반도체집적회로장치 및 그 조합전자장치 document_id 1019890012391

[청구항 2] 제1항에 있어서,상기pmos트랜지스터의 콘덕턴스는, 상기 내부전원발생회로가 액티브상태로부터 인액티브상태까지의 작동범위를 갖도록 상기 pmos트랜지스터의 게이트에 인가되는 상기 제어신호에 의해제어되는것을특징으로 하는반도체집적회로장치. [청구항 3] 제2항에 있어서,상기pmos 트랜지스터의 콘덕턴스를 제어하는 상기 제어신호는상기집적회로의외부또는내부공급되는것을특징으로 하는반도체집적회로장치. [청구항 4] 제1항에 있어서,상기npn 트랜지스터의 콜렉터와 상기 pmos 트랜지스터의 소오스는 각각 다른외부전원접속되는것을특징으로 하는반도체집적회로장치. [청구항 5] 제1항에 있어서,상기npn 트랜지스터의 콜렉터와 상기 pmon 트랜지스터의 소오스는외부전원접속되는것을특징으로 하는반도체집적회로장치. [청구항 6] 제1항에 있어서,상기pmos 트랜지스터의 도전시에 축적된 상기 npn 트랜지스터의 베이스전하를 방전하기 위한 전하방전수단을 더 포함하며, 상기 방전수단은 상기 npn 트랜지스터의 베이스와 상기 기준전위간에 접속된 nmos트랜지스터포함하는것을특징으로 하는반도체집적회로장치. [청구항 7] 제6항에 있어서,상기nmos 트랜지스터는 외부제어신호에 의해오프되는것을특징으로 하는반도체집적회로장치. [청구항 8] 제1항에 있어서,상기n형 영역은 p형 반도체기판상에 형성된 n형 아일랜드이고, 상기 n형 아일랜드에 형성된 npn 트랜지스터는, 고농도 불순물의 n형 매립층과, 상기 반도체 주평면상에 형성된 고농도 불순물의 n형 콜렉터전극접속영역과 상기 n형 매립층을 낮은 저항으로 상호 접속하는 고농도 불순물의 n형영역포함하는것을특징으로 하는반도체집적회로장치. [청구항 9] 제1항에 있어서,드레인이 npn 트랜지스터의 베이스의 공통으로 접속되고 소오스에 각각 다른 외부전원전압이 공급되며 게이트에 게이트제어신호가 공급되는 복수의 pmos 트랜지스터를 가짐으로써, 상기 내부전원전압은 게이트제어신호에 응하여 선택된 상기 복수의 pmos 트랜지스터중 하나의 트랜지스터의 소오스에 공급된 전압에 근거하고 상기 npn 트랜지스터의 베이스-에미터간 전압에 근거하여결정되는것을특징으로 하는반도체집적회로장치. [청구항 11] 제10항에 있어서,상기 스위칭수단은 npn 트랜지스터와 nmos 트랜지스터를 포함하며, 상기 npn 트랜지스터의 콜렉터는 내부전원을 공급하는 상기 출력에 접속되고, 상기 npn 트랜지스터의 에미터는 상기 기준전위단자에 접속되며, 상기 nmos 트랜지스터의 게이트는 상기 제어신호를 수령하도록 접속되고, 상기 nmos 트랜지스터의 소오스는 상기 npn 트랜지스터의 베이스에 접속되며, 상기 nmos 트랜지스터의 드레인은 상기 npn트랜지스터의콜렉터접속되는것을특징으로 하는반도체집적회로장치. [청구항 15] 제14항에 있어서,상기 복수의 내부전압발생회로의 공통으로 접속된 출력은외부핀공급되는것을특징으로 하는반도체집적회로장치. [청구항 21] 제19항에 있어서,상기 내부전압발생회로를 가진 상기 반도체집적회로장치는 외부제어신호에 응하여 상기 내부전원전압을 기준전위레벨로 스위칭하도록 기능하는수단포함하는것을특징으로 하는반도체집적회로의 조합전자장치. [청구항 23] 제22항에 있어서,상기 외부출력핀에 공급된 상기 내부전압발생회로의 출력과 기준레벨 단자간에고주파잡음제거용바이패스캐패시터접속되는것을특징으로 하는반도체집적회로장치. [청구항 25] 제24항에 있어서,상기 내부전원이 공급되는 상기 적어도 하나의 내부회로중 하나는메모리구성되는것을특징으로 하는반도체집적회로장치. [청구항 26] 제24항에 있어서,상기 외부핀을 기준전위전원에 접속하는고주파잡음제거용바이패스캐패시터포함하는것을특징으로 하는반도체집적회로장치. [청구항 30] 제29항에 있어서,의 전압은 상기 제2 외부전원전압단자에 공급되고, 상기 제2 외부전원전압단자에 공급된 전압보다 크거나 동일한 전압은 상기 제1 외부전원전압단자에 공급됨으로써, 상기 내부전원발생수단으로부터의출력선택하도록하는것을특징으로 하는반도체집적회로장치. [청구항 32] 제31항에 있어서,상기 기판의 내측에 장착되고 상기 내부전원출력노드에 접속된내부 전원출력단자더포함하는것을특징으로 하는반도체집적회로장치. [청구항 33] 제31항에 있어서,적어도 하나의 n형 영역은 n형 웰이고 상기 외부전원의 고전위단자에 접속되며, 상기 기판은 상기 외부전원의 저전위단자접속되는것을특징으로 하는반도체집적회로장치. [청구항 37] 제36항에 있어서,상기 내부전원의 출력은 상기 제2 외부단자에 접속되고, 상기 제2 단자는 예정된전위를자동적유지하는것을특징으로 하는대규모 집적회로장치(lsi). [청구항 38] 제37항에 있어서,상기 제2 외부단자는 다이오드를 통해 상기 배터리에 접속되고, 상기 배터리의 저전위단자는기준접지단자접속되는것을특징으로 하는대규모 집적회로장치(lsi). [청구항 39] 제38항에 있어서,하나의 단자상에서 상기 제2외부단자에 접속되고 다른 단자상에서 기준접지에 접속되는고주파잡음제거용바이패스캐패시터더포함하는것을특징으로 하는대규모 집적회로장치(lsi).