플라즈마 처리 장치 document_id 1019890008803

[청구항 3] 제1항에 있어서,상기 시료(7)의 상방에 그 시료(7)와 평행하게 대향전극(16,17)을 구비하고 상기 시료대(8), 대향전극의 한쪽 또는 양쪽에 전원을 접속하고 그 시료(7)에전계인가하는것을특징으로 하는플라즈마 처리장치. [청구항 4] 제2항에 있어서,상기 시료(7)의 상방에 그 시료(7)와 평행하게 대향전극(16,17)을 구비하고 상기 시료대(8), 대칭전극의 한쪽 또는 양쪽에 전원을 접속하고 그 시료(7)에전계인가하는것을특징으로 하는플라즈마 처리장치. [청구항 5] 제3항에 있어서,상기 대향전극(16,17)대신, 시료(7)상방의시료실벽을대향전극사용하는것을특징으로 하는플라즈마 처리장치. [청구항 6] 제4항에 있어서,상기 대향전극(16,17)대신, 시료(7)상방의시료실벽을대향전극사용하는것을특징으로 하는플라즈마 처리장치. [청구항 7] 제1항에 있어서,상기 자장발생수단(11)이 철심이 있는자장발생수단인것을특징으로 하는플라즈마 처리장치. [청구항 8] 제2항에 있어서,상기 자장발생수단(11)이 철심이 있는자장발생수단인것을특징으로 하는플라즈마 처리장치. [청구항 9] 제1항에 있어서,상기 자장발생수단(11)과는 별도로 자계분포를 제어하는 보조 자장 발생 수단(11a)이복수개구비되어있는것을특징으로 하는플라즈마 처리장치. [청구항 10] 제2항에 있어서,상기 자장발생수단(11)과는 별도로 자계분포를 제어하는 보조 자장 발생 수단(11a)이복수개구비되어있는것을특징으로 하는플라즈마 처리장치. [청구항 11] 제1항에 있어서,상기 자장발생수단(11)에자성재커버설치한것을특징으로 하는플라즈마 처리장치. [청구항 12] 제2항에 있어서,상기 자장발생수단(11)에자성재커버설치한것을특징으로 하는플라즈마 처리장치. [청구항 13] 제1항에 있어서,상기 마이크로파 도입수단(5)을 상기 시료대(8)의 폭방향으로적어도1단설치한것을특징으로 하는플라즈마 처리장치. [청구항 14] 제2항에 있어서,상기 마이크로파 도입수단(5)을 상기 시료대(8)의 폭방향으로적어도1단설치한것을특징으로 하는플라즈마 처리장치. [청구항 17] 제15항에 있어서,상기 시료대(8)는 상기 시료실(6)의 중앙에 설치되고 시료(7a,7b)를 시료대(8)의양면유지되도록한것을특징으로 하는플라즈마 처리장치. [청구항 18] 제16항에 있어서,상기 시료대(8)는 상기 시료실(6)의 중앙에 설치되고 시료(7a,7b)를 시료대(8)의양면유지되도록한것을특징으로 하는플라즈마 처리장치. [청구항 19] 제15항에 있어서,상기 시료대(8)는 자장방향의 상기 시료실(6)의 측벽에 복수매대향설치한것을특징으로 하는플라즈마 처리장치. [청구항 20] 제16항에 있어서,상기 시료대(8)는 자장방향의 상기 시료실(6)의 벽측에 복수매대향설치한것을특징으로 하는플라즈마 처리장치. [청구항 21] 제15항에 있어서,상기 자장발생수단(11a,11b)은 시료대(8)의 양면방향으로 분할하여 설치하고미러자장배위로한것을특징으로 하는플라즈마 처리장치. [청구항 22] 제16항에 있어서,상기 자장발생수단(11a,11b)은 시료대(8)의 양면방향으로 분할하여 설치하고미러자장배위로하는것을특징으로 하는플라즈마 처리장치. [청구항 23] 제15항에 있어서,상기 자장발생수단(11a,11b)은 시료대(8)의 양면방향으로 분할하여 설치하고커프스자장배위로한것을특징으로 하는플라즈마 처리장치. [청구항 24] 제16항에 있어서,상기 자장발생수단(11a,11b)은 시료대(8)의 양면방향으로 분할하여 설치하고커프스자장배위로한것을특징으로 하는플라즈마 처리장치. [청구항 25] 제15항에 있어서,상기 시료대(8) 또는 (7a,7b)에 교류 또는 직류를 인가하는 경우, 그 시료(7a,7b)의 면과 대향하는 측에 각각 그면과 평행하게대향전극설치한것을특징으로 하는플라즈마 처리장치. [청구항 26] 제16항에 있어서,상기 시료대(8) 또는 (7a,7b)에 교류 또는 직류를 인가하는 경우, 그 시료(7a,7b)의 면과 대향하는 측에 각각 그면과 평행하게대향전극설치한것을특징으로 하는플라즈마 처리장치. [청구항 27] 제15항에 있어서,상기 마이크로파 도입수단(5)을 상기 시료대(8)의 두께방향으로복수단설치한것을특징으로 하는플라즈마 처리장치. [청구항 28] 제16항에 있어서,상기 마이크로파 도입수단(5)을 상기 시료대(8)의 두께방향으로복수단설치한것을특징으로 하는플라즈마 처리장치. [청구항 29] 제27항에 있어서,상기 마이크로파 도입수단(5)을 상기 시료대(8)의 폭방향으로복수단설치한것을특징으로 하는플라즈마 처리장치. [청구항 30] 제28항에 있어서,상기 마이크로파 도입수단(5)을 상기 시료대(8)의 폭방향으로복수단설치한것을특징으로 하는플라즈마 처리장치. [청구항 31] 제15항에 있어서,상기 자장발생수단(11a,11b)에 철심이 있는코일사용하는것을특징으로 하는플라즈마 처리장치. [청구항 32] 제16항에 있어서,상기 자장발생수단(11a,11b)에 철심이 있는코일사용하는것을특징으로 하는플라즈마 처리장치. [청구항 33] 제15항에 있어서,상기 자장발생수단(11a,11b)에자성재커버설치한것을특징으로 하는플라즈마 처리장치. [청구항 34] 제16항에 있어서,상기 자장발생수단(11a,11b)에자성재커버설치한것을특징으로 하는플라즈마 처리장치. [청구항 35] 제25항에 있어서,상기 대향전극(16)중 시료실(6)측의 것을 복수개로 분할하여 인가전위를 변화시킬 수 있도록 한 것특징으로 하는플라즈마 처리장치. [청구항 36] 제26항에 있어서,상기 대향전극(16)중 시료실(6)측의 것을 복수개로 분할하여 인가전위를 변화시킬 수 있도록 한 것특징으로 하는플라즈마 처리장치. [청구항 37] 제15항에 있어서,상기 자장발생수단(11a,11b)에보조자장발생수단사용한것을특징으로 하는플라즈마 처리장치. [청구항 38] 제16항에 있어서,상기 자장발생수단(11a,11b)에보조자장발생수단사용한것을특징으로 하는플라즈마 처리장치.