문맥 (context)
[청구항 2]
제1항에 있어서,상기 터널 영역이상기소오스영역의채널측면내에있는것을특징으로 하는메모리 셀.
[청구항 3]
제1항에 있어서,상기 터널 영역이 상기 실리콘 산화물의 두꺼운 층 및 상기 필드 산화물의 교차점에서상기소오스영역위에있는것을특징으로 하는메모리 셀.
[청구항 4]
제1항에 있어서,상기 터널 영역이 실리콘 산화물의 두꺼운 층 및 상기 필드 산화물의 상기 교차점에서 상기 소오스 영역 위에 있고, 제2터널 영역이 상기 실리콘 산화물의 두꺼운 층 및 필드 산화물의 교차점에서상기드레인 영역위에있는것을특징하는메모리 셀.
[청구항 5]
제1항에 있어서,상기 반도체 본체가 실리콘이고상기소오스및드레인 영역이형인것을특징으로 하는메모리셀.
[청구항 6]
제1항에 있어서,상기 부동 게이트 및 상기 제어 게이트가다결정 실리콘층인것을특징으로 하는메모리셀.
[청구항 7]
제1항에 있어서,상기 실리콘 산화물이 상기 채널 영역에서의 상기 게이트 절연체 피막보다 두꺼운 것특징으로 하는메모리 셀.
[청구항 8]
제1항에 있어서,상기 제어 게이트가 상기 면을 따라 연장되는 연장된워드라인부분인것을특징으로 하는메모리 셀.
[청구항 9]
제1항에 있어서,상기 제어 게이트가상기부동게이트의연부일치하는것을특징으로 하는메모리 셀.
[청구항 10]
제1항에 있어서,이곳에는 상기 소오스 또는 드레인, 영역 사이에 형성된 접촉이 없고 상기 셀 부근에도전체층중첩하는것을특징으로 하는메모리 셀.
[청구항 11]
제1항에 있어서,상기 터널 영역이 산화물 에칭에 의해조절되는것을특징으로 하는메모리 셀.
[청구항 12]
제1항에 있어서,상기 터널 영역이자기정합된것을특징으로 하는메모리셀.
[청구항 13]
제1항에 있어서,상기 메모리 셀이 필드 산화물 영역에 의해 다른 방향으로셀들분리된것을특징으로 하는메모리 셀.
[청구항 14]
제1항에 있어서,상기 셀이 트렌치하부의 도프된 영역에 의해 다른 방향으로셀들분리된것을특징으로 하는메모리 셀.
[청구항 22]
제15항에 있어서,상기 불순물이 상기 터널 상하부의 영역내로별도주입되는것을특징으로 하는방법.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
제1항의 메모리 셀에 대하여, 터널 영역이 실리콘 산화물의 두꺼운 층과 필드 산화물의 교차점에서 소오스 영역 위에 위치하고, 제2터널 영역이 동일한 교차점에서 드레인 영역 위에 위치하는 구성은 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation질문에서 요구하는 특정 구성(터널 영역과 제2터널 영역의 위치 관계)을 포함하고 있는 청구항을 찾는 것이다.
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2정보 추출
information_extraction질문의 조건인 '터널 영역이 실리콘 산화물의 두꺼운 층과 필드 산화물의 교차점에서 소오스 영역 위에 위치'하고, '제2터널 영역이 동일한 교차점에서 드레인 영역 위에 위치'하는 구성을 추출한다.
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3근거 선택
evidence_selection청구항 4에서 질문의 조건과 정확히 일치하는 문구를 확인한다.
- 상기 터널 영역이 실리콘 산화물의 두꺼운 층 및 상기 필드 산화물의 상기 교차점에서 상기 소오스 영역 위에 있고, 제2터널 영역이 상기 실리콘 산화물의 두꺼운 층 및 필드 산화물의 교차점에서상기드레인 영역위에있는것을특징하는메모리 셀
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4논리 통합
logical_integration청구항 4의 내용이 질문에서 제시한 터널 영역 및 제2터널 영역의 위치적 특징을 모두 포함하고 있음을 확인한다.
- 상기 터널 영역이 실리콘 산화물의 두꺼운 층 및 상기 필드 산화물의 상기 교차점에서 상기 소오스 영역 위에 있고, 제2터널 영역이 상기 실리콘 산화물의 두꺼운 층 및 필드 산화물의 교차점에서상기드레인 영역위에있는것을특징하는메모리 셀
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5결론 도출
conclusion_formulation질문에 대한 답변으로 해당 구성을 포함하는 메모리 셀임을 도출한다.
- 상기 터널 영역이 실리콘 산화물의 두꺼운 층 및 상기 필드 산화물의 상기 교차점에서 상기 소오스 영역 위에 있고, 제2터널 영역이 상기 실리콘 산화물의 두꺼운 층 및 필드 산화물의 교차점에서상기드레인 영역위에있는것을특징하는메모리 셀
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6답변 생성
answer_generation추출된 문구를 바탕으로 최종 답변을 작성한다.
- 상기 터널 영역이 실리콘 산화물의 두꺼운 층 및 상기 필드 산화물의 상기 교차점에서 상기 소오스 영역 위에 있고, 제2터널 영역이 상기 실리콘 산화물의 두꺼운 층 및 필드 산화물의 교차점에서상기드레인 영역위에있는것을특징하는메모리 셀
최종 답변 (final_answer)
실리콘 산화물의 두꺼운 층과 필드 산화물이 교차하는 지점 중 소오스 영역 위에 형성된 터널 영역과, 동일한 유형의 교차점 중 드레인 영역 위에 형성된 제2터널 영역을 함께 갖는 메모리 셀 구조이다.
핵심 해석 (core_interpretation)
메모리 셀의 터널 영역과 제2터널 영역이 실리콘 산화물과 필드 산화물의 교차점을 기준으로 각각 소오스 영역과 드레인 영역 상에 배치되는 구조적 특징을 정의함.