고-티씨초전도체에 저저항률 접점을 형성하는 방법 및 저접촉면저항률을 갖는 고-티씨초전도유니트와 시스템 document_id 1019880014545

[청구항 34] 제33항에 있어서,귀금속은 골드, 또는 실버인 것을 특징으로 하는 저접촉면 저항률갖는시스템. [청구항 35] 제33항 또는 제34항에 있어서,커넥터 유니트는 귀금속으로 형성된 접점패드를 포함하는 것을 특징으로 하는 저접촉면 저항률갖는시스템. [청구항 36] 제35항에 있어서,초전도체 표면과 커넥터유니트의 제1부분 사이의 표면저항률은 약 200μω-cm2 이하인 것을 특징으로 하는 저접촉면 저항률갖는시스템. [청구항 37] 제36항에 있어서,초전도체 표면과 상기 커넥터 유니트의 제1부분 사이의 표면저항률은 10-5ω-cm2 이하인 것을 특징으로 하는 저접촉면 저항률갖는시스템. [청구항 38] 제37항에 있어서,상기 커넥터유니트의 제2부분은 제2전기전도수단으로 제2부분에 연결된 최소한 하나의 전기 리이드를 갖는 거을 특징으로 하는 저접촉면저항률갖는시스템. [청구항 39] 제38항에 있어서,전기 리이드는 납땜, 또는 더모소닉 본딩에 의해 귀금속에 연결된 것을 특징으로 하는 저접촉면저항률갖는시스템. [청구항 40] 제39항에 있어서,납땜을 위해 인듐 또는 저온 용융인듐 합금이 사용된 것을 특징으로 하는 저접촉면 저항률갖는시스템. [청구항 41] 최소한 하나의 초전도체 표면을 구비하는 고-tc 초전도 재료로 형성된 초전도체로 구성된 초전도 유니트에 있어서 상기 유니트는 고-tc 초전도체 작동 온도에서 상기 초전도체 표면과 상기 제1표면 부분사이의 표면저항률을 1000μω-cm 2 이하로 유지하도록 상기 초전도체 표면과 접촉하는 상기 제1표면부분과 제2표면부분을 구비하는, 귀금속으로 형성된 전기전도패드와 전류가 상기 전기전도패드와 전기전도수단을 통해 상기 초전도유니트와 제2유니트 사ㅣㅇ로 고전류밀도로 전도될 수 있도록 상기 패드의 상기 제2부분에 연결된 전기전도수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 저접촉면 저항률을 갖는 고-tc초전도유니트 [청구항 42] 제41항에 있어서,초전도체 표면과 패드의 제1부분 사이의 표면저항률은 200μω-cm2이하인 것을 특징으로 하는 저접촉면 저항률갖는고-tc초전도 유니트. [청구항 43] 제42항에 있어서,표면저항률은 10-5 ω-cm2이하인 것을 특징으로 하는 저접촉면저항률갖는고-tc 초전도유니트. [청구항 44] 제41항, 제42항 또는 제43항에 있어서,고전류밀도는 수백암페어의 전류부하의 작용을 포함하는 것을 특징으로 하는 저접촉면저항률갖는고-tc 초전도 유니트. [청구항 45] 제44항에 있어서,초전도재료는 금속산화물 초전도체인 것을 특징으로 하는 저접촉면저항률갖는고-tc 초전도 유니트.