고유전율세라믹조성물및세라믹커패시터소자 document_id 1019890020288

[청구항1] 주 성분으로 납을 베이스로 하는 페로브스키트화합물과 상기 페로브스키트화합물에 첨가된 유리질성분을 함유하고 있으며, 상기에서, 유리질 성분은 약 10-80wt%의 b 2 o 3 , 약 10-60wt%의 sio 2 , 약 2-20wt%의 al 2 o 3 , 약 2-20wt%의 bao 및 약 2-20wt%의 mgo의 구성으로 되어 있으며, 상기구성의 전체량이 100wt%가 되는 것을 특징으로 하는 고유전율의 세라믹 조성물 [청구항2] 제1항에 있어서,상기 유리질 성분은 50wt%이하함유하고있는것을특징으로 하는조성물. [청구항3] 제1항에 있어서,페로브스키트화합물에 첨가되는상기유리질성분의양인것을특징으로하는조성물. [청구항4] 제1항에 있어서,상기 페로브스키트화합물nan은함유하고있는것을특징으로 하는조성물. [청구항5] 제1항에 있어서,상기 페로브스키트화합물은 최소한 pb(mg1/3nb2/3)o3와 pb(zn1/3nb2/3)o3중의 하나를 최소 50mol%까지 함유하며, 상기 pb는 최소한 ba, sr 및 ca중 한원소에 의해부분적치환되는것을특징으로하는조성물. [청구항6] 제1항에 있어서,그룹의 페로브스키트 화합물은 pb의 일부가 최소한 ba와 sr 중 하나에 의해 약 1-35mol%로 치환되어 있으며, 이 pb 부분은 상기 페로브스키트 화합물이 일반식 xpb(zn1/3nb2/3)o3-ypb(mg1/3nb2/3)o3-zpbtio3(3성분은 3상 다이어그램의 정점 x, y, z로 나타남)로 표현될 때, pb부분은 a-b 선상을 제외한 선위의 점들을 포함하고 a-b선, b-c선, c-d선 및 d-a선에 의해 둘러싸인 영역에 한정되며, 각 a, b, c 및 d점은 a(x=0.50, y=0.00, z=0.50) b(x=1.00, y=0.00, z=0.00) c(x=0.2, y=0.8, z=0.00) 및 d(x=0.05, y=0.9, z=0.05)로 결정되는방식정의되는것을특징으로 하는조성물. [청구항7] 제1항에 있어서,상기 유리질 성분nan은최대함유하고있는것을특징으로 하는조성물. [청구항8] 제1항에 있어서,상기 유리질 성분nan은최대함유하고있는것을특징으로 하는조성물. [청구항9] 주 성분으로서 납을 베이스로하는 페로브스키트화합물과 상기 페로브스키트화합물에 첨가된 유리질성분을 함유하고 있으며, 상기에서, 유리질 성분은 약 10-80wt%의 b 2 o 3 , 약 10-60wt%의 sio 2 , 약 2-20wt%의 al 2 o 3 , 약 2-20wt%의 bao 및 약 2-20wt%의 mgo의 구성으로 되어 있으며, 상기 구성의 전체량이 100wt%가 되는 것을 특징으로 하는 고유전율의 세라믹 조성물을 지닌 커패시터 소자(element) [청구항10] 제9항에 있어서,유리질 성분은 50wt%이하함유하고있는것을특징으로 하는커패시터 소자. [청구항11] 제9항에 있어서,페로브스키트화합물에 첨가되는유리질성분의양인것을특징으로 하는커패시터 소자. [청구항12] 제9항에 있어서,상기 페로브스키트 화합물nan은함유하고있는것을특징으로 하는커패시터 소자. [청구항13] 제9항에 있어서,상기 유리질 성분nan은최대함유하고있는것을특징으로 하는커패시터 소자. [청구항14] 제9항에 있어서,상기 유리질 성분nan은최대함유하고있는것을특징으로 하는커패시터 소자. [청구항15] 주 성분으로 티탄산바륨을 함유한 제 1구성 성분과, 주성분으로 납을 함유한 페로브스키트 화합물을 지니고 있는 제2구성 성분과 실리콘과 붕소중 최소한 하나를 함유한 유리질 성분을 함유하고 있는 것을 특징으로 하는 고유전율의 세라믹 조성물 [청구항16] 제15항에 있어서,상기 유리질 성분nan은규산염 유리함유하고있는것을특징으로 하는조성물. [청구항17] 제15항에 있어서,상기 유리질 성분nan은붕규산유리함유하고있는것을특징으로 하는조성물. [청구항18] 제15항에 있어서,상기제 2의 구성 성분은 pb(zn1/3nb2/3)o3그룹의페로브스키트화합물함유하고있는것을특징으로 하는조성물. [청구항20] 제19항에 있어서,상기 유리질 성분nan은규산염 유리함유하고있는것을특징으로 하는커패시터 소자. [청구항21] 제19항에 있어서,상기 유리질 성분nan은붕규산유리함유하고있는것을특징으로 하는커패시터 소자. [청구항22] 제19항에 있어서,상기 제 2구성 성분은 pb(zn1/3nb2/3)o3그룹의페로브스키트화합물함유하고있는것을특징으로 하는커패시터 소자. [청구항23] 주 성분으로 납을 베이스로 한 페로브스키트 화합물과 최소한 pbo, b 2 o 3 및 sio 2 를 갖는 다수의 비정질상을 함유하고 있으며, 상기에서 비정질상은 삼중점에서 형성되는 것을 특징으로 하는 고유전율 세라믹 조성물을 갖는 커패시터 소자 [청구항24] 제23항에 있어서,상기 페로브스키트 화합물은 약 10-80wt%의 b2o3, 약 10-60wt%의 sio2, 약 2-20wt%의 al2o3, 약 2-20wt%의 bao 및 약 2-20wt%의 mgo를 함유한 유리질을 포함하고 있으며, 상기 비정질상은최대함유하고있는것을특징으로 하는커패시터 소자. [청구항25] 제23항에 있어서,상기 페로브스키트 화합물은 최소한 pb(mg1/3nb2/3)o3와 pb(zn1/3nb2/3)o3 중 하나를 최소 50mol%까지 함유하고 있으며, 상기 pb는 최소한 ba, sr 및 ca중 한 원소에 의해부분적치환되어있는것을특징으로 하는커패시터 소자. [청구항26] 제1항에 있어서,그룹의 상기 페로브스키트 화합물은 pb의 일부가 최소한 ba와 sr 중의 하나에 의해 약 1-35mol%로 치환되어 있으며, 이 pb 부분은 상기 페로브스키트 화합물이 일반식 xpb(zn1/3nb2/3)o3-ypb(mg1/3nb2/3)o3-zpbtio3(3성분은 3상 다이어그램의 정점 x, y, z로 나타남)로 표현될 때, pb부분은 a-b 선상을 제외한 선위의 점들을 포함하고, a-b선, b-c선, c-d선 및 d-a선으로 둘러싸인 영역에 한정되며, 각 a, b, c 및 d점은 a(x=0.50, y=0.00, z=0.50) b(x=1.00, y=0.00, z=0.00) c(x=0.20, y=0.80, z=0.00) 및 d(x=0.05, y=0.90, z=0.05)로 결정되는방식정의되는것을특징으로 하는커패시터 소자.