집적된 반도체 장치 document_id 1019890020300

[청구항 2] 제1항에 있어서,인버터단이 드레인과 어스 m간에 인가된 로드 r1를 갖추며, 마이크로웨이브 출력 s이 상기 인버터단의 트랜지스터 t1의 드레인에 따르는 것을특징으로하는집적된반도체 장치. [청구항 3] 제2항에 있어서,반응 소자가 인버터 트랜지스터 t1의 게이트와 드레인간에 연결된 전송 라인인 것을특징으로하는집적된반도체 장치. [청구항 4] 제3항에 있어서,동조 임피던스가 전송 라인인 것을특징으로하는집적된반도체 장치. [청구항 5] 제4항에 있어서,동조 임피던스의 구성을 위해, 제1전송 라인이 인버터 트랜지스터 t1의 게이트와 어스간에 놓여지며, 제2전송 라인이 상기 트랜지스터 t1의 소스와 어스간에 놓여지며, 제3전송라인이 상기 트랜지스터 t1의 드레인과 어스간에 놓여지는 것을특징으로하는집적된반도체 장치. [청구항 6] 제5항에 있어서,인버터단이 인버터 트랜지스터 t1의 게이트와 어스간의 동조 임피던스와 직렬로 놓여진 캐패시터를 포함한 바이어싱 수단을 또한 포함하는 것을특징으로하는집적된반도체 장치. [청구항 7] 제6항에 있어서,캐패시터가 인버터 트랜지스터의 드레인과 어스간의 동조 임피던스와 직렬로 놓여지는 것을특징으로하는집적된반도체 장치. [청구항 8] 제7항에 있어서,캐패시터가 동조 임피던스를 형성하기 위해 인버터 트랜지스터의 소스와 어스간의 전송 라인과 병렬로 놓여지는 것을특징으로하는집적된반도체 장치. [청구항 9] 제8항에 있어서,감결합 캐패시터가 인버터 트랜지스터 t1의 게이트와 드레인간의 반응 소자와 직렬로 놓여지는 것을특징으로하는집적된반도체 장치. [청구항 10] 제9항에 있어서,스위칭 트랜지스터의 제어 전극을 입력신호e의 발생기에 매치시키기 위해서, 레지스터 re가 상기 전극과 어스간에 놓여지는 것을특징으로하는집적된반도체 장치. [청구항 11] 제10항에 있어서,입력 신호의 부재시, 출력에서의 잔여 신호의 존재를 제거하기 위해서, 스위칭 트랜지스터 t2의 제어전극이 캐패시터와 직렬로 레지스터 re를 통해 어스에 연결되며, 바이어싱 전압이 상기 레지스터 re와 캐패시터의 공통 지점에 인가되는 것을특징으로하는집적된반도체 장치. [청구항 12] 제11항에 있어서,전원 매칭 회로가 인버터 트랜지스터 t1의 드레인과 출력 s간에 놓여지며, 로드 레지스터 r1이 상기 출력 s와 어스간에 인가되어, 회로의 전환 이득을 초래하는 것을특징으로하는집적된반도체 장치. [청구항 14] 제13항에 있어서,인버터 트랜지스터t1의 게이트 폭이 스위칭 트랜지스터 t2의 게이트 폭보다 더크며, 상기 트랜지스터의 핀치-오프 전압 vt이 -0.6v이 크기이며, 회로의 동작조건이 이하 관계에 의해 표현되며, ve(로)〈-0.9v, ve(하이)〉-0.3v 여기서 관계ve(로)가 입력신호 e의 낮은 레벨이고, ve(하이)가 상기 입력 신호의 높은 레벨인 것을특징으로하는집적된반도체 장치.