초전도성 물질과 관련 장치 및 방법 document_id 1019890700079

[청구항 2] 제 1 항에 있어서,이온도체가 초전도재료와 도오너 또는 리셉터 재료 사이특징으로 하는초전도체. [청구항 3] 제 2 항에 있어서,이온도체가 도오너 재료의 고체 또는 액체 또는 가스원으로부터 이동되는 재료에 걸쳐 전해질특징으로 하는초전도체. [청구항 4] 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,이온도체가 초전도재료의 적어도 얼마간의 외부면을 덮는 고체재료특징으로 하는초전도체. [청구항 6] 제 5 항에 있어서,원자가조절원소가 cu, bi, tl, mn 또는 fe의 하나특징으로 하는초전도체. [청구항 7] 제 2 항 내지 제 6 항의 어느 한 항에 있어서,원소가 이온도체를 통하여 이동되는 원소가 f- 또는 cu+ 임특징으로 하는초전도체. [청구항 8] 제 3 항 내지 제 7 항의 어느 한 항에 있어서,전해질이 고체특징으로 하는초전도체. [청구항 9] 제 4 항 내지 제 8 항의 어느 한 항에 있어서,초전도재료가 도선형태이고 이온도체가 도선외면 주위를 감싸는 형태특징으로 하는초전도체. [청구항 10] 제 4 항 내지 제 8 항의 어느 한 항에 있어서,초전도재료가 중공부재이고 이온도체가 중공내부 일부 또는 전체특징으로 하는초전도체. [청구항 11] 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,초전도재료 내의 통로, 채널, 공동 또는 덕트가 고체 도오너 또는 리셉터 재료로 채워짐특징으로 하는초전도체. [청구항 12] 제 9 항에 있어서,통로, 채널, 공동 또는 덕트가전도전극포함함을특징으로 하는초전도체. [청구항 14] 제 11 항에 있어서,산소강화 수준이 제조 및 관리동안 재료에 대해 최적 값으로 조절되고 따라서 그수준유지함을특징으로 하는초전도체. [청구항 15] 제 1 항 내지 제 12 항의 어느 항에 있어서,압분된 분말로 구성되는 초전도재료가 이온도체에 의해캡슐화됨을특징으로 하는초전도체. [청구항 16] 제 13 항에 있어서,이온도체가 초전도재료접촉함을특징으로 하는초전도체. [청구항 17] 제 2 항 내지 제 14 항의 어느 항에 있어서,이온도체가 초전도재료와 결합되고 또는 분리되는 물질의 원자 또는 이온에 쉽게 침투할 수 있는 재료층에 의해초전도체물질분리됨을특징으로 하는초전도체. [청구항 18] 제 2 항 내지 제 14 항의 어느 항에 있어서,이온성 및 초전도성 물질이 초전도성물질로부터 또는 초전도성물질로 침투하는 원자 또는 이온으로 나중 단계에서 침투할 수 있게 하는 얇은 변형성 지지물이나 스페이서에 의해분리됨을특징으로 하는초전도체. [청구항 19] 제 16 항에 있어서,지지물또는 스페이서가 전기도체임특징으로 하는초전도체. [청구항 20] 제 1 항 내지 제 16 항의 어느 항에 있어서,분말형 초전도물질이 적당한 이온도체형태로 제조 후 양극화 또는 산화되는관형용기내내포됨을특징으로 하는초전도체. [청구항 21] 제 18 항에 있어서,용기가금속합금형성됨을특징으로 하는초전도체. [청구항 22] 제 1 항에 있어서,초전도성이 산화스트론튬, 산화칼슘 또는 산화란탄을 함유하는 산화 비스무트 또는 y2o3zro2 또는 caozro2 의 고체 전해질을 통하여 산소의 첨가에 의해 달성되고유지됨을특징으로 하는초전도체. [청구항 23] 제 3 항에 있어서,전해질이 액체특징으로 하는초전도체. [청구항 24] 제 23 항에 있어서,액체 전해질이 용융탄산염특징으로 하는초전도체.