우선순위 인코우더 document_id 1019900004224

[청구항 1] 아날로그 신호를 공통으로 입력하여 전병렬 비교하기 위한 2 m 개의 비교기들의 출력 우선순위로 인코딩하여 m비트 디지탈 신호로 출력하는 우선순위 인코우더에 에 있어서 상기 비교기들의 출력에 연결되는 입력측 뉴런군 상기 디지탈 신호의 각 비트에 대응하는 출력측 뉴런군 상기 비교기들의 출력값중에서 가장 최상위 데이타선의 입력에 대한 디지탈 신호를 출력하기 위하여 상기 입력측 뉴런군과 상기 출력측 뉴런군을 연결하는 시냅스군 상기 비교기들의 모든 출력값이 논리상태 로우(0)일때 상기 각 출력측 뉴런의 입력라인에 제1전원전압을 공통으로 결합하기 위한 바이어스군 그리고 상기 출력측 뉴런군의 출력을 각각 반전시키기 위한 인버터들을 구비한 것을 특징으로 하는 우선순위 인코우더 [청구항 2] 제1항에 있어서,상기 입ㆍ출력측 뉴런군들의 각각은 직렬로 연결된 2개의 cmos 인버터로 한 것을특징으로하는우선순위 인코우더. [청구항 3] 제1항에 있어서,상기 바이어스군의 각각은 드레인전극에 제1전원전압이 가해지고, 게이트전극에 제2전원전압이 공통적으로 가해지며, 소오스전극이 출력측 뉴런군의 입력라인들에 각각 연결된 pmos 트랜지스터를 구비함을특징으로하는우선순위 인코우더. [청구항 4] 제3항에 있어서,상기 시냅스군은 상기 입력측 뉴런군의 입력이 순차적으로 '1'이 됨에 따라 가장 최상위 데이타선의 입력에 대한 인코딩값을 출력하기 위하여, 상기 최상위 데이타선의 입력에 대응한 4비트 2진수 표시의 1에 해당하는 상기 입력측 뉴런군의 출력 라인들과 상기 출력측 뉴런군의 입력라인들의 교차부에서, 게이트 전극이 상기 출력라인에 연결되고, 드레인 전극이 상기 입력라인에 연결되며, 소오스전극에 제2전원 전압이 가해지는 nmos 트랜지스터들과; 상기 nmos 트랜지스터들의 웨이드 값을 상쇄시키기 위하여, 짝수번째 입력측 뉴런들의 첫번째 인버터의 출력라인들과 상기 출력측 뉴런군의 입력라인들의 교차부에서 게이트 전극이 상기 첫번째 인버터의 출력 라인에 연결되고, 소오스 전극이 출력측 뉴런군의 입력 라인에 연결되며, 드레인전극에 제1전원전압이 가해지는 pmos 트랜지스터들을 구비한 것을특징으로하는우선순위 인코우더. [청구항 5] 제4항에 있어서,상기 시냅스군의 연결세기는 pmos 및 nmos 트랜지스터의 컨덕턴스 값으로 한 것을특징으로하는우선순위 인코우더. [청구항 6] 제5항에 있어서,상기pmos 혹은 nmos 트랜지스터의 컨덕턴스값은 mos 트랜지스터의 기하학적 형상비(w/l)로 설정하는 것을특징으로하는우선순위 인코우더. [청구항 7] 제6항에 있어서,상기nmos 트랜지스터의 컨덕턴스값은 일정하게 고정하고, 상기 pmos 트랜지스터의 컨덕턴스값은 상기 nmos 트랜지스터의 컨덕턴스 값을 상쇄시키기 위하여 지정되는 것을특징으로하는우선순위 인코우더. [청구항 8] 제7항에 있어서,상기nmos트랜지스터의 컨덕턴스 값(w/l)은 2㎛2㎛로 하고, 상기 pmos 트랜지스터의 컨덕턴스 값(w/l) 은 lsb 단이 5㎛/2㎛, d1단이 10㎛/2㎛, d2 단이 20㎛/2㎛로 지정되는 것을특징으로하는우선순위 인코우더.