CMOS 호환성 밴드 갭 기준 전압 제공 회로 및 그 방법 document_id 1019890013478

[청구항 2] 제1항에 있어서,상기 제1전류가 열전압에 비례하고, 상기 제2전압이바이폴러트랜지스터의접합전압비례함을특징으로 하는cmos 호환성 밴드갭 기준전압회로. [청구항 3] 제 1 항에 있어서,상기 제1전류가 두개의 바이폴러 트랜지스터 각각의 접합 전압 사이의 미분치와 비례하고, 상기 제2전압이바이폴러트랜지스터의접합전압비례함을특징으로 하는cmos 호환성 밴드갭 기준전압회로. [청구항 4] 제1항에 있어서,상기 제1전류원이, 제1전류경로, 제2전류경로, 이들 각각의 전류치 사이의 비를 확정하는, 제1 및 제2전류경로에 연결된 제1수단, 제1전류경로에 있는 제1마디와 제2전류경로에 있는 제 2 마디 사이에 같은 전압전위를 확정하는, 제1 및 제 2 전류경로에 연결된 수단과, 상기 제 1전류를 확정하는, 제1 및 제2마디에 연결된제3수단구성된것을특징으로 하는cmos 호환성 밴드갭 기준전압회로. [청구항 5] 제4항에 있어서,상기 제1수단이, 서로 연결되어 전류반사 동작을 제공하는 제1 및 제2트랜지스터로 구성된 것을 특징으로 하는 cmos 호환성밴트갭 기준전압회로. [청구항 6] 제5항에 있어서,상기 제2수단이, 서로 연결되어 전류반사 동작을 제공하는 제3및제4트랜지스터구성된특징으로 하는cmos 호환성 밴드갭 기준전압회로. [청구항 7] 제6항에 있어서,상기 제3수단이 제1전류경로에 있는 제1바이폴러 접합 트랜지스터와 제2전류경로에 저항수단과 직렬로 연결된제2바이폴러접합트랜지스터구성된것을특징으로 하는cmos 호환성 밴드갭 기준전압회로. [청구항 8] 제7항에 있어서,상기 전류반사수단이 제2전류원에 연결됨과 아울러 제3 및 제4트랜지스터에 연결되어 있는 제5트랜지스터와 직렬 연결된제3바이폴러접합트랜지스터구성된것을특징으로 하는cmos 호환성 밴드갭 기준전압회로. [청구항 9] 제8항에 있어서,제2전압을 발생시키는 상기 수단이, 제5트랜지스터에 연결되어 제2전압을 제공하는제4바이폴러접합트랜지스터구성된것을특징으로 하는cmos 호환성 밴드갭 기준전압회로. [청구항 10] 제9항에 있어서,상기 제4바이폴러 접합 트랜지스터에 연결되어 가중합을 제공하는저항포함된것을특징으로 하는cmos 호환성 밴드갭 기준전압회로. [청구항 11] 제8항에 있어서,상기제1 및 제2트랜지스터가 제1형의 fet로 되어 있으며 상기 제3, 제4 및 제5트랜지스터가제2형된것을특징으로 하는cmos 호환성 밴드갭 기준전압회로. [청구항 12] 제11항에 있어서,제1형fet는 n채널fet로 되어 있으며 제2형 fet는 p채널된것을특징으로 하는cmos 호환성 밴드갭 기준전압회로. [청구항 13] 제11항에 있어서,제1형 및 제3형 트랜지스터와 제2형 및 제3형 트랜지스터가 각각 cmos트랜지스터쌍으로된것을특징으로 하는cmos 호환성 밴드갭 기준전압회로. [청구항 14] 제1항에 있어서,상기 제1전류가 제1 및 제2바이폴러 트랜지스터 각각의 접합 전압간의 미분치에 비례하고 상기 제2전압이바이폴러트랜지스터의접합전압비례함을특징으로 하는cmos 호환성 밴드갭 기준전압회로. [청구항 15] 제1항에 있어서,제2전압을 발생시키는 상기 수단이바이폴러접합트랜지스터로된것을특징으로 하는cmos호환성 밴드갭 기준전압회로. [청구항 16] 제15항에 있어서,상기 바이폴러 접합 트랜지스터가 래터럴바이폴러접합트랜지스터로된것을특징으로 하는cmos 호환성 밴드갭 기준전압회로. [청구항 17] 제15항에 있어서,상기 가중합이 바이폴러 트랜지스터와 직렬로 연결된 저항수단에 의해제공됨을특징으로 하는cmos 호환성 밴드갭 기준전압회로. [청구항 19] 제18항에 있어서,상기 제1전류반사수단이 제1전류경로에 연결된 제1fet와 제2전류경로에 연결된제1형구성된것을특징으로 하는cmos 호환성 밴드갭 기준전압회로. [청구항 20] 제19항에 있어서,제1전류를 확정하는 상기 수단이 제1전류경로에서 저항수단과 직렬로 연결된 제1바이폴러 트랜지스터와, 제2전류경로에 연결된제1바이폴러접합트랜지스터구성된것을특징으로 하는cmos 호환성 밴드갭 기준전압회로. [청구항 21] 제18항에 있어서,상기 제2전류반사수단이 제1전류경로에 연결된 제2형의 제3fet, 제2전류경로에 연결된 제2형의 제4fet 및 제3전류경로에서 제3바이폴러 트랜지스터와 직렬로 연결된제2형구성된것을특징으로 하는cmos 호환성 밴드갭 기준전압회로. [청구항 22] 제21항에 있어서,상기 제1형은 n채널 fet되어 있고 상기 제2형은 p채널된것을특징으로 하는cmos 호환성 밴드갭 기준전압회로. [청구항 23] 제22항에 있어서,및 제5트랜지스터각각이 소오스, 게이트 및 드레인단자를 구비하며, 제1 및 제2트랜지스터의 각 게이트단자가 제1트랜지스터의 드레인 단자에 연결되고 제3 및 제4트랜지스터의 각 게이트단자가 제4트랜지스터의 드레인단자연결된것을특징으로 하는cmos 호환성 밴드갭 기준전압회로. [청구항 24] 제18항에 있어서,제1전압을 제공함과 아울러 제1 및 제2전압의 가중합을 제공하는 상기 수단이 제1전류경로에서 저항과 직렬로 연결된 베이스 에미터 접합을 이루는제3바이폴러트랜지스터구성된것을특징으로 하는cmos 호환성 밴드갭 기준전압회로. [청구항 25] 제24항에 있어서,상기 제3바이폴러 트랜지스터가 npn 트랜지스터특징으로 하는cmos 호환성 밴드갭 기준전압회로. [청구항 26] 제25항에 있어서,상기npn 트랜지스터가 래터럴 트랜지스터특징으로 하는cmos 호환성 밴드갭 기준전압회로. [청구항 28] 제27항에 있어서,제1온도계수가 두개의 바이폴러 트랜지스터의 각각의 베이스 에미터 접합 사이에서의 미분치에 비례하고, 상기 제2온도계수가 바이폴러 트랜지스터의 베이스 에미터 접합의 온도계수에 비례함을 특징으로 하는 온도에 영향을 받지 않는 기준전압제공하는방법.