문맥 (context)
[청구항 9]
광통신 시스템의 주요성분인 광수신기의 구성소자중 광검출기와 증폭회로를 단일칩 집적한 회로에 있어서
반절연 inp기판(21), 상기 반절연 기판(21) 상에 형성된 n형 inp채널층(22)과, 상기 n형 채널층(22)상의 중앙에 형성된 ingaas흡수층(23)과, 상기 n형 채널층(22)상의 ingaas흡수층(23) 양옆에 증착된 n형 금속(26)과, 상기 ingaas흡수층(23)상에 형성된 p형 inp클래드층(24)과, 상기 p형 inp클래드층(24)상의 양측가장자리에 증착된 p형 금속(25)으로 구성되는 핀(pin) 광검출기. 상기 동일 반전연 기판(21)상에 형성된 n형 inp채널층(22′)과, 상기 n형 inp채널층(22′) 상의 중앙에 양측면이 언더컷트된 구조로 형성된 p형 inp클래드층(24′)과, 상기 p형 inp클래드층(24′) 상에 증착된 p형 금속(25′)과, 상기 n형 inp채널층(22′)상의 p형 inp클래드층(24′) 양옆 및 p형 금속(25′)에 증착된 n형 금속(26′)으로 구성되는 접합형 전rp과 트랜지스터, 상기 광검출기의 광흡수창 부분과 각 소자간 전기배선을 위한 금속 접촉 부분을 제외한 전면에 코팅된 폴리마이드(polyimide)(27), 및 소자간 전기 배선을 위한 금속층(28)으로 이루어져 동일기판상에 핀(pin) 광검출기 및 접합형 전계효과 트랜지스터가 집적됨을 특징으로 하는 수신용 광전집적회로
[청구항 10]
제9항에 있어서,상기 폴리마이드(polyimide) (27)는 유전율이 3.0 내지특징으로 하는 수신용 광전집적회로.
[청구항 11]
제10항에 있어서,상기 폴리마이드(27)는광검출기의무반사코팅사용됨을특징으로 하는 수신용 광전집적회로.
[청구항 12]
제9항에 있어서,격자정합을 이루는 in0.53ga0.47as를 흡수층으로 한 핀(pin) 광검출기와 n형 inp를 채널층으로 한 자기정렬된접합형전계효과트랜지스터를수평형집적시킴을특징으로 하는 수신용 광전집적회로.
[청구항 14]
광통신 시스팀의 주요부분인 광수신기의 구성소자중 광검출기와 증폭회로를 단일칩 집적한 회로에 있어서
반절연 inp기판(41)과, 상기 반절연 기판 상에 형성된 n형 채널층(42)과, 저항성 접촉층(43), 저항성 접촉층(43) 상의 중앙에 형성된 광흡수층(44) 상기 저항성 접촉층(43)상의 광흡수층(44) 양옆에 증착된 n형 금속(47), 상기 흡수층(44)상에 형성된 클래드층(45), 및 상기 클래드층(45)상의 양측 가장자리에 증착된 p형 금속(46)으로 구성되는 핀(pin)광검출기, 상기 동일 반절연 기판(41)상에 형성된 채널층(42′), 저항형 접촉층(43′), 상기 저항성 접촉층(43′) 중앙을 선택 식각한 후 성장한 것으로 양 측면이 언더-컷트된 구조로 형성된 클래드층(45′), 상기 클래드층(45′)상에 증착된 p형 금속(46′), 상기 n형 inp(43′) 상의 클래드층(45′) 양 옆 및 p형 금속(46′)에 증착된 n형 금속(47′)으로 구성되는 접합형 전계효과 트랜지스터와, 상기 광검출기의 광흡수창 부분과 각 소자간 전기배선을 위한 금속 접촉 부분을 제외한 전면에 코팅된 폴리마이드(polyimide)(48), 및 소자간 전기 배선을 위한 금속층(49)으로 이루어져 동일 기판상에 핀(pin) 광검출기 및 접합형 전계효과 트랜지스터가 집적됨을 특징으로 하는 수신용 광전집적회로
[청구항 15]
제14항에 있어서,상기 채널층(42,42′)은 n형 ingaas층 임특징으로 하는 수신용 광전집적회로.
[청구항 16]
제14항에 있어서,상기 저항성 접촉층(43, 43′)은 n형 inp층 임특징으로 하는 수신용 광전집적회로.
[청구항 17]
제14항에 있어서,상기 클래드층(45, 45′)은 p형 inp층 임특징으로 하는 수신용 광전집적회로.
[청구항 18]
제14항에 있어서,상기 광흡수층(44)은 도우핑이 안된형성됨을특징으로 하는 수신용 광전집적회로.
[청구항 19]
제14항에 있어서,상기 광흡수층(44)은 도우핑이 안된형성됨을특징으로 하는 수신용 광전집적회로.
[청구항 20]
광수신기의 구성소자중 광검출기와 증폭회로를 단일칩 집적한 회로에 있어서
반전열 gaas기판(51), 상기 반절연 기판(51) 상에 형성된 gaalas채널층(52)과, 상기 gaalas채널층(52) 상의 중앙에 형성된 gaas 흡수층(53)과, 상기 gaalas채널층(52) 상의 gaas 흡수층(53 )양 옆에 증착된 n형 금속(56)과, 상기 gaas흡수층(53)상에 형성된 gaalas클래드층(54)과, 상기 gaalas클래드층(54) 상의 양측 가장자리에 증착된 p형 금속(55)으로 구성되는 핀(pin) 광검출기. 상기 동일 반절연 기판(51)상에 형성된 gaalas채널층(52′)과, 상기 gaasal채널층(51′) 상의 중앙에 양측면이 언더컷트된 구조로 형성된 gaalas채널층(54′)과, 상기 gaalas클래드층(54′) 상에 증착된 p형 금속(55′)과, 상기 gaalas채널층(52′) 상의 클래드층(54′) 양옆 및 p형 금속(55)에 증착된 n형 금속(56′)으로 구성되는 접합형 전계효과 트랜지스터, 상기 광검출기의 광흡수된 부분과 각 소자간 전기배선을 위한 금속 접촉 부분을 제외한 전면에 코딩된 폴리마이드(polyimide)(57), 및 소자간 전기배선을 위한 금속층(58)으로 이루어져 동일 기판 상에 핀(pin) 광검출기 및 접합형 전계효과 트랜지스터가 집적됨을 특징으로 하는 단파장 수신용 광전집적회로
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
청구항 9항에 따른 수신용 광전집적회로에서 폴리마이드(polyimide)(27)가 코팅되는 영역과 제외되는 영역은 각각 어디인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation청구항 9항을 바탕으로 폴리마이드(27)가 코팅되는 영역과 제외되는 영역을 구분하여 추출해야 한다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 9항에서 폴리마이드(27)의 코팅 범위와 관련된 구절을 확인한다.
- 상기 광검출기의 광흡수창 부분과 각 소자간 전기배선을 위한 금속 접촉 부분을 제외한 전면에 코팅된 폴리마이드(polyimide)(27)
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3근거 선택
evidence_selection코팅되는 영역은 '전면'이며, 제외되는 영역은 '광흡수창 부분'과 '각 소자간 전기배선을 위한 금속 접촉 부분'임을 명시한 구절을 선택한다.
- 상기 광검출기의 광흡수창 부분과 각 소자간 전기배선을 위한 금속 접촉 부분을 제외한 전면에 코팅된 폴리마이드(polyimide)(27)
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4논리 통합
logical_integration전체 영역(전면)에서 특정 부분(광흡수창 및 금속 접촉 부분)을 제외하면, 코팅되는 영역은 전면이고 제외되는 영역은 해당 두 부분임을 알 수 있다.
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5결론 도출
conclusion_formulation코팅 영역은 전면이고, 제외 영역은 광검출기의 광흡수창 부분과 각 소자간 전기배선을 위한 금속 접촉 부분이다.
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6답변 생성
answer_generation질문에 대해 코팅 영역과 제외 영역을 명확히 구분하여 답변을 작성한다.
최종 답변 (final_answer)
코팅되는 영역은 전면이며, 제외되는 영역은 광검출기의 광흡수창 부분과 각 소자간 전기배선을 위한 금속 접촉 부분이다.
핵심 해석 (core_interpretation)
수신용 광전집적회로에서 폴리마이드는 광검출기의 광흡수 성능과 전기적 연결을 방해하지 않도록 특정 영역을 제외한 나머지 전면에 코팅된다.