반도체 장치 패터닝용 광전자 전사장치 document_id 1019890003672

[청구항 1] 접속된 광전자 비임에 의해 목적물 상에 소망하는 패턴을 전사하기위한 광전자 전사장치에 있어서 광비임을 발생하기 위한 광원수단 광원으로부터 광 비임에 의해 조사되도록 배치되며, 상기 소망하는 패턴에 따라 패턴되고 상기 광 방사에 의해 조사에 응답하여 광전자를 방사하는 재료를 갖춘 광전자 마스크를 포함하는 광전자 마스크 수단 상기 광전자 비임이 상기 목적물에 접속되도록 상기 접속된 광전자 비임을 형성하기 위해 광전자 마스크로부터 방사되는 광전자를 접속하기 위한 접속수단 광전자 비임의 경로를 차단하도록 배치되어 광전자 비임의 광전자를 가속시키기 위한 가속전극수단 상기 가속전극수단내에 형성되어 이를 통해 광전자 비임의 일부를 통과시키기 위한 가늘고 긴 통로 수단 가늘고 긴 통로수단을 통과한 광전자 비임이 목적물에 접속되도록 상기 목적물을 지지하기 위해 배치된 스테이지수단 및 광전자 마스크와 가속전극수단 사이에 가속전압을 인가하기 위한 전압원 수단으로 구성되며 상기 가속전극수단은 스테이지 수단의 전기 전위레벨과 동일한 전기전위 레벨로 유지되어 스테이지 수단위에 지지되는 목적물이 가속전극수단에 의해 상기 광전자 마스크로 부터 전기적으로 시일드 되는 것을 특징으로 하는 광전자 전사장치 [청구항 2] 제 1 항에 있어서,상기 광원수단은 가늘고 긴 단면을 갖는 광 비임을 발생하기 위한 수단으로 구성되며, 광 비임의 가늘고 긴 단면은 가속전극수단의 가늘고 긴 통로수단에 평행하게 뻗어있고 가늘고 긴 통로수단의 가늘고 긴방향으로 측정할때 통로수단의 대응하는 폭보다 실질적으로 더 작은 폭을 가지며, 광 비임의 가늘고 긴 단면은 통로수단의 가늘고 긴 방향에 수직으로 측정할때 대응하는 통로수단의 두께보다 실질적으로 더 작은두께갖는것을특징으로 하는광전자 전사장치. [청구항 3] 제 1 항에 있어서,상기 광원 수단은 상기 광 비임으로서 레이저 비임을 발생하기 위한 레이저원과 레이저 비임이 광전자 마스크위에 걸쳐서 주사하도록 발생된 레이저비임을 편향시키기 위한편향수단구성되는것을특징으로 하는광전자 전사장치. [청구항 4] 제 1 항에 있어서,상기 광원 수단은 광전자 마스크의 주평면에비스듬히광전자마스크조사하는것을특징으로 하는광전자 전사장치. [청구항 5] 제 1 항에 있어서,더욱이 광전자 비임의 전체방향에 수직하고 또한 통로수단의 가늘고 긴 방향에 수직인 방향으로 상기 가늘고 긴 전극수단에 상대적으로 소정속도로 상기 광전자 마스크 수단에 상기 스테이지 수단을 이동시키기위한 구동수단을 더 구비하여구성되는것을특징으로 하는광전자 전사장치. [청구항 6] 제 5 항에 있어서,상기 구동수단은 광전자 마스크수단과 가속전극 수단사이의 상대속도가 광전자 마스크 수단과 스테이지 수단 사이의 상대속도와 다르도록광전자마스크수단과스테이지수단이동시키는것을특징으로 하는광정자 전사장치. [청구항 7] 제 5 항에 있어서,더욱이 광전자 마스크 수단의 위치를 검출하여 광전자 마스크 수단의 위치를 표시하기 위한 출력신호를 발생하기 위한 스테이지 위치 검출수단, 스테이지 수단의 위치를 검출하여 스테이지 수단의 위치를 표시하는 출력신호를 발생하기 위한 스테이지 위치 검출수단, 상기 마스크 위치 검출수단과 스테이지 위치 검출수단으로부터의 상기 출력신호를 공급받아 광전자 마스크 수단과 스테이지 수단사이의 위치의 편이를 표시하는 출력신호를 발생하기 위한 제어수단, 및 상기 출력신호에 응답하여 광전자 비임을 편향시키기 위한제1편향수단더포함하는것을특징으로 하는광전자 전사장치. [청구항 8] 제 1 항에 있어서,더욱이 상기 가속전극 수단과 스테이지 수단상의 상기 목적물 사이에 상기 광전자 비임에 의한 조사에 응답하여 상기 목적물로부터 방사되는 후향산란된 전자를 검출하여 상기 스테이지 수단에 대해 상기 광전자 마스크수단의 정렬에 있어 편이를 나타내는 제 2 출력신호를 발생하기 위한 후향 산란 전자 검출수단, 및 후향산란 전자검출수단의 상기 제 2 출력신호에 응답하여 광전자 비임을 편향시키기 위한 편향수단을 더 포함하여 광전자 마스크와 스테이지 수단의 정렬에 있어 편이에 대한목적물위의영상의위치의편이교정되는것을특징으로 하는광전자 전사장치. [청구항 9] 제 8 항에 있어서,상기 후향 산란 광전자 검출수단은 광전자 비임에 있어 상기 목적물에 제공되는 위치 기준 마스크수단의 조사에 기초하여편이검출하는것을특징으로 하는광전자 전사장치. [청구항 10] 제 1 항에 있어서,더욱이 상기 광원수단과 상기 가속전극 수단 상호간에 동기하여 이동시키기 위한수단더포함하는것을특징으로 하는광전자 전사장치. [청구항 11] 제 1 항에 있어서,더욱이 광전자 비임이 상기 가속전극수단위에 접속되도록 광전자 비임의 전체 방향에 평행하게 가속전극수단을 이동시키기 위한수단더포함하는것을특징으로 하는광전자 전사장치. [청구항 12] 제 1 항에 있어서,상기 광전자 마스크 수단, 가속전극수단, 및 스테이지 수단은 진공챔버내에 수용되어 있으며, 상기 챔버는 광전자 마스크 수단과 가속전극 수단을 포함하는 제 1 부분과 스테이지 수단을 포함하는 제 2 부분으로 나뉘어져 있고, 상기 챔버의 제1 및 제 2 부분은 제 1 부분의 진공도가 제 2 부분의 진공도와 같거나 또는 더 크도록따로따로진공있는것을특징으로 하는광전자 전사장치. [청구항 13] 제 1 항에 있어서,더욱이 스테이지 수단과 가속전극수단 사이의 중간점에 구비되어 목적물에 도달하는 광전자 비임의 경로를 교정하기 위한부가전극수단더포함하는것을특징으로 하는광전자 전사수단. [청구항 14] 제13항에 있어서,상기 부가 전극수단은 가속전극수단의 방향으로 그리고 그로부터이동가능한것을특징으로 하는광전자 전사장치. [청구항 15] 제13항에 있어서,상기 부가 전극수단은 통로수단을 통과하여 스테이지 수단위의 목적물에 도달하는 광전자 비임을 따라 정렬되는다수의전극구성되는것을특징으로 하는광전자 전사장치. [청구항 23] 제21항에 있어서,식t(x)=(1-x)·t1+x·t2에 따라 이루어지는 것을 특징으로 하는 방법.(단, t(x)는 위치설정 기준 마크의 제 1 세트로 부터 위치설정 기준 마크의 제 2 세트를 향하여거리만큼떨어져있는목적물 위의 한 위치에서 광전자 비임의 최적상태이며, t2는 제 1 위치설정 기준 마크에서 광전자 비임의 최적상태이고, t2는 제 2 위치설정 기준 마크에서 광전자 비임의 최적상태이다.) [청구항 24] 제21항에 있어서,상기 광전자 비임의 상태는 목적물위에광전자비임의위치편이인것을특징으로 하는방법 [청구항 26] 제21항에 있어서,상기 광전자 비임의 상태는 목적물위에광전자비임의접속상태인것을특징으로 하는방법.