문맥 (context)
[청구항 2]
제1항에 있어서,상기 금속층(15)이내화성금속구성되는것을특징으로 하는이종접합 바이폴라 트랜지스터.
[청구항 3]
제1항에 있어서,상기 금속층(15)이내화성금속실리사이드구성되는것을특징으로 하는이종접합 바이폴라 트랜지스터.
[청구항 4]
제1항에 있어서,상기 금속층(15)이텅스텐구성되는것을특징으로 하는이종접합 바이폴라 트랜지스터.
[청구항 5]
제1항 내지 제4항 중 어느하나에 있어서,상기 에미터층(13)위에 형성된 금속막(15)과 상기의 금속막위에 형성된에미터전극구성되는것을특징으로 하는이종접합 바이폴라 트랜지스터.
[청구항 6]
제5항에 있어서,상기 금속막이텅스텐구성되는것을특징으로 하는이종접합 바이폴라 트랜지스터.
[청구항 7]
제1항 내지 6항중 어느 하나에 있어서,상기 베이스층의 상기 제1 베이스부(22)위에 제2금속층(15)을 더욱 포함하며, 상기 절연층(14)이 상기 제2금속층이 노출되는 제4접촉 구멍을 가지고 있으며, 상기 이종접합 바이폴라 트랜지스터가 상기 제4 접촉구멍을 통하여 상기 제2금속층위에 형성이된제2베이스전극구성되는것을특징으로 하는이종접합 바이폴라 트랜지스터.
[청구항 8]
제7항에 있어서,상기 제2금속층(15)의 가장자리가 상기 절연충의 상기 측벽(19)을 통하여상기이종접합대면하는것을특징으로 하는이종접합 바이폴라 트랜지스터.
[청구항 9]
제7항에 있어서,상기 제2금속층이텅스텐구성되는것을특징으로 하는이종접합 바이폴라 트랜지스터.
[청구항 11]
제10항에 있어서,상기 베이스층(36)이 상기 제1의 베이스부(46)에 다결정 실리콘 및 제2의 베이스부(56)에단결정 실리콘포함하는것을특징으로 하는이종접합 바이폴라 트랜지스터.
[청구항 12]
제10항에 있어서,상기의 제1 및 제2의 접촉구멍을 통하여 상기 에미터층과 콜렉터층(37, 32)의 각각의 위에 형성이된 금속막(39)을 더욱 포함하며, 및 상기 에미터전극(37e)과 상기 콜렉터전극(32c)은 상기 노출된 에미터와 콜렉터층위에 형성된금속막위각각형성되는것을특징으로 하는이종접합 바이폴라 트랜지스터.
[청구항 13]
제10항에 있어서,상기 금속층(39)이내화성금속구성되는것을특징으로 하는이종접합 바이폴라 트랜지스터.
[청구항 14]
제13항에 있어서,상기 금속층(39)이내화성금속실리사이드구성되는것을특징으로 하는이종접합 바이폴라 트랜지스터.
[청구항 15]
제10항에 있어서,상기 금속층(39)은텅스텐구성되는것을특징으로 하는이종접합 바이폴라 트랜지스터.
[청구항 16]
제10항 내지 제15항중 어느하나에 있어서,상기 금속층(36)의 상기 제1의 베이스부(46)위에 형성된 제2금속층(35)을 더욱 포함하며 상기 절연층이 상기 제2금속층이 노출되는 제4접촉구멍을 갖추고 있으며 상기 이종접합 바이폴라 트랜지스터가 상기 제4 접촉구멍을 통하여 상기 제2 금속층위에 형성된제2베이스전극포함하는것을특징으로하는이종접합 바이폴라 트랜지스터.
[청구항 17]
제16항에 있어서,번째, 금속층(36)의 가장자리가 상기 절연층의 상기 측벽(38a)을 통하여이종접합대면하고있는것을특징으로하는이종접합 바이폴라 트랜지스터.
[청구항 18]
제16항에 있어서,상기 금속층이텅스텐구성되는것을특징으로하는이종접합 바이폴라 트랜지스터.
[청구항 26]
제23항에 있어서,상기 금속층(39)이텅스텐구성되는것을특징으로 하는방법.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
이종접합 바이폴라 트랜지스터에서 제2금속층(15)이 노출되는 제4접촉 구멍을 통해 형성되는 제2베이스전극의 구성 요소와 그 형성 위치는 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation제4접촉 구멍을 통해 형성되는 제2베이스전극의 구성 요소(제2금속층)와 그 형성 위치를 파악해야 한다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 7에서 제4접촉 구멍이 제2금속층을 노출시키며, 제2베이스전극이 제2금속층 위에 형성된다는 정보를 추출한다.
- 상기 베이스층의 상기 제1 베이스부(22)위에 제2금속층(15)을 더욱 포함하며, 상기 절연층(14)이 상기 제2금속층이 노출되는 제4접촉 구멍을 가지고 있으며, 상기 이종접합 바이폴라 트랜지스터가 상기 제4 접촉구멍을 통하여 상기 제2금속층위에 형성이된제2베이스전극구성되는것을특징으로 하는이종접합 바이폴라 트랜지스터
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3근거 선택
evidence_selection제2베이스전극의 구성 요소인 제2금속층과 형성 위치인 제1 베이스부(22)에 관한 구절을 선택한다.
- 상기 베이스층의 상기 제1 베이스부(22)위에 제2금속층(15)을 더욱 포함하며
- 상기 이종접합 바이폴라 트랜지스터가 상기 제4 접촉구멍을 통하여 상기 제2금속층위에 형성이된제2베이스전극
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4논리 통합
logical_integration제2베이스전극은 제4접촉 구멍을 통해 노출된 제2금속층(15) 위에 형성되며, 이 제2금속층은 베이스층의 제1 베이스부(22) 위에 위치한다.
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5결론 도출
conclusion_formulation제2베이스전극의 구성 요소는 제2금속층(15)이며, 형성 위치는 베이스층의 제1 베이스부(22) 위이다.
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6답변 생성
answer_generation추출된 정보를 바탕으로 질문에 대한 최종 답변을 작성한다.
최종 답변 (final_answer)
제2베이스전극의 구성 요소는 제2금속층(15)이며, 그 형성 위치는 베이스층의 제1 베이스부(22) 위이다.
핵심 해석 (core_interpretation)
이 발명은 제4접촉 구멍을 통해 노출된 제2금속층을 활용하여 베이스층의 특정 부위(제1 베이스부) 위에 제2베이스전극을 형성하는 구조를 특징으로 한다.