반도체 집적회로장치 및 마스터 슬라이스 방법을 이용한 반도체 집적회로장치의 제조방법 document_id 1019890005315

[청구항 1] 그 위에 배치되는 다수의 기본셀(1,204,205)을 포함하며, 각각이 제1방향(y) 및 상기 제1방향에 수직인 제2방향(x)을 따라 뻗어있는 다수의 배선 채널을 구비하며 그리고 상기 제2방향에 평행하게 뻗어 있는 1쌍의 전극(2,3) 상기 전극의 중앙부에 대응하는 영역에 형성되는 분리영역(10) 상기 제1방향에 대해 상기 분리영역의 일측위에 형성되며, 각각 상기 제2방향에 대해 상기 전극의 일측, 그것의 다른측 및 그들 사이에 형성되는 제1,제2 및 제3영역(4,5,6)을 구비하는 p형 불순물영역 상기 분리영역의 다른 측 위에 형성되며 각각 상기 제2방향에 대해 상기 전극의 일측, 그것의 다른측 및 그들 사이에 형성되는 제4,제5 및 제6영역(7,9,8)을 구비하는 n형 불순물 영역 및 상기 1쌍 전극의 일부분에 의해 형성되며, 그것의 각 단부에 형성되는 4리두부(11 내지 14)와 그것의 각 중앙부에 형성되는 2리드부(15,16)을 구비하는 6리드부,를 포함하는 마스터 칩(203) 상기 마스터칩 위에 형성되며, 상기 배선채널 위에 위치되고 상기 4단부 리드부와 상기 p형 및 n형 불순물 영역에 전기적으로 접속되는 콘택트 호울을 구비하는 제1절연층 상기 제1절연층 위에 형성되며, 상기 배선채널에 따라 형성되고 상기 콘택트 호울에 전기적으로 연결되는 고정배선을 포함하는 제1배선층 상기 제1배선층 위에 형성되며, 상기 배선채널 위에 위치되고 상기 고정 배선에 전기적으로 연결되는 스루호울 을 구비되는 제2절연층 및 상기 제2절연층 위에 형성되며, 소정회로의 요구조건에 따라 상기 배선채널을 따라 프로그램되고 상기 스루호울에 전기적으로 연결되는 배선을 구비하는 제2배선층으로 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로장치 [청구항 2] 제1항에 있어서,상기 제1방향을 따라 평행하게 배치된 1쌍의 기본셀은 상기 소정회로가 형성되는기본블록구성하는것을특징으로 하는반도체 집적회로장치. [청구항 3] 제2항에 있어서,상기 기본셀 각각은 그들 사이에 일정 간격을 두고 상기 제2방향을 따라 평행하게 뻗어있는 적어도 3배선 채널(cy1 내지 cy3)과 그들 사이에 일정간격을 두고 상기 제1방향을 따라 평행하게 뻗어 있는 14배선채널(cy1내지포함하는것을특징으로 하는반도체 집적회로장치. [청구항 4] 제2항에 있어서,상기 기본셀 각각은 그들 사이에 일정 간격은 두고 상기 제2방향을 따라 평행하게 뻗어있는 적어도 3배선 채널(cy1 내지 cy3)과 그들 사이에 일정 간격을 두고 상기 제1방향을 따라 평행하게 뻗어 있는 16배선채널(cy1내지포함하는것을특징으로 하는반도체 집적회로장치. [청구항 5] 제3항에 있어서,더욱이 상기 제1방향을 따라 배치된 인접한 기본셀 사이에 상기 제2방향을 따라 뻗어 있는 적어도 하나의 셀-투-셀 배선채널(bcx1내지더포함하는것을특징으로 하는반도체 집적회로장치. [청구항 6] 제4항에 있어서,더욱이 상기 제1방향을 따라 배치된 인접한 기본셀 사이에 있는 영역에 상기 제2방향을따라 뻗어 있는 적어도 하나의 셀-투-셀 배선채널(bcx1내지더포함하는것을특징으로 하는반도체 집적회로장치. [청구항 7] 제3항에 있어서,상기 제1절연층은 상기 4단부 리드부와 상기 제1내지 제6불순물영역에 대응하는 각 영역에 있는 적어도 하나의 콘택트호울(17 내지 26)을 포함하며, 상기 제2절연층은 : 상기 4단부 리드부에 대응하는 각 영역에 있는 적어도 하나의 스루 호울(27 내지 30); 상기 제1,제2,제4 및 제5불순물 영역에 대응하는 각 영역에 있는 적어도3스루 호울(31 내지 33); 및 상기 분리영역에 대응하는 영역에 있는 적어도 4스루 호울(34 내지 37)을 포함하며; 그리고상기 제1배선층은; 각각이 상기 4단부 리드부에 대응하는 각 영역에 있는 스루 호울에 콘택트 호울을 연결하는 배선(38);각각이 상기 제1 및 제2불순물 영역에 대응하는 각 영역사이와 상기 제4 및 제5불순물영역에 대응하는 각 영역 사이에 있는 1쌍의 스루 호울을 각각 연결하는 배선(39); 각각이 상기 제1 및 제2불순물 영역에 대응하는 각 영역사이와 상기 제4및 제5불순물 영역에 대응하는 각 영역 사이에 있는 다른쌍의 스루호울을 각각 연결하며, 상기 14배선 채널중 하나를 따라 뻗어 있고 주로 전원라인으로 역할을 하는 배선(40); 각각이 상기 제1,제2,제4 및 제5불순물 영역에 대응하는 영역에있는 스루호울에 콘택트호울을 연결하는 배선(41); 각각이 상기 분리 영역에 대응하는 영역에 있는 대응하는 스루호울에, 각각 상기 제3 및 제6불순물 영역에 대응하는 각 영역에 있는 콘택트호울을 연결하는 배선(42); 및 각각이 다른 기본셀에 포함하는 분리영역에 대응하는 각 영역에 구비된 대응하는 스루호울에, 상기 분리영역에 대응하는 영역에 있는 다른 스루호울을연결하는배선포함하는것을특징으로 하는반도체 집적회로장치. [청구항 8] 제5항에 있어서,상기 제1절연층은 상기 4단부 리드부와 상기 제1,제2,제4 및 제5불순물 영역에 대응하는각 영역에 있는 적어도 하나의 콘택트호울(44 내지 49)과 상기 제3 및 제6불순물 영역에 대응하는 각 영역에 있는 적어도2콘택트호울(50,51)을 포함하며; 상기 제2절연층은; 상기 4단부 리드부에 대응하는 각 영역에 있는 적어도 하나의 스루호울(52,53); 상기 제1 및 제2불순물 영역중 하나와 상기 제4 및 제5불순물 영역중에 하나에 대응하는 각 영역에 있는 적어도 3스루호울(54 내지 56); 상기 제1 및 제2 불순물 영역의 다른것과 상기 제4 및 제5불순물 영역의 다른 것에 대응하는각 영역에 있는 적어도 2스루호울(57,58); 상기 분리영역에 대응하는 영역에 있는 적어도 2스루호울(59,68); 및 상기 셀-투-셀 배선채널에 대응하는 영역에 있는 적어도 2스루호울(61,62)을 포함하며; 그리고 상기 제1배선층은; 각각이 상기 4단부 리드부에 대응하는 각 영역에 있는 스루호울에 콘택트호울을 연결하는 배선(63); 각각이 상기 제1 및 제2불순물 영역중 하나와 상기 제4 및 제5불순물 영역중 하나에 대응하는 각 영역에 있는 대응하는 스루호울에, 각각 상기 제3 및 제6불순물 영역에 대응하는 각 영역에 콘택트호울에 연결하는 배선(64); 각각이 상기 제1,제2불순물 영역에 대응하는 각 영역사이와 상기 제4,제5불순물 영역사이에 있는 1쌍의 스루호울을 각각 연결하며, 상기 14배선 채널중 하나를 따라 뻗어있고 주로 전원라인으로서 역할을 하는 배선(65); 각각이 상기 제1,제2,제4 및 제5불순물 영역에 대응하는 각 영역에 있는 스루호울에 콘택트 호울을 연결하는 배선(66,67); 각각이 상기 분리영역에 대응하는 영역에 있는 대응하는 스루호울에, 각각 상기 제3 및 제6불순물 영역에 대응하는 각 영역에 있는 콘택트호울을 연결하는 배선(68); 및 각각이 상기 셀-투-셀 배선 채널에 대응하는 영역에 구비된 상기 2스루호울을 연결하는배선포함하는것을특징으로 하는반도체 집적회로장치. [청구항 9] 제5항에 있어서,상기 제1절연층은 상기 4단부 리드부와 상기 제1,제2,제4 및 제5불순물 영역에 대응하는각 영역에 있는 적어도 하나의 콘택트호울(70 내지 72)과, 제3 및 제6불순물 영역에 대응하는 각 영역에 있는 적어도 2콘택트호울(73,74)을 포함하며, 상기 제2절연층은; 상기 제4단부 리드부에 대응하는 각 영역에 있는 적어도 1스루호울(75);상기 제1 및 제2불순물 영역중 하나와 상기 제4 및 제5불순물 영역중 하나에 대응하는 각 영역에 있는 적어도 3스루호울(76 내지 78); 상기 제1 및 제2불순물 영역중 다른 것과 상기 제4 및 제5불순물 영역중 다른 것에 대응하는 각 영역에 있는 적어도 2스루호울(79,80); 상기 분리영역에 대응하는 영역에 있는 적어도 2스루호울(81,82); 및 상기 셀-투-셀 배선채널에 대응하는 영역에 있는 적어도 4스루호울(83 내지 86)을 포함하고; 그리고 상기 제1배선층은 각각 상기 4단부 리드부에 대응하는 각 영역에 있는 스루호울에 콘택트호울을 연결하는 배선(87); 각각이 상기 제1 및 제2불순물 영역중 하나와상기 제4 및 제5불순물 영역중 하나에 대응하는 각 영역에 있는 대응하는 스루호울에, 각각 제3 및 제6불순물 영역에 대응하는 각 영역에 있는 콘택트 호울을 연결하는 배선(88); 각각이 상기 제1 및 제2불순물 영역에 대응하는 각 영역 사이와상기 제4 및 제5불순물 영역에 대응하는 각 영역사이의 1쌍의 스루호울을 각각 연결하며 상기 14배선 채널중 하나를 따라뻗어있으며 주로 전원라인으로서 역할을 하는 배선(89); 각각이 상기 제1,제2,제4 및 제5불순물 영역에 대응하는 각 영역에 있는 스루호울에 콘택트호울을 연결하는 배선(90); 각각이 상기 분리 영역에 대응하는 영역에 있는 대응하는 스루호울에, 각각 상기 제3 및 제6불순물 영역에 대응하는 각 영역에 있는 콘택트호울을 연결하는 배선(91); 및 상기 전원라인과접촉하지 않도록 상기 셀-투-셀 배선채널에 대응하는 영역에 구비된 각 스루호울을 단속적으로 연결하는배선포함하는것을특징으로 하는반도체 집적회로장치. [청구항 10] 제6항에 있어서,상기 제1절연층은 상기 4단부 리드부와 상기 제1,제2,제4 및 제5불순물 영역에 대응하는각 영역에 있는 적어도 1콘택트호울(93 내지 95)과 상기 제3 및 제6불순물 영역에 대응하는 각 영역에 있는 적어도 2콘택트호울(96,97)을 포함하며; 상기 제2절연층은; 상기 4단부 리드부에 대응하는 각 영역에 있는 적어도 1스루호울(98); 상기 제1 및 제2 불순물 영역중 하나와 상기 제4 및 제5불순물 영역중 하나에 대응하는 각 영역에 있는 적어도 3스루호울(99 내지 101); 상기 제1 및 제2불순물 영역의 다른것과 상기 제4 및 제5불순물 영역의 다른것에 대응하는 각 영역에 있는 적어도 2스루호울(102,103) 상기 분리영역에 대응하는 영역에 있는 적어도 2스루호울(104,105); 및 상기 셀-투-셀 배선채널에 대응하는 영역에 있는 적어도 4스루호울(106 내지 109)을 포함하며; 그리고 상기 제1배선층은; 각각 상기 4단부리드부에 대응하는 각 영역에 있는 스루호울에 콘택트호울을 연결하는 배선(110); 각각이 상기 제1 및 제2불순물 영역중하나와 상기 제4 및 제5불순물 영역중 하나에 대응하는 각 영역에 있는 대응하는 스루호울에, 각각 상기 제3 및 제6불순물 영역에 대응하는 각 영역에 있는 콘택트불순물을 연결하는 배선(111); 각각이 상기 제1 및 제2불순물 영역에 대응하는각 영역사이와 상기 제4 및 제5불순물 영역사이의 1쌍의 스루호울을 각각 연결하며, 상기 16배선채널중 하나를 따라 뻗어있고 주로 전원라인 역할을 하는 배선(112); 각각이 상기 제1,제2,제4 및 제5불순물 영역에 대응하는 각 영역에 있는 스루호울에 콘택트호울을 연결하는 배선(113,114); 각각이 상기 분리 영역에 대응하는 영역에 있는 대응하는 스루호울에 각각 상기 제3 및 제6불순물 영역에 대응하는 각 영역에 있는 콘택트호울을 연결하는 배선(115); 및 상기 전원라인과 접촉하지 않도록 상기 셀-투-셀 배선채널에 대응하는 영역에 구비된 각 스루호울을 단속적으로 연결하는배선포함하는것을특징으로 하는반도체 집적회로장치. [청구항 11] 제5항에 있어서,상게 제1절연층은 상기 4단부 리드부와 상기 제1 내지 제6불순물 영역에 대응하는 각 영역에 있는 적어도 1콘택트호울(177 내지 120)을 포함하며; 상기 제2절연층은; 상기 4단부 리드와 상기 제3 및 제6불순물영역에 대응하는 각 영역에 있는 적어도 1스루호울(121); 상기 제1,제2,제4 및 제5불순물 영역에 대응하는 각 영역에 있는 적어도 2스루호울(122 내지 125); 각 분리 영역에 대응하는 영역에 는 적어도 2스루호울(126,127); 및 상기 셀-투-셀 배선채널에 대응하는 영역에 있는 적어도 4스루호울(124 내지 131)을 포함하며, 그리고 상기 제1배선층은; 각가 상기4단부 리드부에 대응하는 각 영역에 있는 스루호울에 콘택트호울을 연결하는 배선(132); 각각이 상기 제1 및 제2불순물영역에 대응하는 각 영역사이와 상기 제4 및 제5불순물 영역에 대응하는 각 영역사이의 1쌍의 스루호울을 각각 연결하며,상기 14배선 채널중 하나를 따라 뻗어 있고 주로 전원라인으로서 역할을 하는 배선(133); 각각이 상기 제1,제2,제4 및 제5불순물 영역에 대응하는 각 영역에 있는 스루호울에 콘택트호울을 연결하는 배선(134,135); 각각이 상기 분리 영역에 대응하는 영역에 있는 대응하는 스루호울에, 각각 상기 제3 및 제6불순물 영역에 대응하는 각 영역에 있는 콘텍트 호울을 연결하는 배선(136); 및 각각이 상기 전원 라인과 접촉하지 않도록 상기 셀~투~셀 배선채널에 대응하는 영역에 구비된 각 스루 호울을 단속적으로연결하는배선포함하는것을특징으로 하는반도체 집적회로장치. [청구항 12] 제1항에 있어서,상기 기본셀 각각은 상기 소정회로가 형성되는 기본블록(b2)을 구성하며, 그들 사이에일정한 간격을 두고 상기 제2방향을 따라 평행하게 뻗어 있는 3배선 채널(cx1 내지 cy14)과 그들 사이에 일정한 간격을 두고 상기 제1방향을 따라 평행하게 뻗어 있는 14배선 채널(cy1내지포함하는것을특징으로 하는반도체집적회로장치. [청구항 13] 제12항에 있어서,더욱이 상기 제1방향을 따라 배치된 인접 기본셀 사이의 영역에 상기 제2방향을 따라뻗어 있는 적어도 하나의 셀-투-셀배선채널더포함하는것을특징으로 하는반도체 집적 회로장치. [청구항 14] 제13항에 있어서,상기 제1절연층은 상기 4단부 리드부 및 상기 제1 내지 제6불순물 영역에 대응하는 각영역에 적어도 1콘택트호울(138 내지 141)을 포함하며; 상기 제2절연층은; 상기 4단부 리드부에 대응하는 각 영역에 적어도 1스루호울(142); 상기 제1 내지 제6불순물 영역에 대응하는 각 영역에 적어도 2스루호루(143 내지 146); 및 상기 셀-투-셀 배선채널에 대응하는 영역에 적어도 4스루호울(147 내지 150)을 포함하며, 그리고 상기 제1배선층은; 각각 상기 4단부 리드부에 대응하는 각 영역에서 스루호울에 콘택트호울을 연결하는 배선(151); 각각 상기 제1 및 제2불순물 영역에대응하는 각 영역사이와 상기 제4 및 제5불순물 영역에 대응하는 각 영역사이의 1쌍의 스루호울을 각각 연결하며, 상기14배선 채널중 하나를 따라 뻗어 있고 주로 전원라인 역할을 하는 배선(152); 각각 상기 제1내지 제6불순물 영역에 대응하는 각 영역에서 스루호울에 콘택트호울을 연결하는 배선(153 내지 155); 상기 제6분술물 영역에 대응하는 영역에서 대응하는 스루호울에 상기 제3불순물 영역에 대응하는 영역에 있는 스루호울을 연결하는 일배선(156); 및 각각 상기 전원라인과 접촉하지 않도록 상기 셀-투-셀 배선채널에 대응하는 영역에 구비된 각 스루호울을 단속적으로 연결하는배선포함하는것을특징으로 하는반도체 집적회로장치. [청구항 15] 제14항에 있어서,상기 전원라인에 사용된 배선은 상기 1방향을 따라 형성되고, 다른 배선은 상기 제2방향을 따라형성되는것을특징으로 하는반도체 집적회로장치. [청구항 16] 그 위에 배치되는 다수의 기본셀 어레이(206)을 구비하는 기본셀 영역(201), 및 상기 기본셀 영역의 주변을 따라 배치되 다수의 입력/출력셀(207)을 구비하는 입력/출력 셀 영역(202)을 포함하는 마스터 칩(203) 소정위치에 콘택트호울을 구비하는 제1절연층을 통하여 상기 기본셀영역과 상기 입력/출력 셀 영역위에 형성되는 제1 배선층 및 소정위치에 스루 호울을 구비하는 제2 절연층을 통하여 상기 제 1 배선층위에 형성되는 제2배선층을 구성하며, 상기 제1배선층은 상기 입력/출력 셀 영역에 대응하는 영역에 고정배선(la)을 포함하며, 그리고 상기 제2배선층은 상기 입력/출력 셀 영역에 대응하는 영역에 상기입력/출력 셀 영역에 인가되는 소정회로의 조건에 따라 프로그램되는 배선(lb)을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로장치 [청구항 17] 그 위에 배치되는 다수의 기본셀 어레이(206)를 구비하며 그들 사이에 일정한 간격을 두고 제1방향(y)을따라 뻗어 있는 기본셀 영역(201), 및 상기 기본셀 영역의 주변을 따라 배치된 다수의 입력/출력 셀(207)을 구비하는 입력/출력 셀 영역(202)을 포함하는 마스터 칩(203) 소정위치에 콘택트호울을 구비하는 제1절연층을 통하여 상기 기본 셀영역과 상기 입력/출력 셀 영역위에 형성되는 제1배선층 및 소정 위치에 스루호울을 구비하는 제2절연층을 통하여 상기제1배선층위에 형성되는 제2배선층으로 구성되며 상기 제1배선층은 상기 기본셀 영역에 대응하는 영역에 고정 배선(508)및 소정 배선 패턴을 구비하며 상기 기본셀 어레이 각각에서 상기 제1방향을 따라 배치된 인접한 기본셀(204,205) 사이에형성되는 바이패스 배선 영역(240)을 포함하며, 상기 제2배선층은 상기 기본셀 영역에 대응하는 영역에서 상기 기본셀 영역에 인가되는 소정회로의 조건에 따라 프로그램되는 배선(507)을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로장치 [청구항 18] 제17항에 있어서,상기 제1배선 영역은 소정 배선 패턴을 구비하며 상기 기본 셀 어레이의 각각에서 상기제1방향에 수직인 제2방향(x)을 따라 배치된 인접한 기본셀(204,205) 사이에 상기 제1방향을 따라 뻗어 있는 셀-투-셀배선영역포함하는것을특징으로 하는반도체 집적회로장치. [청구항 19] 제18항에 있어서,상기 셀-투-셀 배선영역(230)은 다수의 단 배선을 포함하는 단 배선영역(230a) 및 다수의 장배선을 포함하는 장배선영역(230b)으로 구성되며, 상기 다수의 단 배선은 상기 제2방향을 따라 뻗어 있으며, 상기제2방향으로 따라 배치된 인접한 기본셀(204,205) 사이에 다수의 부분으로 분할되어 있고 상기 제1방향으로 소정 간격을두고 배치되어 있으며, 그리고 상기 다수의 장 배선은 상기 제2방향을 따라 배치된 인접한 바이패스 배선영역(240) 사이에 상기 제2방향을 따라 연속하여 뻗어 있으며, 그것의 수는 상기 바이패스 배선영역의 수와 동일하고, 그들 각각은 그것의 단부 부분이 상기 바이패스 배선 영역에 있는 각 배선의 단부 부분과 마주보여 상기 기본셀의 단부 부분으로부터내부적형성되는것을특징으로 하는반도체 집적회로장치. [청구항 21] 제20항에 있어서,상기 배선채널영역(208)은 소정 길이의 다수의 배선(208a)을 포함하며, 상기 다수의 배선은 상기 제2방향을 따라 뻗어 있으며, 상기 제2방향을 따라 다수의 부분으로 분할되어 있고, 상기 제1방향으로 비 접속상태로소정 간격배치되어있는것을특징으로 하는반도체 집적회로장치.