가공 특허 1019900004346

출원번호: 1019900004346
분류: 전기(H섹션)

문맥 (context)

[청구항 2] 제1항에 있어서,상기 제1전원은 외부전원이고, 상기 제2전위는 내부전원의 전위와 같은 것특징으로 하는mos형 충전회로. [청구항 3] 제1항 또는 제2항에 있어서,상기 제어회로가 cmos전류미러인것을특징으로 하는mos형 충전회로. [청구항 4] 제1항 내지 제3항에 있어서,상기mos트랜지스터가, 이 mos트랜지스터가 턴온될 때 상기 부하회로를 통해 일정한 전류가 흐르게 하는정전류원포함하도록된것을특징으로 하는mos형 충전회로. [청구항 5] 제1항 내지 제4항에 있어서,상기 제어회로가 상기 제2전위를 갖는 전원의 단자와 상기 mos트랜지스터의 다른쪽 단자를 선택적으로 활성화시켜 주는 활성화회로를 포함하도록 된된것을특징으로 하는mos형 충전회로. [청구항 6] 제1항에 있어서,상기 제1전원은 외부전원이고, 상기 제2전위는내부전원의전위설정되도록된것을특징으로 하는mos형 충전회로. [청구항 7] 제6항에 있어서,상기 제어회로가 cmos전류미러회로인것을특징으로 하는mos형 충전회로. [청구항 8] 제6항 또는 제7항에 있어서,상기mos트랜지스터가, 이 mos트랜지스터가 턴온될 때 상기 부하회로를 통해 일정한 전류가 흐르게 하는 정전류원을 구비하여구성되도록된것을특징으로 하는mos형 충전회로. [청구항 9] 제6항 또는 제8항에 있어서,상기 제어회로가 상기 제2전위를 갖는 전원의 단자와 상기 mos트랜지스터의 다음쪽 단자를 선택적으로 활성화시켜 주는활성화회로포함하도록된것을특징으로 하는mos형 충전회로. [청구항 11] 제1항에 있어서,상기 제어회로가, 이 제어회로에 제어신호가 입력되더라도 상기 mos트랜지스터의 다른쪽 단자의 전위가 상기 제2전위보다 높아지게 되면 그 제어회로를 비활성화상태로 만들어주는비활성화회로더포함하도록된것을특징으로 하는mos형 충전회로. [청구항 12] 제11항에 있어서,상기 제1전원은 외부전원이고, 상기 제2전위는 내부전원의 전위와 같은 것특징으로 하는mos형 충전회로. [청구항 13] 제11항 내지 제12항에 있어서,상기 제어회로가 cmos전류미러인것을특징으로 하는mos형 충전회로. [청구항 14] 제10항 내지 제13항에 있어서,상기mos트랜지스터가, 이 mos트랜지스터가 턴온될 때 상기 부하회로를 통해 일정한 전류가 흐르게 하는정전류원포함하도록된것을특징으로 하는mos형 충전회로. [청구항 15] 제11항 내지 제14항에 있어서,상기 제어회로가 상기 제2전위를 갖는 전원의 단자와 상기 mos트랜지스터의 다른쪽 단자를 선택적으로 활성화시켜 주는활성화회로포함하도록된것을특징으로 하는mos형 충전회로. [청구항 16] 제11항에 있어서,상기 제1전원은 외부전원이고, 상기 제2전위는내부전원의전위설정되도록된것을특징으로 하는mos형 충전회로. [청구항 17] 제16항에 있어서,상기 제어회로가 cmos전류미러회로인것을특징으로 하는mos형 충전회로. [청구항 18] 제16항 또는 제17항에 있어서,상기mos트랜지스터가, 이 mos트랜지스터가 턴온될 때 상기 부하회로를 통해 일정한 전류가 흐르게 하는 정전류원을 구비하여구성되도록된것을특징으로 하는mos형 충전회로. [청구항 19] 제16항 또는 제18항에 있어서,상기 제어회로가 상기 제2전위를 갖는 전원의 단자와 상기 mos트랜지스터의 다른쪽 단자를 신택적으로 활성화시켜 주는활성화회로포함하도록된것을특징으로 하는mos형 충전회로.

지시문 (instruction)

주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.

질문 (question)

MOS형 충전회로에서 제어회로가 제어신호의 입력에도 불구하고 MOS 트랜지스터의 다른쪽 단자 전위가 제2전위보다 높아질 경우, 제어회로를 비활성화 상태로 만드는 구성요소는 무엇인가?

추론 과정 (compact_reasoning)

1과제 해석task_interpretation

MOS형 충전회로에서 제어신호 입력 시에도 MOS 트랜지스터의 단자 전위가 제2전위보다 높아질 경우, 제어회로를 비활성화시키는 구성요소를 찾는 것이다.
2정보 추출information_extraction

청구항 11에서 제어회로의 동작 조건과 비활성화 메커니즘에 관한 내용을 추출한다.
- 상기 제어회로가, 이 제어회로에 제어신호가 입력되더라도 상기 mos트랜지스터의 다른쪽 단자의 전위가 상기 제2전위보다 높아지게 되면 그 제어회로를 비활성화상태로 만들어주는비활성화회로더포함하도록된것
3근거 선택evidence_selection

질문에서 요구하는 '비활성화 상태로 만드는 구성요소'를 직접적으로 명시한 구절을 선택한다.
- 그 제어회로를 비활성화상태로 만들어주는비활성화회로
4논리 통합logical_integration

제어신호가 입력되어도 특정 전위 조건(제2전위보다 높음)이 만족되면 비활성화회로가 작동하여 제어회로를 비활성화시킨다는 논리를 연결한다.
- 상기 제어회로가, 이 제어회로에 제어신호가 입력되더라도 상기 mos트랜지스터의 다른쪽 단자의 전위가 상기 제2전위보다 높아지게 되면 그 제어회로를 비활성화상태로 만들어주는비활성화회로더포함하도록된것
5결론 도출conclusion_formulation

질문에 대한 답으로 '비활성화회로'를 도출한다.
6답변 생성answer_generation

추출된 구성요소 명칭을 최종 답변으로 작성한다.

최종 답변 (final_answer)

비활성화회로

핵심 해석 (core_interpretation)

MOS형 충전회로에서 MOS 트랜지스터의 단자 전위가 특정 기준(제2전위)보다 높아지는 비정상적인 상황 발생 시, 제어회로를 자동으로 비활성화하여 회로를 보호하거나 제어하는 비활성화회로의 기능을 포함한다.