반도체집적회로장치 document_id 1019890004000

[청구항 2] 제1항에 있어서,상기 내부 접지전위점에서 상기 입력 및 출력단자의 다른 하나로 전류가 흐르도록 전기적으로 접속된 1방향성 소자또 포함하는반도체 직접회로 장치. [청구항 3] 제2항에 있어서,상기 1방향성 소자는 다이오드형의트랜지스터인반도체 직접회로 장치. [청구항 4] 제2항에 있어서,소자를 서로 분리하고 상기 내부회로의 접지전위점에 접속된 분리영역포함하는반도체 집적회로 장치. [청구항 5] 제2항에 있어서,상기 전압 외부단자에서 상기 내부 동작전압으로 전류를 전달하도록 전기적으로 접속된 1방향성 소자 및 상기 입력 및 출력단자의 적어도 하나에서 상기 내부 동작전압점으로 전류가 흐르도록 전기적으로 접속된 1방향성 소자포함하는반도체 집적회로 장치. [청구항 6] 제5항에 있어서,상기 입력 및 출력단자의 다른 하나에서 상기 내부 동작전압으로 전류를 전달하도록 전기적으로 접속된 1방향성 소자포함하는반도체 집적회로 장치. [청구항 7] 제6항에 있어서,상기 1방향성 소자는 다이오드형의트랜지스터인반도체 집적회로 장치. [청구항 8] 제6항에 있어서,소자를 서로 분리하고 상기 내부회로의 접지전위점에 접속된 분리영역포함하는반도체 집적회로 장치. [청구항 10] 제 9항에 있어서,상기 입력 및 출력단자의 다른 하나에서 상기 내부 동작전압점으로 전류가 흐르도록 전기적으로 접속도니 1방향성 소자포함하는반도체 집적회로 장치. [청구항 11] 제10항에 있어서,상기 1방향성 소자는 다이오드형의트랜지스터인반도체 집적회로 장치. [청구항 13] 제12항에 있어서,상기 트랜지스터의 각각은 mosfet이며, 상기 파워 스위칭 소자는 소오스 플로워인하이 사이드 유도성 부하 구동회로. [청구항 14] 제13항에 있어서,단일 기판상에 직접 회로로서 이루어집며, 상기 파워 mosfet의 드레인에 기판에 있으며, 상기 외부 전압단자 수단이 상기 기판직접 연결되는하이 사이드 유도성 부하 구동회로. [청구항 15] 제12항에 있어서,적어도 상기 파워 트랜지스터의 임계전압보다 큰 값이 부가된 제어전압을 공급하기 위해 상기 파워 트랜지스터의 상기 제어단자와 상기 파워 트랜지스터의 상기 입력단자 사이에 승압수단을 마련하며, 상기 출력단자 수단의 전압이 상기 전압 외부단자 수단에서의입력전압에비해감소되지 않는하이 사이드 유도성 부하 구동회로. [청구항 17] 제16항에 있어서,또 상기 파워mosfet의 턴오프 시간을 비례하여 감소시키기 위해 상기 역기전압이 상기 파워 mosfet의 게이트와 소오스를 교차해서 클램프되어 상기 파워 트랜지스터가 off 될 때, 상기 유도성 부하로부터 상기 역기전압을 클랙핑하기 위해서 상기 유도성 부하의 하이 사이드와 로우 사이도 사이에 접속된 전압 클랙핑 회로포함하는하이 사이도 유도성 부하 구동회로. [청구항 18] 제 17항에 있어서,상기 클랙핑 회로는 접지에서 상기 출력단자 수단으로 전류를 전송하도록 역으로 접속도니 제너다이오드와 직렬로 접속된 다이오드를 포함하고, 클랙핑 전압은 상기 다이오드의 임계전압과 상기 제너다이오드의 제너전압이며, 상기 유도성 부하의 외부 에너지는 파워 mosfet의 스위칭 속도를 증가시키기위해서사용하는하이 사이드 유도성 부하 구동회로. [청구항 20] 제1항에 있어서,상기 1방향성 소자는 외부접지 단자에 공급된 접지전위 이하로 저하하는 상기 입력단자에서의 전위를 따르도록 상기 내부 회로의 접지전위점을 허용하는 것에 의해 적어도 상기 입력 및 출력단자 중의 한 단자에서 상기 동적 전압영역을 증가시키기 위한 수단포함하는반도체 집적회로 장치. [청구항 21] 제12항에 있어서,상기 1방향성 소자는 각 트랜지스터의 베이스와 에미터 단자에 있고, 또 상기 1방향성 트랜지스터 소자의 에미터와 상기 콜렉터 사이에 흐르는 전류는 검출하기 위한 수단을 포함하여 상기 단자의 상대적인 전압값검출하는하이 사이드 유도성 부하 구동회로. [청구항 22] 제12항에 있어서,단일 반도체 칩상에 집적되고, 부가한 1방향성 소자를 통해서 상기 외부 접지단자 수단에 접속되어 있는 분리된 2개의 독립 내부접지점을 갖는 부가 능동 구성을 포함하여, 적어도 상기 1개의 입력 및 출력단자에 있어서 부전압의 범주밖에 제2의 내부회로의 접지전위존재하도록 하는하이 사이도 유도성 부하 구동회로. [청구항 23] 제12항에 있어서,단일 기판상에 집적된 회로로서 전체가 형성되고, 상기 파워 트랜지스터는 소오그 플로워 구조의 mosfet이며, 상기 기판은 n형이고, 상기 파워 mosfet의 상기 드레인 영역을 형성하고 상기 외부 전압단자 수단에 직접 접속되며, p형 영역이 상기 파워 mosfet의 상기 채널영역으로서의 상기 기판내에 형성되며, n형 소오스 영역이 상기 p형 채널영역으로 형성되며, p형 분리영역은 상기 기판내에 형성되고 상기 파워 mosfet에서 분리되며, n형 및 p형 영역은 상기 1방향성 소자를 구성하기 위해 상기 분리영역내에 형성되며, 큰 기생 다이오드는 상기 p형 분리영역과 상기 n형 기판 사이에 형성되며, 상기 p형 분리영역은 전원과 접지원의 반전이 상기 기생 다이오드를 통한 많은 전류의 흐름을 억제하도록 상기 p형 분리영역내에 형성된 상기 1방향성 소자만을 통해서 상기 외부 접지단자 수단접속되는하이 사이드 유도성 부하 구동회로. [청구항 24] 제 21항에 있어서,상기 회로의 접지저이 상기 분리p형 영역직접 접속된하이 사이드 유도성 부하 구동회로. [청구항 25] 제22항에 있어서,또 상기p형 분리영역내에 n형 분리영역을 포함하고, 그 안에 능동회로 소자를 가지며, 상기 p형 분리영역과 n형 분리영역은 내부회로의 접지전위에 직접 접속되어 상기 n형 기판, p형 분리영역과 n형 분리영역 사이에기생 트랜지스터형성되는것을방지하는하이 사이드 유도성 부하 구동회로 [청구항 27] 제26항에 있어서,단일 기판위에 상기 입력회로 수단을 제외하고 전체가 집적회로구성되는하이 사이도 유도성 부하 구동회로. [청구항 28] 제27항에 있어서,상기 유도성 부하의 턴오프가 상기 출력전압이 접지전압에 미치지 못하는 경우, 상기 제너 다이오드의 항복전압에 의해 상기 제1및 제2의 제어 트랜지스터의 파괴를 방지하기 위해, 상기 제1의 제어 트랜지스터 수단의 사이 제어단자와 상기 출력단자 사이의 제너 다이오드 및 상기 제2의 제어 트랜지스터 수단의 상기 제어단자와 출력단자 사이의 제너 다이오들포함하는하이 사이도 유도성 부하 구동회로. [청구항 29] 제28항에 있어서,상기제1의 제어 트랜지스터의 상기 제어단자와 상기 입력회로 수단 사이에 역으로 공급되는 전류로부터 상기 출력단자 수단에서의 고전압을 방지하기위한 다이오드 수단포함하는하이 사이드 유도성 부하 구동회로. [청구항 30] 제29항에 있어서,의 제어 트랜지스터가 off될 경우, 제어단자 드래인에 전압을 공급하기 위해 상기 제1의 제어 트랜지스터 수단의 상기 제너 다이오드에 병렬로 접속된 저항포함하는하이 사이드 유도성 부하 구동회로. [청구항 31] 제26항에 있어서,또 상기 유도성 부하의 턴오프가 상기 출력전압이 접지전압에 미치지 못하는 경우, 제너 다이오드의 상기 항복전압에 의해 상기 제1및 제2의 제어 트랜지스터의 파괴를 방지하기 위해 상기 제1의 제어 트랜지스터 수단의 상기 제어단자와 상기 출력단자 사이의 제너 다이오드 및 상기 제2의 제어 트랜지스터 수단의 상기 제어단자와 상기 출력단자 사이의 제너다이오드포함하는하이 사이드 유도성 부하 구동회로. [청구항 37] 제36항에 있어서,상기 출력트랜지스터는 n채널형의 파워 mosfet이고, 상기 출력 트랜지스터의 상기 전류경로는 상기 파워 mosfet의 소오스-드래인 경로이고, 상기 출력 트랜지스터의 상기 제어단자는 상기 파워 mosfet의게이트인반도체 집접회로 장치, [청구항 38] 제37항에 있어서,상기 결합수단은 다이오드포함하는반도체 집적회로 장치. [청구항 39] 제38항에 있어서,상기 반도체 기판은 상기 다이오드가 형성하는 분리영역을 포함하고 상기 제2노드는상기분리영역에의해서구성되는반도체 집적회로 장치. [청구항 40] 제37항에 있어서,수단은 다이오드포함하는반도체 집적회로 장치. [청구항 41] 제37항에 있어서,상기 결합수단은 다이오드를 포함하고, 상기 귀한수단은 다이오드포함하는반도체 집적회로 장치. [청구항 42] 제37항에 있어서,상기 제1단자와 상기 제1노드 사이에 결합된 승압회로를 포함하고, 상기 제어회로는 상기 입력번호에 응답해서 상기 파워 mosfet의 게이트에 상기 구동신호러서 상기 승압회로에 의해 승압된 승압전압공급하는반도체 집적회로 장치, [청구항 44] 제43항에 있어서,상기 반도체 집적회로 장치는 또, 상기 제1외부 단자와 상기 제1노드 사이에 결합된 승압회로를 포함하고, 상기 제어회로는 상기 제어회로는 상기 입력신호에 응답해서 상기 파워 mosfet의 게이트에 상기 구동신호로서 상기 승압회로에 의해 승압된 승압전압공급하는구동 시스템. [청구항 45] 제44항에 있어서,상기 파워mosfet는 n채널형이고, 상기 제2전원전압은 접지전위이고, 상기 용량성 부하소자가 역기전압을 발생할 때, 상기 출력단자 상의 전압은 상기 접지전위이하로 되는구동 시스템. [청구항 46] 제44항에 있어서,상기 결합수단은다이오드인구동 시스템. [청구항 47] 제43항에 있어서,상기 용량성 부하소자는 자동차에 탑재된 모터솔레노이드인구동 시스템. [청구항 48] 제43항에 있어서,상기 용량성 부하소자는자동차의전자연료 분사장치위한솔레노이드인구동 시스템.