가공데이터 · 특허 지식베이스

집적된 반도체 장치 document_id 1019900000806

출원번호
1019900000806
분류
전기(H섹션)
문맥 (context)
[청구항 2] 제 1항에 있어서,플립플롭 구성에 대해, 게이트 바이어스 전암vgs가 고정되며, 게이트 절연 전계 효과 트랜지스터의 드레인과 소스 사이에 원하는 전압을 인가하기 위한 수단이 한편으로는 소스에서 접지로의 직접 연결로 이루어지며, 다른 한편으로는 저항성 부하 r1를 거쳐 전계효과 트랜지스터의 드레인이 디지탈 신호 ve 용 입력 e에 연결되어 이루어지고, 입력 e는 입력 전압의 평균 값, 저상성 부하 r1의 값과 형성된 회로가 네가티브 차동 드레인 콘덕턴스에 기인하여 두 개의 동작점을 갖는 값의 범위 내에서 선택되는 입력 전압의 평균 값의 양측에 펄스를 공급하며, 전계효과 트랜지스터의 드레인 s에서 이용가능한 디지탈 클럭 신호 vd에 인가되는 메모리 효과를 야기하는 것을특징으로하는집적된반도체 장치. [청구항 3] 제 1항에 있어서,발진기의 구성에 대해, 게이트 절연 전계효과 트랜지스터의 드레인과 소스 사이에 원하는 전압을 인가하기 위한 수단이 한편으로는 소스에서 접지로의 직접 연결로 이루어지며, 다른 한편으로는 인덕턴스 l의 일단과 캐패시턴스 c의 단을 각각 거쳐서 d·c공급원 vdd과 접지 사이에 연결되는 l-c직렬회로로 이루어지며, 인덕턴스 l와 캐패시턴스 c의 공통마디는 발진기의 출력 신호가 s가 형성되는 전계효과 트랜지스터의 드레인에 연결되고, d c공급원 vdd의 값은 전계효과 트랜지스터가 l-c 회로에 연결된 네가티브 컨덕턴스와 등가되도록 선택되는 것을특징으로하는집적된반도체 장치. [청구항 4] 제 3항에 있어서,발진기의 출력을 조절할 수 있도록 직류 게이트 바이어스 전압 vgs=v1이 트랜지스터가 네가티브 드레인 전도 구역을 갖는 범위에서 조절 가능하도록 된 것을특징으로하는집적된반도체 장치. [청구항 5] 제 3항 또는 제 4항에 있어서,예컨데 가변 캐패시터스로된 l-c회로의 캐패시턴스 c가 발진기의 동작 주파수의 조절을 가능하게 할 수 있도록 직류 전압 v2의 함수에 따라 가변 될 수 있도록 된 것을특징으로하는집적된반도체 장치. [청구항 6] 제 1항 내지 5항중 어느 한항에 있어서,게이트 절연 전계효과 트랜지스터는 게이트가 산화물층에 의해 채널로부터 절연된 형태로 된 것을특징으로하는집적된반도체 장치. [청구항 7] 제 1항 또는 5항중 어느 한항에 있어서,게이트 절연층이 게이트 절연 전계효과 트랜지스터의 채널을 형성하는 것을특징으로하는집적된반도체 장치. [청구항 8] 제 7항에 있어서,게이트 절연 전계효과 트랜지스터의 게이트가 금속으로 된 것을특징으로하는집적된반도체 장치. [청구항 9] 제 7항에 있어서,게이트 절연 전계효과 트랜지스터의 게이트가 반도체 물질로 만들어진것특징으로하는집적된반도체 장치. [청구항 10] 제 7항 내지 9항중 어느 한항에 있어서,게이트 절연 전계효과 트랜지스터의 기판이 반절연성 물질로 만들어진것특징으로하는집적된반도체 장치. [청구항 11] 제 7항내지 9항중 어느 한항에 있어서,게이트 절연 전계효과 트랜지스터의 기판은 전도성이며, 예컨데 도핑된 반도체 물질로 만들어진것특징으로하는집적된반도체 장치.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
집적된 반도체 장치의 발진기 구성에서, 발진기의 동작 주파수를 조절하기 위해 가변될 수 있는 캐패시턴스 C는 어떠한 요소에 따라 가변되는가?
추론 과정 (compact_reasoning)
  1. 1과제 해석task_interpretation

    발진기의 동작 주파수 조절을 위해 가변되는 캐패시턴스 C가 무엇에 따라 가변되는지 확인한다.

  2. 2정보 추출information_extraction

    청구항 5에서 캐패시턴스 C와 동작 주파수 조절, 그리고 가변 조건에 관한 내용을 추출한다.

    • 캐패시턴스 c가 발진기의 동작 주파수의 조절을 가능하게 할 수 있도록 직류 전압 v2의 함수에 따라 가변 될 수 있도록 된 것
  3. 3근거 선택evidence_selection

    캐패시턴스 C가 가변되는 직접적인 조건인 '직류 전압 v2의 함수'를 근거로 선택한다.

    • 직류 전압 v2의 함수에 따라 가변 될 수 있도록 된 것
  4. 4논리 통합logical_integration

    청구항 5에 따르면 캐패시턴스 C는 직류 전압 v2의 함수로서 동작 주파수 조절을 위해 가변된다.

    • 직류 전압 v2의 함수에 따라 가변 될 수 있도록 된 것
  5. 5결론 도출conclusion_formulation

    캐패시턴스 C는 직류 전압 v2의 함수에 따라 가변된다.

    • 직류 전압 v2의 함수에 따라 가변 될 수 있도록 된 것
  6. 6답변 생성answer_generation

    추출된 정보를 바탕으로 질문에 대한 최종 답변을 작성한다.

최종 답변 (final_answer)
직류 전압 v2의 함수
핵심 해석 (core_interpretation)
발진기의 동작 주파수를 제어하기 위해 가변 캐패시터로 구성된 L-C 회로의 캐패시턴스 C를 직류 전압 v2에 따라 가변시키는 기술적 구성에 관한 것이다.