단축 도전 물품의 이용 document_id 1019890701828

[청구항 11] 제 10항에 있어서,상기 기판 중 적어도 하나는초소형회로 칩인것을특징으로 하는어셈블리. [청구항 14] 제 13항에 있어서,이방 도전 물품은 사실상 단축 도전성인것을특징으로 하는이방 도전 물품. [청구항 15] 제 13항에 또는 제 14항에 있어서,트 재료는 도전재료를 포함하는관통구멍갖는것을특징으로 하는이방 도전 물품. [청구항 16] 제 15항에 있어서,관통구멍의 도전재료는 나머지 관통구멍의 도전재료로부터전기적분리되어있는것을특징으로 하는이방 도전 물품. [청구항 17] 제 14항 또는 제 15항에 있어서,관통구멍들은 금속 관형성물로내부적도금되는것을특징으로 하는이방도전 물품. [청구항 18] 제 13항 내지 제 17항 중 어느 항에 있어서,열압축 본딩 가능한 재료는 금 금속으로 구성되고, 땜납본딩 가능한 재료는 적어도 하나의 다른금속구성되는것을특징으로 하는이방 도전 물품. [청구항 19] 제 13항 내지 제 18항 중 어느 항에 있어서,상기 통로의 양단부에금금속포함하는것을특징으로 하는이방 도전 물품. [청구항 20] 제 18항 또는 제 19항에 있어서,도전통로는 열압축 본딩될 수 없는 적어도 하나의 금속을 포함하고, 한 단부 또는 양단부에 적어도 2마이크로미터의 두께를 갖는금금속보유하는것을특징으로 하는이방 도전 물품. [청구항 21] 제 13항 내지 제 20항 중 어느 항에 있어서,도전재료는 통로의 땜납 본딩가능 단부를 본딩하기 위한땜납보유하는것을특징으로 하는이방 도전 물품. [청구항 22] 제 13항 내지 제 21항 중 어느항에 있어서,땜납 본딩가능 도전재료는 인접한시이트표면구역돌출하는것을특징으로 하는이방 도전 물품. [청구항 23] 제 13항 내지 제 21항 중 어느 항에 있어서,리세스보다 더 넓은 도전부재 표면이 리세스 위에 놓이기 위해 리세스를 포함하는 시이트표면과 접촉될 경우 도전부재와의 전기접촉이 형성되는 것을 피하기 위해 땜납본딩가능 도전재료가 시이트 표면의 훨씬 아래에서 끝난다는 점에서, 땜납본딩 가능 도전재료는시이트표면 레벨아래리세스에서끝나는것을특징으로 하는이방도전 물품. [청구항 24] 제 13항 내지 제 23항 중 어느 항에 있어서,의 기판상의 상응하는 연결위치 패턴과 면대면으로 정렬될 때 제 1의 기판상의 예정된 연결위치 패턴과 전기적 연결을 형성하기위하여, 이방도전 물품은 시이트 재료가 상응하는 연결위치 쌍과 접촉하고 있는 각 통로의 각 단부에 있는 도전재료를 갖는 기판 사이에 배열될 때 대향하는 연결을 형성하기 위해 상기 연결위치 패턴에 상응하는도전통로패턴갖는것을특징으로 하는이방 도전 물품. [청구항 25] 제 13항 내지 제 23항 중 어느 항에 있어서,이방 도전 물품의 적어도 일부는시이트표면의평방밀리미터당적어도25개의도전통로갖는것을특징으로 하는이방 도전 물품. [청구항 26] 제 13항 내지 제 25항 중 어느 항에 있어서,직접회로 반도체 장치상의 연결위치에 열압축 본딩되는 도전통로들중 적어도 일부의 열압축 본딩 가능한단부갖는것을특징으로 하는이방 도전 물품. [청구항 27] 제 26항에 있어서,마이크로일렉트릭 상호연결회로에 땜납본딩되는 도전통로중 적어도 일부의 땜납 본딩 가능한단부갖는것을특징으로하는이방 도전 물품. [청구항 28] 제 13항 또는 제 25항 중 어느항에 있어서,마이크로일렉트로닉 상호 연결회로에 열압축 본딩되는 도전통로들중 적어도 일부의 열압축 본딩 가능한단부갖는것을특징으로하는이방 도전 물품. [청구항 31] 제 19항에 있어서,본딩 가능한 재료는 상기통로의 한단부에 있는 제 1의 땜납과 상기통로의 다른 단부에 있는 제 2의땜납구성되는것을특징으로하는이방 도전 물품. [청구항 34] 제 33항에 있어서,금은 관통구멍에 도금된 다른 금속으로 된관형성물의적어도일부상도금되는것을특징으로 하는단축 도전 물품. [청구항 36] 제 35항에 있어서,기계적인 바람직하게 자동적인 공급수단에 의해 프로세싱 장치에 공급하기적당한것을특징으로 하는물품. [청구항 42] 제 41항에 있어서,테이퍼는 6°이하이하인것을특징으로하는방법, 어셈블리 또는 물품.