MOS형 집적회로의 전원 재공급 회로 document_id 1019880018217

[청구항 1] -전원이 인가되는 전원단자, 접지단자 및 집적회로의 전원을 인에이블 또는 디스에이블 시키는 출력단자 -접지단자와 제1회로노드 사이에 연결되며, 그 충전이 전원단자와 제1호로 노드사이에 연결된 제1의 p형 트랜지스터를 경유하여 제어되는 제1커패시터 -그 입력단자가 제1회로 노드에 연결되는 변형 가능한 스레시홀드 전압을 가진 인버터 게이트 -인버터 게이트의 출력단자와 출력단자 사이에 연결되는 인버터 -제1의 p형 트랜지스터를 제어하는 분배기 회로와 직렬 연결되는 전류원 및 -인버터링형 전달함수 v s =f(v e )를 가지며, 전류원의 작동을 제어하는 방법으로 전류원과 인버터 게이트의 출력단자 사이에 연결되는 회로로 이루어진것을 특징으로 하는 mos형 집적회로를 스타트 시키기 위한 전원 재공급회로 [청구항 2] 제1항에 있어서,변형 가능한 스레시홀드 전압 인버터 게이트는 그 게이트가 분배기 회로의 출력단자에 연결된 제2트랜지스터를 경유하여 접지단자에 연결된인버터구성된것을특징으로 하는회로. [청구항 3] 제1항에 있어서,게이트가 출력단자에 연결되고, 제2트랜지스터와 병렬 연결되는제3트랜지스터포함하는것을특징으로하는회로. [청구항 4] 제1항에 있어서,분배기 회로가 다이오우드 연결된 2개의 mos트랜지스터구성된것을특징으로하는회로. [청구항 5] 제1항에 있어서,전류원이 제4의 p형트랜지스터구성된것을특징으로하는회로. [청구항 6] 제1항에 있어서,인버터형의 전달함수vs=f(ve)를 갖는 회로가 간단한인버터구성되는것을특징으로 하는회로. [청구항 7] 제1항에 있어서,인버터형의 전달함수vs=f(ve)를 갖는 회로는 제5의 p형 트랜지스터와 제6의 n형 트랜지스턴간에 이루어지는 인버터로 구성되며, 인버터의 출력단자는 제5의 p형 트랜지스터와 다이오드 연결 트랜지스터 사이에 형성되는노드된것을특징으로 하는회로. [청구항 8] 제1항에 있어서,인버터형의 전달함수vs=f(ve)를 갖는 회로는 전원단자와 제5의 p형 트랜지스터의 단자간의 직렬연결, 다이오우드 연결 트랜지스터 및 제6의 n형 트랜지스터로 구성되며,회로의 입력단자는 게이트가 전원단자에 연결되는 제6의 형 트랜지스터를 경유하여, 제5의 p형 트랜지스터의 게이트에 연결되고, 제6의 n형 트랜지스터의 게이트에 직접 연결되며, 회로의 출력단자는 제5의 p형 트랜지스터와 다이오우드 연결 트랜지스터 사이에 형성된회로노드된것을특징으로 하는회로. [청구항 9] 제8항에 있어서,트랜지스터와 제5 트랜지스터의 게이트 사이에 연결되는직렬연결캐패시터포함하는것을특징으로 하는회로. [청구항 10] 제1항에 있어서,분배기 회로의 출력단자와 제1의 회로 노드 사이에 위치하는 제1 캐패시터, 인버터형의 전달함수 vs=f(ve)를 갖는회로의입력단자와인버터 게이트의출력단자사이의제2캐패시터및출력단자와제3트랜지스터의게이트사이의제3캐패시터포함하는것을특징으로하는회로. [청구항 11] 제10항에 있어서,및 제3캐패시터들은 2개의 주전극들이 쇼트되고 게이트가 p형 트랜지스터에 대해서는 전원단자 또는 n형 트랜지스터에 대해서는 접지단자에 연결되는 p형 mos 트랜지스터들 또는 n형 mos트랜지스터들구성되는것을특징으로하는회로.