박막 트랜지스터 및 그것을 사용하는 액정 표시 패널 document_id 1019900002568

[청구항 2] 제 1 항에 있어서,개혹은 그 이상의 층을 가진게이트절연막구성되는것을특징으로 하는박막트랜지스터. [청구항 3] 제 1 항에 있어서,개혹은 그 이상의층을 가진 게이트절연막으로 구성되고 다수의 전극들이게이트절연막사이에있는것을특징으로 하는박막트랜지스터. [청구항 4] 제 1 항 내지 제3항중 어느 한 항에 있어서,활성층이비결정의규소구성되는것을특징으로 하는박막트랜지스터. [청구항 5] 제 1 항에 있어서,채널중앙부분의 측면위에 있는 소오스전극의 측면가장자리(이후, sc 면이라 칭함)와 소오스전극의 측면위에 있는 게이트절연체의 실효두께가 채널중앙부분에 있는 게이트절연체의 실효두께 보다 커지기 시작하는 경계표면(이제부터, bs 면이라 칭함)사이에 서로 접하는 표면거리가 다음 방정식(ⅰ)을 만족하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터.ls 7㎛ (ⅰ)(단, bs면이 sc면보다 채널중앙부분에서 가까울때 △ls 〉 0으로 정의되고 : bs면과 sc면이 동일평면내에 있을때 △ls = 0으로 정의되고 : sc면이 bs면보다 채널중앙부분에서 가까울때 △ls 〈 0이 되고 방정식(ⅰ)에서 △ls 는 음의 값가질 수있다). [청구항 6] 제 1 항에 있어서,채널중앙부분의 측면위에 있는 드레인전극의 측면가장자리(이제부터, dc면이라 칭함)와 드레인전극의 측면위에 있는 게이트절연체의 실효두께가 채널중앙부분에 있는 게이트절연체의 실효두께보다 커지기 시작하는 경계면(이제부터, bd 면이라 칭함)사이에 서로 접하는 표면거리가 다음 방정식(ⅱ)를 만족하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터. ld - 3㎛ (ⅱ)(단, bd면이 dc면보다 채널중앙부분에서 더가까울때 △ld 〉 0으로 정의되고 ; bd면과 dc면이 동일평면내에 있을때 △ld = 0으로 정의되고 ; dc면이 bd면보다 채널중앙부분에서 더 가까울때 △ld 〈 0이 되고 방정식(ⅱ)에서 △ld 는 양의 값가질 수있다). [청구항 7] 제 1 항에 있어서,번째게이트절연체는 양극산화에 의해 형성된 산화막으로 구성되어 있고, 산화막이 형성되지 않은 콘택트홀이 첫번째게이트 전극위의 부분에 위치하며 두번째게이트 전극이 콘택트홀에서전기적연결되어있는것을특징으로하는박막트랜지스터. [청구항 8] 제 7 항에 있어서,아래순서대로 반도체기판위에 혹은 절연기판위에 박막으로된 제1게이트전극, 제1게이트절연체, 제2게이트전극, 제2게이트절연체, 활성층, 소오스전극, 그리고 드레인전극구성되어있는것을특징으로하는박막트랜지스터. [청구항 9] 제8항에 있어서,보호막층이활성층위박막으로된것을특징으로하는박막트랜지스터. [청구항 10] 제7항, 제8항 또는 제9항에 있어서,콘택트홀을 포함하는 전도층이제2게이트전극위형성되는것을특징으로 하는박막트랜지스터. [청구항 13] 제 1 항에 있어서,게이트절연체는 게이트전극으로된 금속을 양극산화시켜 형성된산화막구성된것을특징으로하는박막트랜지스터. [청구항 14] 제13항에 있어서,게이트절연체는 양극산화와 산화막과 구분되는 다른종류의 절연체에 의해서 형성되는혼합산화막구성되는것을특징으로 하는박막트랜지스터. [청구항 15] 제14항에 있어서,막두께가 보다 얇게 형성된 게이트절연체의 부분이 다른종류의절연체구성되는것을특징으로 하는박막트랜지스터. [청구항 16] 제14항에 있어서,종류의 절연체가질화규소막으로되는것을특징으로하는박막트랜지스터. [청구항 17] 제15항에 있어서,종류의 절연체가산화규소막으로되는것을특징으로하는박막트랜지스터. [청구항 18] 제16항에 있어서,활성층으로 구성된 재질이 환원된비결정규소로되는것을특징으로하는박막트랜지스터. [청구항 19] 제14항에 있어서,활성층으로 구성된 재질이 환원된비결정규소로되는것을특징으로하는박막트랜지스터. [청구항 20] 제15항에 있어서,활성층으로 구성된 재질이 환원된비결정규소로되는것을특징으로하는박막트랜지스터. [청구항 21] 제17항에 있어서,활성층으로 구성된 재질이 환원된비결정규소로되는것을특징으로하는박막트랜지스터. [청구항 22] 제13항 내지 제22항중 어느 한 항에 있어서,알미늄 혹은 알미늄을 주성분으로 하는금속을게이트전극사용되는것을특징으로하는박막트랜지스터. [청구항 23] 제13항 내지 제22항중 어느 한 항에 있어서,탈륨혹은 탄탈륨을 주성분으로하는 금속이게이트전극사용되는것을특징으로하는박막트랜지스터.