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고신뢰성 반도체 장치 document_id 1019900014002

출원번호
1019900014002
분류
전기(H섹션)
문맥 (context)
[청구항 1] 제1전도형의 반도체기판 ; 상기 반도체기판내에 표면으로부터 일정 깊이를 가지고 형성되는 제2전도형의 얕은 접합영역 상기 반도체기판상에 절연층을 개재하여 형성되고, 상기 절연층에 형성된 콘택홀을 통하여 상기 얕은 접합영역과 접촉되며,출력단자와 연결되는 저저항 배선층 및 상기 얕은접합영역내의 콘택트영역을 포함하는 영역을 가지고, 상기 출력단자에 가해지는 정전기에 의해 상기 저저항배선층과 상기 얕은 접합영역의 콘택부위에서 상기 반도체기파내로 발생되는 접합파괴부분을 충분히 감쌀수 있을 정도의 깊이를 가지도록 상기 반도체 기판내에 형성되는 제2전도형의 깊은 접합영역을 구비한 것을 특징으로 하는 고신뢰성 반도체장치 [청구항 2] 제1항에 있어서,접합영역은 mos트랜지스터의 소오스 또는 드레인층인것을특징으로 하는고신뢰성 반도체장치. [청구항 3] 제1항에 있어서,상기 저저항배선층은 알루미늄(al)을 기본재료로 하고실리콘포함하는것을특징으로 하는고신뢰성 반도체장치. [청구항 4] 제1항에 있어서,상기 저저항배선층은 알루미늄(al)을 기본재료로 하고실리콘및구리포함하는것을특징으로 하는고신뢰성 반도체장치. [청구항 5] 제1항에 있어서,상기 저저항배선층은 고농도로 도우핑된다결정실리콘으로된것을특징으로 하는고신뢰성 반도체장치. [청구항 6] 제1항에 있어서,상기 저저항배선층은 고농도로 도우핑된 다결정실리콘층과 고융점그속 및 실리콘으로 된금속실리사이드층의복합층구성되는것을특징으로 하는고신뢰성 반도체장치. [청구항 7] 제1항에 있어서,상기 저저항배선층nan은고융점 금속층또는금속실리사이드층구성되는것을특징으로 하는고신뢰성 반도체장치. [청구항 8] 제6항 또는 제7항에 있어서,고융점금속은 텅스텐(w), 티타늄(ti), 탄탈륨(ta), 몰리브덴(mo)및 코발트(co)중의 하나특징으로 하는고신뢰성 반도체장치. [청구항 9] 제1항에 있어서,접합영역은 cmos반도체장치의웰형성시동시형성되는것을특징으로 하는고신뢰성 반도체장치. [청구항 10] 제1항에 있어서,상기 반도체기판은 p형이고 깊은접합영역인것을특징으로 하는고신뢰성 반도체장치. [청구항 11] 제1항에 있어서,상기 반도체기판은 n형이고 깊은접합영역인것을특징으로 하는고신뢰성 반도체장치. [청구항 12] 제1전도형의 반도체기판내에 형성된 제2전도형의 웰내에 제1전도형의 채널을 가지는 제1mos트랜지스터 상기 반도체기판에 형성되고 제2저도형의 채널을 가지는 제2mos트랜지스터 및 상기 제1mos 트랜지스터와 상기 제2mos트랜지스터의 사이의 상기 반도체 기판에 형성되고 제2전도형의 채널을 가지는 제3트랜지스터를 구비하되, 상기 제2mos트랜지스터는 소오스 및 드레인 영역내에 소오스 및 드레인콘택을 포함하고, 상기소오스 혹은 드레인 콘낵부위에서 정전기에 의해 상기 반도체 기판내로 발생되는접합파괴부분을 충분히 감쌀 수 있을 정도의 깊이를 가지는 것을 특징으로 하는 고신뢰성 반도체장치 [청구항 13] 제12항에 있어서,상기 제2트랜지스터의 제2전도형의 깊은 접합영역은상기제2전도형의웰형성시동시형성되는것을특징으로 하는고신뢰성 반도체장치. [청구항 14] 제13항에 있어서,상기 제1전도형은 p형이고제2전도형인것을특징으로 하는고신뢰성 반도체장치. [청구항 15] 제13항에 있어서,상기 제1전도형은 n형이고제2전도형인것을특징으로 하는고신뢰성 반도체장치. [청구항 16] 제12항에 있어서,제2트랜지스터는반도체장치의출력단위출력트랜지스터인것을특징으로 하는고신뢰성 반도체장치.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
고신뢰성 반도체 장치에서 제2전도형의 깊은 접합영역은 정전기에 의해 발생하는 어떤 현상을 방지하기 위해 어떠한 구조적 특징을 갖는가?
추론 과정 (compact_reasoning)
  1. 1과제 해석task_interpretation

    제2전도형의 깊은 접합영역이 정전기로 인한 어떤 현상을 방지하며, 이를 위해 어떤 구조적 특징을 갖는지 파악해야 한다.

  2. 2정보 추출information_extraction

    청구항 1에서 정전기에 의해 발생하는 현상은 '접합파괴'이며, 깊은 접합영역은 이를 '충분히 감쌀 수 있을 정도의 깊이'를 가진다.

    • 출력단자에 가해지는 정전기에 의해 상기 저저항배선층과 상기 얕은 접합영역의 콘택부위에서 상기 반도체기파내로 발생되는 접합파괴부분을 충분히 감쌀수 있을 정도의 깊이를 가지도록 상기 반도체 기판내에 형성되는 제2전도형의 깊은 접합영역
  3. 3근거 선택evidence_selection

    정전기로 인한 현상인 '접합파괴'와 구조적 특징인 '접합파괴부분을 충분히 감쌀 수 있을 정도의 깊이'를 근거로 선택한다.

    • 정전기에 의해 상기 저저항배선층과 상기 얕은 접합영역의 콘택부위에서 상기 반도체기파내로 발생되는 접합파괴부분을 충분히 감쌀수 있을 정도의 깊이
  4. 4논리 통합logical_integration

    정전기가 발생하면 저저항배선층과 얕은 접합영역의 접촉부에서 접합파괴가 발생하는데, 깊은 접합영역이 이 파괴 영역을 충분히 감쌀 수 있는 깊이로 형성되어 이를 방지하거나 완화하는 구조임을 알 수 있다.

  5. 5결론 도출conclusion_formulation

    정전기에 의해 발생하는 접합파괴 현상을 방지하기 위해, 깊은 접합영역은 접합파괴부분을 충분히 감쌀 수 있을 정도의 깊이를 갖는 구조적 특징을 가진다.

  6. 6답변 생성answer_generation

    질문에 대해 정전기에 의한 접합파괴 현상을 방지하며, 그 특징은 접합파괴부분을 충분히 감쌀 수 있을 정도의 깊이를 갖는 것이다.

최종 답변 (final_answer)
제2전도형의 깊은 접합영역은 정전기에 의해 저저항배선층과 얕은 접합영역의 콘택부위에서 발생하는 접합파괴 현상을 방지하기 위해, 해당 접합파괴부분을 충분히 감쌀 수 있을 정도의 깊이를 갖는 구조적 특징을 가진다.
핵심 해석 (core_interpretation)
정전기 유입 시 발생하는 접합파괴 영역을 제2전도형의 깊은 접합영역이 물리적으로 충분히 감싸도록 설계하여 반도체 장치의 신뢰성을 높이는 기술이다.