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위상배열 레이다내의 모든 전송용 조정 스위치 document_id 1019880017892

출원번호
1019880017892
분류
전기(H섹션)
문맥 (context)
[청구항 1] 위상 배열 레이다 시스템에 있는 각각의 안테나 소자를 구동시키는 펄스식 전송 모듈(2)을 dc 전원(4)에 의해 동작시키는 디지탈 제어식 조정 스위치(37)에 있어서, a. 상기 dc 전원에 상기 조정 스위치를 접속시키기 위한 제1 전원 입력 단자(p1)와, b. 상기 전송 모듈에 상기 조정 스위치를 접속시키기 위한 제2 전원 출력 단자(p2)와, c 상기 dc 전원과 펄스식 전송 모듈에 상기 조정 스위치를 접속시키기 위한 제3 공통 전원 단자(p3)와, d. 제1 출력 단자, 상기 공통 전원 단자(p3)에 접속된 제2 공통 단자, 및 게이트 단자를 구비하며 고온 안정성을 갖는 게이트식 디지탈 기준 전압(10, 11, t2, t3)과, e. 상기 제1 전원 입력 단자(p1)에 결합된 제1 단자와 상기 공통 전원 단자(p3)에 결합된 제2 단자를 갖는 필터 캐패시터(c3)와, f. (+) 입력 단자, (-) 입력 단자 및 출력 단자를 갖는 고이득 연산 증폭기(13)와, g. 상기 연산 증폭기의 (+) 입력 단자를 상기 게이트식 기준 전압의 출력 단자에 접속하는 수단과, h. 상기 연산증폭기의 (-) 입력 단자를 상기 제2 전원 출력 단자(p2)에 접속하여, 상기 펄스식 전송 모듈(2, 32)에서의 전압을 감지하는 수단(r3)과, i. 상기 연산 증폭기(13)의 출력 단자와 (-) 입력 단자 사이에 접속되어, 정확한 조정이 되도록 상기 제2 전원 출력 단자(p2)에서의 상승 및 하강 시간을 제한하여 바람직하지 않은 출력 과도현상을 제거하는 궤환 캐패시터(c2)와, j. 게이트(g), 소오스(s) 및 드레인(d) 전극을 포함하는데, 전원의 효율성을 위해 드레인-소오스 전극간 저저항을 방지하고, 변화에 정확히 응답하는 충분한 대역폭을 제공하기 위해 저 입력 캐패시턴스를 방지하도록 되어 있어, 상기 전송 모듈의 펄스에 비교할만한 상승시간을 갖고, 상기 드레인 전극(d)은 상기 전원 입력 단자에 결합되며, 상기 소오스 전극(s)은 상기 전원 출력 단자에 결합되는 전력 금속 산화막 반도체 전계효과 트랜지스터(mosfet) (t1)와, k. 상기 연산 증폭기(13)의 출력 단자를 상기 게이트 전극에 ac 결합하는 결합 캐패시터(c1)와, l. 상기 게이트 전극과 드레인 전극 사이에 결합되어 상기 결합 캐패시터(c1)를 방전시키는 결합 캐패시터 방전 저항기(r4)를 구비하는데, 상기 결합 캐패시터(c1)와 캐패시터 방전 저항기(r4)는 상기 펄스식 전송 모듈에서의 전압이 상기 게이트식 디지탈 기준 전압과 일치 시킴에 의해 고이득 ac 결합 궤환 루우프를 완료하는데, 상기 궤환 루우프의 시 상수는 소정의 펄스 지속 시간을 초과하도록 세트되지만 양호치 못한 지속 제어신호에 대하여 상기 부하를 보호하기에는 충분히 짧게되어 있는 것을 특징으로 하는 디지탈 제어식 조정 스위치 [청구항 2] 제1항에 있어서,상기 제1 전원 입력 단자(p1)에 공급되는 전원의 극성은 (+)이고, (2) 상기 전력 mosfet(t1)는 n-채널형인것을특징으로 하는디지탈 제어식 조정 스위치. [청구항 3] 제1항에 있어서,상기 전력 금속 산화막 전계효과 트렌지스터(t1)의 대역폭은 1 내지 10 mhz의 범위내에 있고, (2) 상기 궤환 캐패시터(c2)의 값은 전송 모듈이나 그 접속부에 있어서 유도 인덕턴스로 인한 링잉을 충분히 방지하도록 상승시간을 감소시키게선택되는것을특징으로 하는디지탈 제어식 조정 스위치. [청구항 4] 제1항에 있어서,상기 게이트식 디지탈 기준 전압은 상기 조정 드레인 스위치(37)의 출력 전압을 원격 제어하고, 최소 dc 전원이 지속되는한 상기 dc 전원으로부터 부하 전압을 독립적으로 유지하도록 프로그램 가능하게있는것을특징으로 하는디지탈 제어식 조정 스위치. [청구항 5] 위상 배열 레이다 시스템에 있는 각각의 안테나 소자를 구동시키는 펄스식 전송 모듈(2)을 dc 전원(4)에 의해 동작시키는 디지탈 제어식 조정 스위치(37)에 있어서, a. 상기 dc 전원에 상기 조정 스위치를 접속시키기 위한 제1 전원 입력 단자(p1)와, b. 상기 전송 모듈에 상기 조정 스위치를 접속시키기 위한 제2 전원 출력 단자(p2)와, c. 상기 dc 전원과 상기 펄스식 전송 모듈에 상기 조정 스위치를 접속시키기 위한 제3 공통 전원 단자(p3)와, d. 상기 제1 출력 단자, 공통 전원 단자(p3)에 접속된 제2 공통 단자, 전원 모듈의 펄스식 여기를 위해 조정 스위치를 온으로 설정하는 제어 신호원에 접속된 게이트 단자를 구비하며 고온 안정성을 갖는 게이트식 디지탈 기준 전압과, e. 상기 제1 전원 입력 단자(p1)에 결합된 제1 단자와 상기 공통 전원 단자(p3)에 결합된 제2 단자를 갖는 필터 캐패시터(c3)와, f. (+) 입력 단자, (-) 입력 단자 및 출력 단자를 갖는 고이득 연산 증폭기(13)와, g. 상기 연산 증폭기(13)의 (+) 입력 단자를 상기 게이트식 기준 전압의 출력 단자에 접속하는 수단과, h. 상기 연산 증폭기의 (-) 입력 단자를 상기 제2 전원 출력 단자(p2)에 접속하여 상기 펄스식 전송 모둘에서 상기 전압을 감지하는 수단(r3)과, i. 게이트(g), 소오스(s) 및 드레인(d) 전극을 포함하는데, 전원의 효율성을 위해 드레인-소오스 전극간 저저항을 방지하고, 변호에 정확히 응답하는 충분한 대역폭을 제공하기 위해 저입력 캐패시턴스를 방지하도록 되어 있어 상기 전송모듈의 펄스에 비교할 만한 상승시간을 갖고, 상기 드레인 전극(d)은 상기 전원 입력 단자에 결합되며, 상기 소오스 전극 (s)은 상기 전원 출력 단자에 결합되는 전력 금속 산화막 반도체 전계효과 트랜지스터(mosfet)와, j. 상기 전송 모듈에서의 전압을 상기 게이트식 디지탈 기준 전압과 일치시킴으로써 고이득 궤환 루우프를 완료하고 그 루우프에 의해 필터 캐패시터및 상기 모듈에서의 벌크가 감소되어 펄스 전송시 전압 안정화를 이루도록 하는 상기 연산 증폭기의 출력 단자를 상기 게이트 전극에 결합시키는 수단(c1, r4)을 구비하는 것을 특징으로 하는 소형의 디지탈 제어식 조정 스위치 [청구항 6] 제5항에 있어서,상기 결합 수단(j)은(1) 상기 연산 증폭기의 출력 단자를 상기 게이트 전극에 ac 결합하기 위한 결합 캐패시터(c1)와, (2) 소정의 방전속도로 상기 스위치의 최대 온타임을 제한하기 위해 상기 게이트 전극과 상기 소오스 전극 사이에 결합되어, 상기 결합 캐패시터(c1)를 방전시키기 위한저항기포함하는것을특징으로 하는디지탈 제어식 조정 스위치. [청구항 7] 제6항에 있어서,상기 궤환 캐패시터(c2)는 연산 증폭기의 상기 출력 단자와 (-) 입력 단자 사이에 접속되어 바람직 하지 않은 출력 과도현상을 제거하기 위한 정확성을 갖는 조정으로 상기 제 2 전원 출력 단자에서 상승 및 하강 시간을 제한하도록 상기 연상 증폭기의 상기 출력 단자와 (-)입력단자사이접속된것을특징으로 하는디지탈 제어식 조정 스위치.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
디지탈 제어식 조정 스위치에서 고이득 AC 결합 궤환 루우프를 완료하기 위해 결합 캐패시터(c1)와 결합 캐패시터 방전 저항기(r4)가 수행하는 역할은 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
  1. 1과제 해석task_interpretation

    디지탈 제어식 조정 스위치에서 결합 캐패시터(c1)와 결합 캐패시터 방전 저항기(r4)가 고이득 AC 결합 궤환 루우프를 완료하기 위해 수행하는 역할을 파악해야 한다.

  2. 2정보 추출information_extraction

    청구항 1의 k, l, m 항에서 c1은 연산 증폭기 출력 단자를 게이트 전극에 AC 결합하고, r4는 c1을 방전시키며, 이들이 루우프를 완료하는 구체적인 메커니즘을 추출한다.

    • k. 상기 연산 증폭기(13)의 출력 단자를 상기 게이트 전극에 ac 결합하는 결합 캐패시터(c1)와, l. 상기 게이트 전극과 드레인 전극 사이에 결합되어 상기 결합 캐패시터(c1)를 방전시키는 결합 캐패시터 방전 저항기(r4)를 구비하는데, 상기 결합 캐패시터(c1)와 캐패시터 방전 저항기(r4)는 상기 펄스식 전송 모듈에서의 전압이 상기 게이트식 디지탈 기준 전압과 일치 시킴에 의해 고이득 ac 결합 궤환 루우프를 완료하는데
  3. 3근거 선택evidence_selection

    c1과 r4가 결합하여 펄스식 전송 모듈의 전압을 게이트식 디지탈 기준 전압과 일치시킨다는 문구를 핵심 근거로 선택한다.

    • 상기 결합 캐패시터(c1)와 캐패시터 방전 저항기(r4)는 상기 펄스식 전송 모듈에서의 전압이 상기 게이트식 디지탈 기준 전압과 일치 시킴에 의해 고이득 ac 결합 궤환 루우프를 완료하는데
  4. 4논리 통합logical_integration

    c1은 AC 결합을 담당하고 r4는 c1을 방전시킴으로써, 결과적으로 펄스식 전송 모듈의 전압을 게이트식 디지탈 기준 전압과 일치시키는 작용을 통해 궤환 루우프를 완성한다는 논리를 구성한다.

  5. 5결론 도출conclusion_formulation

    c1과 r4는 펄스식 전송 모듈에서의 전압을 게이트식 디지탈 기준 전압과 일치시킴으로써 고이득 AC 결합 궤환 루우프를 완료하는 역할을 한다.

    • 상기 결합 캐패시터(c1)와 캐패시터 방전 저항기(r4)는 상기 펄스식 전송 모듈에서의 전압이 상기 게이트식 디지탈 기준 전압과 일치 시킴에 의해 고이득 ac 결합 궤환 루우프를 완료하는데
  6. 6답변 생성answer_generation

    추출된 정보를 바탕으로 질문에 대한 직접적인 답변을 작성한다.

최종 답변 (final_answer)
결합 캐패시터(c1)와 결합 캐패시터 방전 저항기(r4)는 펄스식 전송 모듈에서의 전압을 게이트식 디지탈 기준 전압과 일치시킴으로써 고이득 AC 결합 궤환 루우프를 완료하는 역할을 수행한다.
핵심 해석 (core_interpretation)
결합 캐패시터와 방전 저항기를 이용하여 전송 모듈의 전압을 기준 전압과 동기화함으로써 고이득 AC 결합 궤환 루우프를 형성하고 제어하는 기술이다.