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고체촬상장치 document_id 1019880016434

출원번호
1019880016434
분류
전기(H섹션)
문맥 (context)
[청구항 2] 제1항에 있어서,상기제1의 스위치수단은, 상기 광전변환소에 축적되어 있는 상기 신호전하를 전류 또는 전압으로 변환증폭하여, 상기 제1의 신호선으로 출력하기 위한 증폭수단과, 상기 복수개의 광전변환소자중에서 소정의 것을 선택하고, 선택된 광전변화 소자의 전하를 상기 증폭 수단의 입력부에 공급하기 위한 선택스위치수단과 상기 증폭수단의 입력부의 전하를 리세트하기 위한리세트수단구성된것을특징으로 하는고체촬상장치. [청구항 3] 제1항에 있어서,상기제2의 스위치수단은, 상기 증폭수단의 입력부의 전하가 상기 리세트수단에 의해서 리세트되었을 경우와, 상기 증폭수단에 상기 광전변환소자로부터의 상기 신호전하가 입력되었을 경우의 양 경우의 상기 증폭수단의 출력전하를 축적하는 복수개의 축적수단과, 이 축적수단에 축적된 상기 출력전하를 상기 제1의 신호선으로 순차전송하기 위한전송스위치수단구성되는것을특징으로 하는고체촬상장치. [청구항 4] 제2항에 있어서,상기 선택수단은, 상기 광전변환소자에 제1의 전극이 접속되고, 상기 제1의 주사수단에 게이트전극이 접속되고, 상기 증폭수단 및 상기 리세트수단에 제2의 전극이 접속되는 제1의 mos형 트랜지스터로 구성되고, 상기 증폭수단은, 상기 제1의 주사수단에 제1의 전극이 접속되고, 상기 제1의 mos형 트랜지스터의 제2의 전극에 게이트전극이 접속되고, 상기 제1의 신호선에 제2의 전극이 접속되는 제2의 mos형 트랜지스터로 구성되고 상기 리세트수단은, 상기 제1의 mos형 트랜지스터의 제2의 전극에 제1의 전극이 접속되고, 상기 제1의 주사수단에 제2의 전극 및 게이트 전극이 접속되는 제3의 mos형트랜지스터구성되는것을특징으로 하는고체촬상장치. [청구항 5] 제3항에 있어서,상기 축적수단은, 상기 제1의 신호선에 제1의 전극이 접속되고, 게이트전국에 접속된 게이트선에 의해서 온,오프하는 제1의 mos형 트랜지스터와, 이 mos형 트랜지스터의 제2의 전극에 접속되는 용량소자로 이루어진 직렬회로로 구성되고, 상기 전송스위치수단은, 상기 제1의 mos형 트랜지스터의 제2의 전극에 제1의 전극이 접속되고, 상기 제2의 신호선에 제2의 전극이 접속되고, 상기 제2의 주사수단에 게이트전극이 접속되는 제2의 mos형트랜지시터로구성된것을특징으로 하는고체촬상장치. [청구항 6] 제5항에 있어서,상기 축적수단은 상기 제1의 신호선에 대해서 2개 병렬로 접속되고, 상기 전송스위치수단은 이 축적수단에 축적된 출력전하를 각각 독립적으로 상기 제2의신호선전송하는것을특징으로 하는고체촬상장치. [청구항 7] 제4항에 있어서,상기제2의 mos형 트랜지스터의 웰이 그 제2의 전극에 접속되고,동일전위설정되는것을특징으로 하는고체촬상장치. [청구항 8] 제5항에 있어서,상기제2의 신호선을 2개가지고, 상기 축적수단은 상기 제1의 신호선에 대해서 4개 병렬로 접속되고, 수평귀선기간내에 상기 광전변환 소자의 상기 소정방향 2열분의 상기 출력전하를 축적하고, 상기 전송스위치수단은 이 축적수단에 축적된 상기 출력전하를 각각 독립적으로 상기 제2의 신호선으로 전송하여,2행동시행하는것을특징으로 하는고체촬상장치. [청구항 10] 제9항에 있어서,상기제1의 스위치수단은, 상기 광전변환소자에 축적되어 있는 상기 신호전하를 전류 또는 전압으로 변환증폭하여, 상기 제1의 신호선으로 출력하기 위한 증폭수단과, 상기 증폭수단의 입력부의 전하를 리세트하기 위한리세트수단구성된것을특징으로 하는고체촬상장치. [청구항 11] 제9항에 있어서,상기제2의 스위치수단은 상기 증폭수단의 입력부의 전하가 상기 리세트수단에 의해서 세트되었을 경우와, 상기 증폭수단에 상기 광전변환소자로부터의 상기 신호전하가 입력되었을 경우의 양 경우의 상기 증폭수단의 출력전하를 축적하는 복수개의 축적수단과 이 축적수단에 축적된 상기 출력전하를 상기 제1의 신호선으로 순차 전송하기 위한전송스위치수단구성된것을특징으로 하는고체촬상장치. [청구항 12] 제10항에 있어서,상기 증폭수단은, 상기 제1의 주사수단에 제1의 전극이 접속되고, 상기 광전변환소자에 게이트전극이 접속되고, 상기 제1의 신호선에 제2의 전극이 접속되는 제1의 mos형 트랜지스터로 구성되고, 상기 리세트수단은 상기 제1의 mos형 트랜지스터의 게이트전극에 제1의 전극이 접속되고, 상기 제1의 주사수단에 제2의 전극 및 게이트전극이 접속되는 제2의 mos형트랜지스터구성되는것을특징으로 하는고체촬상장치. [청구항 13] 제11항에 있어서,상기 축적수단은, 상기 제1의 신호선에 제1의 전극이 접속되고, 게이트전극에 접속된 게이트선에 의해서 온, 오프하는 제1의 mos형 트랜지스터와, 이 mos형 트랜지스터의 제2의 전극에 접속되는 용량소자로 이루어진 직렬회로에 의해서 구성되고, 상기 전송스위치수단은, 상기 제1의 mos형 트랜지스터의 제2의 전극에 제1의 전극이 접속되고, 상기 제2의 주사수단에 게이트 전극이 접속되는 제2의 mos형트랜지스터구성된것을특징으로 하는고체촬상장치. [청구항 14] 제13항에 있어서,상기 축적수단은 상기 제1의 신호선에 대해서 2개 병렬로 접속되고, 상기 전송스위치수단은 이 축적수단에 축적된 출력전하를 각각 독립적으로 상기 제2의신호선전송하는것을특징으로 하는고체촬상장치. [청구항 16] 제15항에 있어서,상기제1의 스위치수단은, 상기 광전변환소자에 축적되어 있는 상기 신호전하를 전류 또는 전압으로 변환증폭하여, 상기 제1의 신호선으로 출력하기 위한 증폭수단과, 상기 복수개의 광전소자중에서 소정의 것을 선택하고, 선택된 광전 변환소자의 전하를 상기 증폭수단의 입력부에 공급하기 위한선택스위치수단구성된것을특징으로 하는고체촬상장치. [청구항 17] 제15항에 있어서,상기제2의 스위치수단은, 상기 증폭수단의 입력부의 전하가 상기 리세트수단에 의해서 리세트되었을 경우와, 상기 증폭수단에 상기 광전변환소자로부터의 상기 신호전하가 입력되었을 경우의, 양경우의 상기 증폭수단의 출력전하를 축적하는 복수개의 축적수단과, 이축적수단에 축적된 상기 출력전하를 상기 제1의 신호선으로 춘차전송하기 위한전송스위치수단구성된것을특징으로 하는고체촬상 장치. [청구항 18] 제16항에 있어서,상기 선택수단은, 상기 광전변환소자에 제1의 전극이 접속되고, 상기 제1의 주사수단에 게이트 전극이 접속되고, 상기 증폭수단에 제2의 전극에 제2의 전극이 접속되는 제1의 mos형 트랜지스터로 구성되고, 상기 증폭수단은, 상기 제1의 주사수단에 제1의 전극이 접속되고, 상기 제1의 mos형 트랜지스터의 제2의 전극이 접속되고, 상기 제1의 신호선에 제3의 전극이 접속되는쌍극성트랜지스터구성된것을특징으로 하는고체촬상장치. [청구항 19] 제17항에 있어서,상기축적수단은, 상기 제1의 신호서에 제1의 전극이 접속되고, 게이트전극에 접속된 게이트선에 의해서 온, 오프하는 제1의 mos형 트랜지스터와, 이 mos형 트랜지스터의 제2의 전극에 접속되는 용량소자로 이루어진 직렬회로에 의해서 구성되고 상기 전송스위치수단은, 상기 제1의 mos형 트랜지스터의 제2의 전극에 제1의 전극이 접속되고, 상기 제2의 신호선에 제2의 전극이 접속되고 성가 재2의 주사수단에 게이트전극이 접속되는 제2의 mos형 트랜지스터에 의해서구성된것을특징으로 하는고체촬상장치. [청구항 20] 제19항에 있어서,상기축적수단은 상기 제1의 신호선에 대하여 2개병렬로 접속되고, 상기 전송스위치수단은 이 축적수단에 축적된 출력전하를 각각 독립적으로 상기 제2의신호선전송하는것을특징으로 하는고체촬상장치. [청구항 22] 광신호를 전기신호로 변환하고, 측정하기 위하여 2차원형상으로 배치된 수광수단과, 이 수광수단의 전기신호를 증폭하기 위한 증폭수단을 각각의 수광수단의 근처에 가지며, 또 상기 증폭수단의 증폭신호를 선택적으로 주사출력하기 위한 출력수단과, 복수의 상기 수광수단의 동시각에 리세트하는 수단을 가진 고체촬상장치에 있어서 상기 출력수단의 일부로서 복수개의 용량을 배설하고, 상기 증폭신호의 출력은, 일단 복수의 증폭수단의 증폭출력전하를 동시각에 상기 용량에 입력한후, 상기 량을 주사하고, 상기 용량에 축적되고 있던 증폭신호을 읽어내므로서 행하는 구조를 가진 것을 특징으로 하는 고체촬상장치
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
청구항 2항 및 4항의 내용을 바탕으로, 제1의 스위치수단을 구성하는 선택스위치수단, 증폭수단, 리세트수단이 각각 어떠한 트랜지스터 또는 구성요소로 이루어져 있는지 기술하시오.
추론 과정 (compact_reasoning)
  1. 1과제 해석task_interpretation

    청구항 2항과 4항을 참조하여 제1의 스위치수단을 구성하는 선택스위치수단, 증폭수단, 리세트수단의 구체적인 구성요소를 파악해야 한다.

  2. 2정보 추출information_extraction

    청구항 2항에서 제1의 스위치수단이 선택스위치수단, 증폭수단, 리세트수단으로 구성됨을 확인하고, 청구항 4항에서 각 수단의 상세 구성을 추출한다.

    • 상기제1의 스위치수단은, 상기 광전변환소에 축적되어 있는 상기 신호전하를 전류 또는 전압으로 변환증폭하여, 상기 제1의 신호선으로 출력하기 위한 증폭수단과, 상기 복수개의 광전변환소자중에서 소정의 것을 선택하고, 선택된 광전변화 소자의 전하를 상기 증폭 수단의 입력부에 공급하기 위한 선택스위치수단과 상기 증폭수단의 입력부의 전하를 리세트하기 위한리세트수단구성된것을특징으로 하는
    • 상기 선택수단은, 상기 광전변환소자에 제1의 전극이 접속되고, 상기 제1의 주사수단에 게이트전극이 접속되고, 상기 증폭수단 및 상기 리세트수단에 제2의 전극이 접속되는 제1의 mos형 트랜지스터로 구성되고, 상기 증폭수단은, 상기 제1의 주사수단에 제1의 전극이 접속되고, 상기 제1의 mos형 트랜지스터의 제2의 전극에 게이트전극이 접속되고, 상기 제1의 신호선에 제2의 전극이 접속되는 제2의 mos형 트랜지스터로 구성되고 상기 리세트수단은, 상기 제1의 mos형 트랜지스터의 제2의 전극에 제1의 전극이 접속되고, 상기 제1의 주사수단에 제2의 전극 및 게이트 전극이 접속되는 제3의 mos형트랜지스터구성되는것을특징으로 하는
  3. 3근거 선택evidence_selection

    청구항 4항에서 선택수단(선택스위치수단), 증폭수단, 리세트수단에 대응하는 트랜지스터 종류를 명시한 구절을 선택한다.

    • 상기 선택수단은, 상기 광전변환소자에 제1의 전극이 접속되고, 상기 제1의 주사수단에 게이트전극이 접속되고, 상기 증폭수단 및 상기 리세트수단에 제2의 전극이 접속되는 제1의 mos형 트랜지스터로 구성되고, 상기 증폭수단은, 상기 제1의 주사수단에 제1의 전극이 접속되고, 상기 제1의 mos형 트랜지스터의 제2의 전극에 게이트전극이 접속되고, 상기 제1의 신호선에 제2의 전극이 접속되는 제2의 mos형 트랜지스터로 구성되고 상기 리세트수단은, 상기 제1의 mos형 트랜지스터의 제2의 전극에 제1의 전극이 접속되고, 상기 제1의 주사수단에 제2의 전극 및 게이트 전극이 접속되는 제3의 mos형트랜지스터구성되는것을특징으로 하는
  4. 4논리 통합logical_integration

    청구항 4항의 내용을 바탕으로 선택스위치수단은 제1의 mos형 트랜지스터, 증폭수단은 제2의 mos형 트랜지스터, 리세트수단은 제3의 mos형 트랜지스터임을 연결한다.

  5. 5결론 도출conclusion_formulation

    각 구성요소에 대응하는 트랜지스터 유형을 정리하여 질문에 답변할 준비를 한다.

  6. 6답변 생성answer_generation

    추출된 정보를 바탕으로 리스트 형식의 최종 답변을 생성한다.

최종 답변 (final_answer)
- 선택스위치수단: 제1의 mos형 트랜지스터 - 증폭수단: 제2의 mos형 트랜지스터 - 리세트수단: 제3의 mos형 트랜지스터
핵심 해석 (core_interpretation)
제1의 스위치수단을 구성하는 선택, 증폭, 리세트 기능을 각각 서로 다른 세 종류의 MOS형 트랜지스터(제1, 제2, 제3의 mos형 트랜지스터)를 통해 구현하는 기술적 구성을 나타낸다.