문맥 (context)
[청구항 8]
제7항에 있어서,의 적어도 드레인영역은 저농도영역을 가지고 그 저농도영역에는 적어도 그다결정실리콘막오버랩하고있는것을특징으로 하는반도체집적회로장치.
[청구항 9]
제7항에 있어서,상층과 하층을 저항접속하는 부소가상층및하층단부인것을특징으로 하는반도체집적회로장치.
[청구항 10]
제7항에 있어서,상층과 하층을 저항 접속하는 도전성재가불순물원소의확산장벽성가지는것을특징으로 하는반도체집적회로장치.
[청구항 11]
제7항에 있어서,채널및 p채널의 cmos로 구성되어 있고 하층막의 다결정실리콘이 nmos부에서는 n형, pmos부에서는 p형으로 이루어지고 그 n형 및 p형다결정실리콘막은 그 단부에서 확산장벽재를 거쳐 상층막에 연결되어 있으므로서서로저항접속되어있는것을특징으로 하는반도체집적회로장치.
[청구항 12]
제11항에 있어서,다결정실리콘막은 nmos의 소오스 또는 드레인영역과 p형 다결정실리콘막은 pmos의 소오스 또는 드레인영역과 각각 저항접속되어 있는부분가지는것을특징으로 하는반도체집적회로장치.
[청구항 14]
제13항에 있어서,다결정실리콘막은 nmos의 소오스 또는 드레인영역과 p형다결정실리콘막은 pmos의 소오스 또는 드레인영역과 각각 직접 저항접속되어 있는부분가지는것을특징으로 하는반도체집적회로장치.
[청구항 15]
제11항 또는 제12항에 있어서,상기n형 및 p형 다결정 실리콘막은 필드 산화막상에서 분리되어 있는 것을 (연속상태특징으로 하는반도체집적회로장치.
[청구항 16]
제7항 또는 제13항에 있어서,상층재는 고응점금속 또는 고응점금속실리사이드로이루어진것을특징으로 하는반도체집적회로장치.
[청구항 21]
제2항, 제10항, 제11항 또는 제13항에 있어서,상기 확산장벽성을 가지는 접속재는 접속홀하의패드전극겸하는것을특징으로 하는반도체집적회로장치.
[청구항 24]
2개의 pmos와 2개의 nmos로 이루어진 플립, 플롭과 상기 플립 플롭에 접속되는 2개의 트랜스퍼 mos로 이루어지고 pmos와 nmos로 이루어진 제 1 의 조의 게이트가 함께 접속되고 기타의 pmos 및 nmos끼리를 접속하는 단자에 접속되어 있는 셀을 가지고 상기 제 1 의 조의 게이트간이 확산장벽제에 의하여 접속되는 것을 특징으로 하는 반도체집적회로장치
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
제11항의 반도체 집적회로장치에서 n형 및 p형 다결정 실리콘막이 상층막에 연결되어 저항 접속될 때, 그 연결 경로에 포함되는 구성 요소는 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation제11항의 내용을 바탕으로 n형 및 p형 다결정 실리콘막이 상층막과 저항 접속될 때 거치는 연결 경로상의 구성 요소를 추출해야 한다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 11항에서 n형 및 p형 다결정 실리콘막이 상층막에 연결되는 구체적인 경로를 확인한다.
- n형 및 p형다결정실리콘막은 그 단부에서 확산장벽재를 거쳐 상층막에 연결되어
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3근거 선택
evidence_selection연결 경로에 포함된 구성 요소로 '확산장벽재'가 명시되어 있음을 확인한다.
- n형 및 p형다결정실리콘막은 그 단부에서 확산장벽재를 거쳐 상층막에 연결되어
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4논리 통합
logical_integration다결정 실리콘막의 단부에서 상층막으로 이어지는 경로 사이에 '확산장벽재'가 위치함을 논리적으로 연결한다.
- n형 및 p형다결정실리콘막은 그 단부에서 확산장벽재를 거쳐 상층막에 연결되어
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5결론 도출
conclusion_formulation질문에서 요구하는 연결 경로에 포함되는 구성 요소는 확산장벽재이다.
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6답변 생성
answer_generation추출된 구성 요소를 바탕으로 최종 답변을 작성한다.
최종 답변 (final_answer)
확산장벽재
핵심 해석 (core_interpretation)
n형 및 p형 다결정 실리콘막이 상층막과 저항 접속될 때, 그 사이에 확산장벽재를 배치하여 연결 경로를 형성하는 기술적 구성을 나타냄.