문맥 (context)
[청구항 2]
제1항봉부재는 세로방향으로 연장되고 경면상태에 사상된 접착면을 가지며, 각 봉부재는 서로 접착면에서 접속해서된 전자 디바이용 웨이퍼제공하는봉상기재.
[청구항 3]
제2항봉부재는 동일재료로 만들어지는 전자 디바이용 웨이퍼제공하는봉상기재.
[청구항 4]
제3항봉부재는 si단 결정 또는 si다결정으로 되어 있고, 각 봉부재는 접촉면은 si-o-si 결합 또는 si-si 결합에 의하여 서로 접속되어 있는 전자 디바이용 웨이퍼제공하는봉상기재.
[청구항 5]
제3항봉부재는 ge단 결정 또는 ge 다결정으로 되어 있고, 각 봉부재의 접착면은 ge-d-ge 결합 또는 ge-ge 결합으로 접속해서된 전자 디바이용 웨이퍼제공하는봉상기재.
[청구항 6]
제3항봉부재는 si단 결정 또는 si다결정으로 되어 있고, 각 봉부재의 접촉면은 sio2에 의하여 서로 접속해서된 전자 디바이용 웨이퍼제공하는봉상기재.
[청구항 7]
제3항봉부재는 gaas, inp, cds, 사파이어(sapphire), 쿼르즈 (quartz) 또는 알루미나(alunlina)로 되어 있는 전자 디바이용 웨이퍼제공하는봉상기재.
[청구항 8]
제2항봉부재는 상이한 제료로된 전자 디바이용 웨이퍼제공하는봉상기재.
[청구항 9]
제8항제1봉부재는 si단 결정이고 제2봉부재는 복수개의 봉부재중에 gaas단 결정으로 된 전자 디바이용 웨이퍼제공하는봉상기재.
[청구항 10]
제2항봉부재는 4각주 형상을 가진 전자 디바이용 웨이퍼제공하는봉상기재.
[청구항 11]
제2항봉부재는 단결정 인곳트 또는 다 결정 인곳트를 포함한 전자 디바이용 웨이퍼제공하는봉상기재.
[청구항 12]
제2항봉상기재는 각 봉부재간에 접착된 부위의 위치의 표시를 가지는 전자 디바이용 웨이퍼제공하는봉상기재.
[청구항 13]
제2항봉상기재는 캐비티를 가진 전자 디바이용 웨이퍼제공하는봉상기재.
[청구항 14]
제12항에 있어서 표시는 봉상기재의 외부표면에 형성된 홈으로된 전자 디바이용 웨이퍼제공하는봉상기재.
[청구항 38]
제34항에 있어서 제1봉부재는 si단결정으로 되어 있으며 제12봉부재 복수 봉부재 중에서 gaas단결정으로된전자 디바이스용 웨이퍼 제조방법.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
봉부재가 Si 단결정 또는 Si 다결정으로 구성된 경우, 각 봉부재의 접촉면이 서로 접속되는 방식은 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation봉부재가 Si 단결정 또는 Si 다결정일 때, 각 봉부재의 접촉면이 접속되는 방식을 찾는다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 4에서 Si 단결정 또는 Si 다결정으로 구성된 봉부재의 접속 방식에 대한 정보를 추출한다.
- si단 결정 또는 si다결정으로 되어 있고, 각 봉부재는 접촉면은 si-o-si 결합 또는 si-si 결합에 의하여 서로 접속되어 있는 전자 디바이용 웨이퍼제공하는봉상기재
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3근거 선택
evidence_selection질문 조건(Si 단결정/다결정)과 일치하는 청구항 4의 구절을 선택한다.
- si-o-si 결합 또는 si-si 결합에 의하여 서로 접속되어 있는 전자 디바이용 웨이퍼제공하는봉상기재
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4논리 통합
logical_integration봉부재의 재질이 Si 단결정 또는 Si 다결정인 경우, 접속 방식은 si-o-si 결합 또는 si-si 결합임을 확인한다.
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5결론 도출
conclusion_formulation추출된 정보를 바탕으로 접속 방식이 si-o-si 결합 또는 si-si 결합임을 결론짓는다.
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6답변 생성
answer_generation질문에 대한 직접적인 답변을 생성한다.
최종 답변 (final_answer)
si-o-si 결합 또는 si-si 결합에 의하여 서로 접속되어 있다.
핵심 해석 (core_interpretation)
Si 단결정 또는 Si 다결정으로 이루어진 봉부재를 결합할 때, 화학적 결합(si-o-si 또는 si-si)을 통해 접촉면을 접속시키는 기술에 관한 것이다.