촬상관과 그것을 사용한 촬상 장치 document_id 1019900001299

[청구항 2] 제1항에 있어서,상기의 타게트는 제1영역과 제2영역에 각각 대응하는 제1부와 제2부를 갖고, 상기의 제2부에 전압변동을 방지하기 위한수단구부된것을특징으로 하는촬상관. [청구항 3] 제1항에 있어서,전압변동을 방지하기 위한수단절연체인것을특징으로 하는촬상관 [청구항 4] 제1항에 있어서,전압변동을 방지하기 위한 수단은 박막형태로 이루어 진 것특징으로 하는촬상관. [청구항 5] 제1항에 있어서,상기의 전압변동을 방지하기 위한 수단은상기의제2영역형성된것을특징으로 하는촬상관. [청구항 6] 제1항에 있어서,상기의 전압변동을 방지하기 위한 수단은 타게트내매설된것을특징으로 하는촬상관. [청구항 8] 제7항에 있어서,상기의 절연성박막의 광도전막nan의내측이나표면형성된것을특징으로 하는촬상관. [청구항 9] 제7항에 있어서,유효주사영역을 제외한적어도상기광도전막의일부분을절연성교체하는것을특징으로 하는촬상관. [청구항 10] 제7항에 있어서,상기 절연성박막의 저항은 광도전막의 암저항보다 폰은 것특징으로 하는촬상관. [청구항 11] 제7항에 있어서,상기 절연성박막은 비저항이 1012ω-㎝이상인재료구성된것을특징으로 하는촬상관. [청구항 12] 제10항에 있어서,상기의 절연성 박막은 다른 재료로서 구성된 복수의 단층막을 적층하여 형성된 복합막과 단층막의 하나를 포함하고, 상기의 단층막은 mg, al, si, ti, mn, zn, ge, y, nb, sb, ta, bi의 군중에서 선택한 적어도 한 개의 산화물;lim na, mg, al k, ca, ge, sr, ln, ba의 군중에서 선택한 적어도 한 개의 불화물, b, ai, si, 탄화실리콘, 황화아연, 폴리이미드 절연물의 군중에서 선택한 적어도 한개의질화물구성된것을특징으로 하는촬상관. [청구항 13] 제7항에 있어서,상기 기판의 적어도 일부분을 절연성 글라스로 형성하고 상기의 타게트 전극을 절연성 그라스 상에 확장된도전막형성하는것을특징으로 하는촬상관. [청구항 14] 제13항에 있어서,기판(101)상에 확장되어 형성된 상기의 도전막은 유효주사영역에 대응하는 막부분과 유효주사영역을 제외한 영역에 대응하는 막부분으로 분할되고,상기의막부분서로절연된것을특징으로 하는촬상관. [청구항 15] 제14항에 있어서,상기의 유효주사영역에 대응하는 막부분을 투광성도전막형성된것을특징으로 하는촬상관. [청구항 16] 제14항에 있어서,상기의 각각 분할되어 절연된 막부분은 기판을 통과하는복수의전극핀연결된것을특징으로 하는촬상관. [청구항 17] 제7항에 있어서,상기의 기판은 입사된 x선을 투과시킬 수 있는재료구성된것을특징으로 하는촬상관. [청구항 18] 제17항에 있어서,상기 기판의 적어도 일부분은 be와 ti중의 한가지의박판구성된것을특징으로 하는촬상관. [청구항 19] 제7항에 있어서,트 주사 측 표면의 유효주사 영역 외에서 방출되는 2차전자 방출을 유효주사영역내의 타게트 표면에서 방출되는 2차 전자방출보다 작게 한 것특징으로 하는촬상관. [청구항 20] 제7항에 있어서,상기 유효주사영역을 제외한 타게트 표면의 적어도 일부는다공질층구성된것을특징으로 하는촬상관. [청구항 21] 제20항에 있어서,적어도 상기 다공질 층의 일부는 단층막과 다른 재료로서 구성된 복수의 단층막을 적층하여 얻은 복합막 중의 하나로 형성되고, 상기의 단층막은 제12항의 재료 중에서 선택한 적어도 하나의 재료와 zn, cd, ga, in, si, ge, sn, as, sb, pb, bi중에서 선택한 적어도 하나의 화합물과 s, se, te의 군중에서 선택한적어도하나의화합물구성된것을특징으로 하는촬상관. [청구항 22] 제7항에 있어서,상기의 타게트 전극으로부터 광도전막으로 주입되는 적어도 하나의 정공과, 전자 비임으로부터 광도전막으로 주입되는 전자를 저지하기 위한층구성된것을특징으로 하는촬상관. [청구항 23] 제7항에 있어서,적어도 상기 광도전막의 일부분에는 se를 주성분으로 하는다공질반도체형성된것을특징으로 하는촬상관. [청구항 24] 제7항에 있어서,유효주사영역의 광도전막 내에서 전하의 애벌란시중배가 발생될 수 있도록 상기 타게케트 전극에전압공급하는것을특징으로 하는촬상관. [청구항 26] 제25항에 있어서,트의 비주사영역내의 광도전막 표면상이나 내부에고저항절연막형성한것을특징으로 하는촬상관. [청구항 28] 제27항에 있어서,상기의 타게트부내의 평형을 위한수단설치한것을특징으로 하는촬상장치. [청구항 29] 제27항에 있어서,상기 광도전영역은 캐리어를 증배하기 위한비정질반도체영역포함하는것을특징으로 하는촬상장치. [청구항 30] 제29항에 있어서,상기 비정질 반도체 영역내에서 캐리어 전하 증배를 일으킬 수 있도록 타게트부에 전계를 공급하기 위한전원포함하는것을특징으로 하는촬상장치. [청구항 31] 제29항에 있어서,상기의 비정질 반도체영역nan은구성된것을특징으로 하는촬상장치. [청구항 32] 제27항에 있어서,상기의 타게트부는 상기의 제1표면과 제2표면에 각각 대응하는 제1부와 제2부를 포함하고, 제2부내에 평형을 위한수단설치된것을특징으로 하는촬상장치. [청구항 33] 제27항에 있어서,상기의 평형을 위한 수단은절연 재료구성된것을특징으로 하는촬상장치.