플래너 에어스트립라인-스트립라인 매직-T회로망 장치 document_id 1019900014534

[청구항 2] 제1항에 있어서,상기 에어스트립라인 반응-t배전기 회로가 t접합을 특성으로 하고, 상기 스트립 라인 발룬 및 결합 영역이 관련 주파수 대역의 중심 주파수에서 t접합으로부터 1/4파장거리배치되는것을특징으로 하는플레너 매직 t회로망 장치. [청구항 3] 제2항에 있어서,상기 에어스트립 회로가 스트립라인 발룬이 rf에너지를 에어스트립라인 회로에 결합시키는 영역에서부터 연장되는 이중면 1/4파장단락스터브더포함하는것을특징으로 하는플레너 매직 t회로망 장치. [청구항 4] 제1항에 있어서,에어스트립라인 회로를 위한 그라운드 평면의 표면을 정하기 위한 상기 수단이 제1 및 제2금속장치 하우징 플레이트를 포함하고, 상기 플레이트가 상기 개방 영역 및 상기 그라운드 평면의 표면을 정하기 위해 형성된릴리브영역갖는것을특징으로 하는플래너 매직 t회로망 장치. [청구항 5] 제4항에 있어서,상기 샌드위칭 수단이 제1 및 제2금속 하우징 플레이트를 포함하고, 상기 유전체 영역이 그사이샌드위치되는것을특징으로 하는플래너 매직 t회로망 장치. [청구항 6] 제5항에 있어서,상기 에어스트립라인 회로 포트 및 상기 스트립라인 회로 포트에 있는 상기 스트립 전도체에 접속된 각각의 스트립-전도체-동축전이장치더포함하는것을특징으로 하는플래너 매직 t회로망 장치. [청구항 7] 제1항에 있어서,상기 유전체 영역을 정하기 위한 상기 수단이 상기 그라운드 평면을 정하는 수단 사이에 함께 샌드위치된 제1및제2유전체보드포함하는것을특징으로 하는플래너 매직 t회로망 장치. [청구항 8] 제1항에 있어서,상기 에어스트립라인 회로의 상기 출력 포트가 각각 오옴의 특성 임피던스를 특성으로 하고, 상기 스트립라인 전도체가 n오옴의 특성 임피던스를 특성으로 하며, 상기 발룬 회로망이 2n 오옴의 임피던스를 특성으로 하고, 상기 스트립라인 회로가 스트립라인 전도체 임피던스를 스트립라인 포트와 상기 발룬 회로망 사이의 2n 오옴으로 변환시키기 위한임피던스 변환기포함하는것을특징으로 하는플래너 매직 t회로망 장치. [청구항 9] 스트립라인 회로 및 이중면 에어스트립라인 회로를 사용하는 플래너 매직 t회로망 장치에 있어서 대향하는 제1 및 제2플래너 표면을 특성을 하는 플래너 유전체 영역을 정하기 위한 수단, 1개의 입력 포트 및 2개의 출력 포트를 갖는 반응-t 배전기 회로와 1/4파장 스터브를 포함하는 구성으로 상기 유전체 영역내의 각각의 표면상에 형성된 대칭 에어스트립라인 전도성 패턴, 상기 스터브를 단락시키기 위한 수단, 및 에어스트립라인 회로의 전자기장 형태가 개방영역내에 집중되도록 유전체 영역 표면과 그라운드 평면의 표면 사이에 있는 영역을 정하기 위해 상기 유전체 영역 표면에서 떨어져 있는 그라운드 평면의 표면들을 정하기 위한 수단을 포함하는 이중면 에어스트립라인 반응-t배전기회로, 발룬 회로망 및 에어스트립라인 전도체들 사이와 각각의 유전체 표면중간에 있는 상기 유전체내에 배치되고, 스트립라인 포트와 상기 발룬회로망 사이에 연장되어, 전자기장 형태가 유전체 영역내에 집중되는 스트립라인 회로, 스트립라인 포트에 들어가는 rf에너지를 상기 에어스트립라인 회로내에 결합시키기 위해 상기 스트립라인 발룬 회로망에 인접한 에어스트립라인 전도체 패턴내에 rf에너지 결합 영역을 정하기 위한 수단을 포함함으로써, 상기 에어스트립라인 입력 포트 및 상기 스트립라인 포트가 서로 분리되고, 상기 스트립라인 포트에 들어가는 rf에너지가 위상에서 180°를 벗어나지만 에어스트립라인 출력 포트들 사이에 동등하게 분배되는 것을 특징으로 하는 플래너 매직 t회로망 장치