신호지연회로 document_id 1019900011076

[청구항 1] 공급전압과 접지전압의 사이에 연결되고, 적어도 하나 이상의 입력신호를 접수하여 소정 스레쉬홀드전압을 각각 가지는 풀업 pmos 트랜지스터와 풀다운 nmos 트랜지스터를 포함하고, 이들의 공통드레인노드에 상기 공급전압과 접지전압사이의 스윙폭을 가지는 출력신호를 구동하기 위한 구동회로수단 그리고 상기 공통드레인노드에 결합되고, 상기 공급전압의 변동범위내에서 전압에 따라 증가되는 캐패시턴스 특성을 가지는 바랙터부하수단을 구비하여서 된 것을 특징으로 하는 신호지연회로 [청구항 2] 제1항에 있어서,상기 바랙터부하수단은 상기 공통드레인노드의 출력신호와, 기준전압의 사이에 결합되는 mos바랙터구비하는것을특징으로 하는신호지연회로. [청구항 3] 제2항에 있어서,상기mos 바랙터는 p+ 소오스전극이 상기 출력신호에 결합되고, 게이트전극이 상기 기준전압에 결합되는 제1pmos바랙터구비한것을특징으로 하는신호지연회로. [청구항 4] 제2항에 있어서,상기mos 바랙터는 n+ 소오스전극이 상기 기준전압에 결합되고, 게이트전극이 상기 출력신호에 결합되는 제1nmos바랙터구비한것을특징으로 하는신호지연회로. [청구항 5] 제3항에 있어서,상기mos 바랙터는 p+ 소오스전극이 상기 출력신호에 결합되고, 게이트전극이 상기 접지전압에 결합되는 제2pmos바랙터더구비한것을특징으로 하는신호지연회로. [청구항 6] 제3항에 있어서,상기mos 바랙터는 게이트전극이 상기 출력신호에 결합되고, n+ 소오스전극이 상기 접지전압에 결합되며, 스레쉬홀드전압이 상기 풀다운 nmos 트랜지스터의 스레쉬홀드전압보다 높지 않도록 된 nmos바랙터더구비한것을특징으로 하는신호지연회로. [청구항 7] 제4항에 있어서,상기mos 바랙터는 p+ 소오스전극이 상기 출력신호에 결합되고 게이트전극이 상기 접지전압에 결합되는 pmos바랙터더구비한것을특징으로 하는신호지연회로. [청구항 8] 제4항에 있어서,상기mos 바랙터는 게이트전극이 상기 출력신호에 결합되고, n+ 소오스전극이 상기 접지전압에 결합되며, 스레쉬홀드전압 보다 높지않도록 된 제2nmos바랙터더구비한것을특징으로 하는신호지연회로. [청구항 9] 제1항부터 제8항중 어느 한항에 있어서,상기 기준전압nan은상기공급전압과접지전압의사이의전압값갖는것을특징으로 하는신호지연회로. [청구항 10] 공급전압과 접지전압의 사이에 연결되고, 적어도 하나 이상의 입력신호를 접수하여 소정 스레쉬홀드전압을 각각 가지는 풀업 pmos 트랜지스터와 풀다운 nmos 트랜지스터의 공통드레인노드에 상기 공급전압과 접지전압사이의 스윙폭을 가지는 출력신호를 구동하기 위한 구동회로수단 그리고 상기 공통드레인노드에 가해지는 상기 출력신호에 p + 소오스전극이 결합되고 게이트전극이 상기 접지전압에 결합되며, 상기 구동회로수단의 풀업 pmos 트랜지스터의 스레쉬홀드전압 보다 큰 스레쉬홀드전압을 가지고 상기 공급전압의 변동범위내에서 전압에 따라 증가하는 캐패시턴스 특성을 가지는 제1pmos 바랙터를 포함하는 바랙터부하수단을 구비하여서 된 것을 특징으로 하는 신호지연회로 [청구항 11] 제10항에 있어서,상기 바랙터부하수단을 p+ 소오스 전극이 상기 출력신호에 결합되고 게이트전극이 상기 접지전압에 결합되며 상기 구동회로수단의 풀업 pmos 트랜지스터의 스레쉬홀드전압과 동일한 스레쉬홀드전압을 가지는 제2pmos바랙터더구비하여서된것을특징으로 하는신호지연회로. [청구항 12] 제10항에 있어서,상기 바랙터부하수단은 게이트전극이 상기 출력신호에 결합되고, n+ 소오스전극이 상기 접지전압에 결합되며, 상기 구동회로수단의 상기 풀다운 nmos 트랜지스터의 스레쉬홀드전압과 동일한 스레쉬홀드전압을 가지는 nmos바랙터더구비하는것을특징으로 하는신호지연회로.