문맥 (context)
[청구항 2]
제 1항에 있어서,상기 제 2측벽 절연체층은 햐향 연재되어 이 층의 하단이상기반도체물질의제2층의상단면종단되는것을특징으로 하는수직 바이폴라 트랜지스터..
[청구항 3]
제 2항에 있어서,상기 제 1측벽 절연체층은 하향 연재되어 이 층의 하단이상기반도체물질의제1층의상단종단되는것을특징으로 하는수직 바이폴라 트랜지스터.
[청구항 4]
제 3항에 있어서,상기제1 및 제2 측벽 절연체층은상기에미터층의대향측상배치되는것을특징으로 하는수직 바이폴라 트랜지스터.
[청구항 5]
제 1항에 있어서,상기 에미터층상에 배치되며 단지 하나 이상의 절연체층에 의해 상기 콜렉터 접촉부에서 분리된에미터접촉접속부존재하는것을특징으로 하는수직 바이폴라 트랜지스터.
[청구항 6]
제 1항에 있어서,상기 에미터층상에1미크론이하의폭갖는것을특징으로 하는수직 바이폴라 트랜지스터.
[청구항 7]
제 1항에 있어서,상기 서브 콜렉터층은 최소한 n+농도로 도핑되며, 상기 콜렉터층은 n농도로 도핑되며, 상기 베이스층은 p농도로 도핑되며, 상기 에미터층은 n+농도로 도핑되며, 상기 제 1층은 p+농도로 도핑되며, 상기 제 2층은 n++농도도핑되는것을특징으로 하는수직 바이폴라 트랜지스터.
[청구항 8]
제 1항에 있어서,상게 제 1층의 상단nan면은상기제2층의상단면상배치되는것을특징으로 하는수직 바이폴라 트랜지스터.
[청구항 10]
제 10항에 있어서,상기 콜렉터 접촉 연재층의 상단면은상기베이스접촉연재층의상단면아래위치되는것을특징으로 하는 바이폴라 트랜지스터.
[청구항 11]
제 10항에 있어서,상기 베이스 접촉 연재층은 상기 베이스층과 측방향 접촉하며, 상기 콜렉터 접촉 연재층은 상기 콜렉터 층의 하단면접촉하는것을특징으로 하는 바이폴라 트랜지스터.
[청구항 12]
제 11항에 있어서,측은 상기 한측과상기에미터층의내향측상위치되는것을특징으로 하는 바이폴라 트랜지스터.
[청구항 13]
제 12항에 있어서,상기 베이스 접촉 연재층의 하단면은상기콜렉터접촉연재층의상단면상위치되는것을특징으로 하는 바이폴라 트랜지스터.
[청구항 14]
제 9항에 있어서,상기제1 및 제2 측벽 절연체층은 상기 베이스 층에 인접한 엣지를 따라 배치된 베이스 도펀트와 동일한도전형의도펀트농도포함하는것을특징으로 하는수직 바이폴라 트랜지스터.
[청구항 16]
제 10항에 있어서,상기 베이스층과 동일한 도핑형이지만 상기 베이스층의 한 측과 축방향으로 인접 배치된 보다 높은 도핑 농도의 반도체 물질 영역을 또한 구비하여베이스엣지반전방지하는것을,특징으로 하는 바이폴라 트랜지스터.
[청구항 21]
제 19항에 있어서,상기 제 1크기로 상당히 높게 도핑된 영역을 형성하는 단계전에, 상기 제 1크기 영역 아래에 배제된 물질에 상기 베이스층과 동일한 도전형의 도펀트를 도핑하며, 상기 도핑된 도펀트를 갖는 상기 제 1크기 영역의 상기 물질중 일부가 상기 제 3절연체 측벽 아래에 배치되도록 상기 제 1크기 영역의 상기 측벽 스페이서와 축방향으로 인접 또는 접촉하여 제 3절연체 측벽을 형성하는단계구비하는것을특징으로 하는수직 바이폴라 트랜지스터 형성방법.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
수직 바이폴라 트랜지스터에서 제1층, 제2층, 서브 콜렉터층, 콜렉터층, 베이스층, 에미터층의 각각의 도핑 농도는 어떻게 구성되는가?
추론 과정 (compact_reasoning)
-
1과제 해석
task_interpretation수직 바이폴라 트랜지스터의 구성 요소인 제1층, 제2층, 서브 콜렉터층, 콜렉터층, 베이스층, 에미터층의 도핑 농도를 찾는 작업이다.
-
2정보 추출
information_extraction청구항 7에서 각 층의 도핑 농도에 관한 정보를 추출한다.
- 상기 서브 콜렉터층은 최소한 n+농도로 도핑되며, 상기 콜렉터층은 n농도로 도핑되며, 상기 베이스층은 p농도로 도핑되며, 상기 에미터층은 n+농도로 도핑되며, 상기 제 1층은 p+농도로 도핑되며, 상기 제 2층은 n++농도도핑되는것을특징으로 하는
-
3근거 선택
evidence_selection질문에서 요구하는 모든 층의 도핑 농도가 명시된 청구항 7의 구절을 선택한다.
- 상기 서브 콜렉터층은 최소한 n+농도로 도핑되며, 상기 콜렉터층은 n농도로 도핑되며, 상기 베이스층은 p농도로 도핑되며, 상기 에미터층은 n+농도로 도핑되며, 상기 제 1층은 p+농도로 도핑되며, 상기 제 2층은 n++농도도핑되는것을특징으로 하는
-
4논리 통합
logical_integration추출된 각 층의 도핑 농도 정보를 질문의 구성 요소와 매칭하여 정리한다.
-
5결론 도출
conclusion_formulation각 층의 도핑 농도를 리스트 형식으로 정리하여 답변을 구성한다.
-
6답변 생성
answer_generation최종 답변을 생성한다.
최종 답변 (final_answer)
1. 제1층: p+ 농도
2. 제2층: n++ 농도
3. 서브 콜렉터층: 최소한 n+ 농도
4. 콜렉터층: n 농도
5. 베이스층: p 농도
6. 에미터층: n+ 농도
핵심 해석 (core_interpretation)
본 발명은 수직 바이폴라 트랜지스터의 각 층(제1층, 제2층, 서브 콜렉터층, 콜렉터층, 베이스층, 에미터층)에 특정한 도핑 농도를 부여하여 소자를 구성하는 기술에 관한 것이다.