문맥 (context)
[청구항 2]
제1항에 있어서,상기 윈도우 배열체는 광감지층으로된 윈도우 영역의 연장부분(20,240)에 의해구성되는것을특징으로 하는프레임 트랜스퍼형 이미지 센서장치.
[청구항 3]
제1항 또는 제2항에 있어서,상기 윈도우 배열체는 전극 배열체의 최소 1개 전극에 의해 설치된 적어도 하나의 윈도우(40)에단위기본셀구비하는것을특징으로 하는프레임 트랜스퍼형 이미지 센서장치.
[청구항 4]
제3항에 있어서,상기 장치는 교착형이고, 전극(1a,1b,1c,1d)의 배열체는 각 기본셀에 대해 인접하지 않은 두개의 전하 이동전극(1b,1d)상에 놓이고 최소 1개의 전하 이동전극(1a,1c)에 의해 분리된 두개의윈도우구비하는것을특징으로 하는프레임 트랜스퍼형 이미지 센서장치.
[청구항 5]
제1항에 있어서,상기 윈도우 배열체는 전극 배열체의 전하 이동전극에 평행한 스트립을 가지며, 윈도우 배열체의 각 스트립(240)은 두개의 이동전극(1b,1c:1b,1a)사이에 이격된 상태로 놓이고, 상기 스트립(240)은 전하 이동방향에 상기 분리 스트립(230)에 의해기본셀들사이차단하는것을특징으로 하는프레임 트랜스퍼형 이미지 센서장치.
[청구항 7]
제6항에 있어서,상기 재결정si으로 도핑된 층은 제1전도형을 구성하며, 연장부분(40)도 상기 동일하게 도핑된 제1전도형을 구성하는재결정제작되는것을특징으로 하는프레임 트랜스퍼형 이미지 센서장치.
[청구항 8]
제6항에 있어서,상기 재결정si도핑층은 제2전도형이고, 연장부분(40)도 제2전도형의 재결정 si으로 제작되나 도핑 농도가 큰 것특징으로 하는프레임 트랜스퍼형 이미지 센서장치.
[청구항 9]
제7항에 있어서,상기 제1전도형은 n-형이고, 재결정 si도핑층과 연장부분(40)의 도핑 농도는 5.1015at/㎤이고, 전하 이동채널(15)은 도핑 농도가1내지인것을특징으로 하는프레임 트랜스퍼형 이미지 센서장치.
[청구항 10]
제8항에 있어서,상기 제1전도형은 n형이고, 재결정 si도핑층의 도핑 농도는 5.1015at/㎤인 반면, 연장부분(40)의 도핑 농도는 2.1016at/㎤이며, 전하 이동 채널의 도핑농도는1내지인것을특징으로 하는프레임 트랜스퍼형 이미지 센서장치.
[청구항 12]
제11항에 있어서,상기 상부전극(2)은반사성인것을특징으로 하는프레임 트랜스퍼형 이미지 센서장치.
[청구항 13]
제12항에 있어서,상기 접촉 구역에서 약간 돌출한 불투명 고립체(42)는 윈도우(40,240)에 직각 상태로 하여 광감지 구조(50)의표면배열되는것을특징으로 하는프레임 트랜스퍼형 이미지 센서장치.
[청구항 14]
제1항 내지 제10항중의 어느 한항에 있어서,상기 장치는 영상 결합단에서 제1부호의 제1전위를 가져오고, 전하 이동단에서 제1반대인 제2전위를 가져올때 이미지 흐림을 감소시키기 위해 서로 전기적으로 절연된 광감지 구조(50,230,250)의 최소 일부 표면상에 배열된투명전극구비하는것을특징으로 하는프레임 트랜스퍼형 이미지 센서장치.
[청구항 15]
제14항에 있어서,상기 이동전극(1a,1b,1c,1d)는반사성인것을특징으로 하는프레임 트랜스퍼형 이미지 센서장치.
[청구항 16]
제14항에 있어서,윈도우 영역(100,101,200,201)에서 전기적으로 절연되도록, 해당 윈도우 영역(100,101,200,201)과 전기적으로 접속된 전도성 반사영역(70)이 광감지 구조(50)와 전극 전극 배열체(1a,1b,1c,1d)사이배열되는것을특징으로 하는프레임 트랜스퍼형 이미지 센서장치.
[청구항 17]
제16항에 있어서,상기 반사 선로(71)는스트립과직각배열되는것을특징으로 하는프레임 트랜스퍼형 이미지 센서장치.
[청구항 18]
제17항에 있어서,상기 반사선로(71)는 분리 스트립 하부에 배열되어절연체내삽입된것을특징으로 하는프레임 트랜스퍼형 이미지 센서장치.
[청구항 19]
제5항에 있어서,상기 장치는 전극 스트립이 이미지 결합단에서 제1부호의 전위를 가져오고 전하 이동단에서 제1부호와 반대인 제2부호의 제2전위를 가져올때 이미지 흐림을 감소시키도록 윈도우 배열체(240)의 스트립(240)에 직각으로 배열된전극스트립구비하는것을특징으로 하는프레임 트랜스퍼형 이미지 센서장치.
[청구항 20]
제19항에 있어서,상기 전극 스트립은불투명성인것을특징으로 하는프레임 트랜스퍼형 이미지 센서장치.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
프레임 트랜스퍼형 이미지 센서 장치에서 재결정 Si 도핑층이 제2전도형이고 연장부분(40) 또한 제2전도형으로 제작될 때, 두 구성 요소 간의 도핑 농도 관계는 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation재결정 Si 도핑층과 연장부분(40)이 모두 제2전도형일 때, 두 구성 요소 간의 도핑 농도 관계를 비교하는 과업이다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 8에서 재결정 Si 도핑층과 연장부분(40)이 모두 제2전도형임을 명시하고 있으며, 연장부분의 도핑 농도가 더 크다고 기술되어 있다.
- 상기 재결정si도핑층은 제2전도형이고, 연장부분(40)도 제2전도형의 재결정 si으로 제작되나 도핑 농도가 큰 것특징으로 하는프레임 트랜스퍼형 이미지 센서장치
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3근거 선택
evidence_selection두 구성 요소의 도핑 농도 관계를 직접적으로 설명하는 청구항 8의 구절을 선택한다.
- 연장부분(40)도 제2전도형의 재결정 si으로 제작되나 도핑 농도가 큰 것
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4논리 통합
logical_integration청구항 8에 따르면 연장부분(40)이 재결정 Si 도핑층보다 도핑 농도가 더 높게 설정되어 있다.
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5결론 도출
conclusion_formulation연장부분(40)의 도핑 농도가 재결정 Si 도핑층의 도핑 농도보다 더 크다는 결론을 도출한다.
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6답변 생성
answer_generation질문에 대해 연장부분(40)의 도핑 농도가 더 크다는 내용을 포함하여 답변을 생성한다.
최종 답변 (final_answer)
연장부분(40)의 도핑 농도가 재결정 Si 도핑층의 도핑 농도보다 더 크다.
핵심 해석 (core_interpretation)
재결정 Si 도핑층과 연장부분(40)이 동일한 제2전도형일 경우, 연장부분의 도핑 농도를 더 높게 형성하여 구성한다.