특징으로 하는반도체기억장치의 제조방법
[청구항 13]
제 7 항에 있어서,상기 제 2 캐패시터전극을 기판의 상기 홈모서리까지는 홈위에서패터닝하는것을특징으로 하는반도체기억장치의 제조방법
[청구항 14]
제 7 항에 있어서,상기 메모리셀영역에 홈을 형성시키는 공정이 미리 형성된 소자분리절연막영역상에 개구의 일부가 부식된 마스크를 이용해서 이방성에칭을 실행하도록있는것을특징으로 하는반도체기억장치의 제조방법
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
반도체기억장치의 제조방법에서 제 1 캐패시터전극이 홈의 영역으로부터 외부로 돌출되어 홈의 상부내벽면 및 외부평탄면에서 소오스 또는 드레인 영역 중 어느 한쪽의 확산층과 접촉하도록 하는 패턴 형성 방식은 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
-
1과제 해석
task_interpretation제 1 캐패시터전극이 홈 외부로 돌출되어 상부내벽면 및 외부평탄면에서 확산층과 접촉하도록 하는 패턴 형성 방식을 찾는 것이다.
-
2정보 추출
information_extraction청구항 6은 제 1 캐패시터전극이 홈 외부로 일부 돌출되어 상부내벽면 및 외부평탄면에서 확산층과 접촉하는 구성을 설명하며, 청구항 12는 이에 대한 제조방법을 설명한다.
- 상기 제 1 캐패시터전극이 상기 홈영역으로부터 홈외부로 일부 돌출되어 홈의 상부내벽면 및 외부평탄면에서 상기 소오스 및 드레인영역중 어느한쪽의확산층접촉된것
- 상기 제 1 캐패시터전극을 홈의 영역으로부터 외부로 돌출되도록 포토에칭으로 패턴형성시
-
3근거 선택
evidence_selection질문에서 요구하는 '패턴 형성 방식'에 직접적으로 대응하는 청구항 12의 내용을 선택한다.
- 상기 제 1 캐패시터전극을 홈의 영역으로부터 외부로 돌출되도록 포토에칭으로 패턴형성시켜
-
4논리 통합
logical_integration청구항 6의 구조적 특징을 구현하기 위한 제조방법으로서 청구항 12의 '포토에칭' 방식이 제시되어 있음을 확인한다.
- 상기 제 1 캐패시터전극을 홈의 영역으로부터 외부로 돌출되도록 포토에칭으로 패턴형성시켜
-
5결론 도출
conclusion_formulation제 1 캐패시터전극을 홈 외부로 돌출시켜 확산층과 접촉하게 만드는 방식은 포토에칭을 이용한 패턴 형성 방식이다.
-
6답변 생성
answer_generation추출된 핵심 용어인 '포토에칭'을 답변으로 생성한다.
최종 답변 (final_answer)
포토에칭
핵심 해석 (core_interpretation)
제 1 캐패시터전극을 홈 외부로 돌출되도록 포토에칭 공정을 통해 패턴 형성함으로써, 홈의 상부내벽면과 외부평탄면 모두에서 소오스 또는 드레인 영역의 확산층과 접촉을 유도하는 기술이다.