서지 어레스터 document_id 1019900015744

[청구항 2] 제1항에 있어서,상기 디스크가절연칼라구비함을특징으로 하는서지 어레스터. [청구항 3] 제1항에 있어서,상기 디스크가상기디스크의제1면과제2면도전전극구비함을특징으로 하는서지 에레스터. [청구항 4] 제1항에 있어서,상기 링이 상기 링의 제1링면상에 도전전극을 구비하고 제2링면상에도전전극구비함을특징으로 하는서지 어레스터. [청구항 5] 제1항에 있어서,상기 갭이 0.01내지1인치인것을특징으로 하는서지어세스터. [청구항 6] 제1항에 있어서,상기 디스크와 상기 갭 어셈블리의 직경이거의동일함을특징으로 하는서지 어레스터. [청구항 7] 제1항에 있어서,상기 갭 어셈블리의 직경이 상기 디스크의 직경의 50% 내지특징으로 하는서지 어레스터. [청구항 8] 제1항에 있어서,공칭동작 전압에서 상기 갭 어셈블리에 걸친 전압강하가 상기 어레스터에 걸친 전압강하의 약 5% 내지특징으로 하는서지 어레스터. [청구항 9] 제1항에 있어서,공칭동작 전압에서 상기 갭 어셈블리에 걸친 전압강하가 상기 어레스터에 걸친 전압강하의 약 15% 내지특징으로 하는서지 어레스터. [청구항 10] 제1항에 있어서,상기 갭 어셈블리의 높이가 상기 디스크 높이의 0.5 내지 2배임특징으로 하는서지 어레스터. [청구항 12] 제11항에 있어서,상기 링이 실리콘 카바이드 임특징으로 하는서지 어레스터. [청구항 14] 제13항에 있어서,공칭동작 전압에서 상기 링에 걸친 전압강하에 단위두께당 상기 디스크에 걸친 전압강하의 0.5 내지 4배임특징으로 하는서지 어레스터. [청구항 15] 제13항에 있어서,상기 링이 실리콘 카바이드특징으로 하는서지 어레스터. [청구항 16] 제13항에 있어서,상기 갭 어셈블리에 걸친 전압강하가 상기 디스크에 걸친 전압강하의 20% 내지특징으로 하는서지 어레스터. [청구항 17] 제13항에 있어서,상기 디스크에 걸친 전압에 대한 상기 링에 걸친 전압이 상기 공칭동작이 전압이상의 전압에서 두께당 더 높은 것특징으로 하는서지 어레스터. [청구항 18] 제13항에 있어서,상기 디스크에 걸친 전압에 대한 상기 갭 어셈블리에 걸친 전압이 상기 공칭동작이 전압이상의 전압에서 두께당 0.5 내지 4배 더 높은것특징으로 하는서지 어레스터. [청구항 20] 제19항에 있어서,상기 저항경사 갭 어셈블리가 10이하의 지수특징으로 하는서지 어레스터. [청구항 21] 제20항에 있어서,상기 고지수 비선형 저항기가 10이상의 지수특징으로 하는서지 어레스터. [청구항 22] 제19항에 있어서,상기 갭 어셈블리가 스파크 갭과 직렬연결되는 실리콘 카바이트 저항기로 구성되고, 상기 비선형 저항기가금속산화물바리스터로구성됨을특징으로 하는서지 어레스터. [청구항 23] 제22항에 있어서,상기 갭 어셈블리가 4 내지 5의 범위내의 지수특징으로 하는서지 어레스터. [청구항 24] 제23항에 있어서,상기 금속산화물 바리스터가 25와 같거나 그 이상의 지수특징으로 하는서지 어레스터. [청구항 26] 제25항에 있어서,상기 비선형 저항기가금속산화물바리스터로구성됨을특징으로 하는서지 어레스터. [청구항 27] 제26항에 있어서,상기 비선형 저항소자가실리콘 카바이드재료구성됨을특징으로 하는서지 어레스터. [청구항 28] 제27항에 있어서,상기 실리콘 카바이드 재료가 제2링면과 제2링면을 갖는 환상 링을 구성하고, 상기 갭 어셈블리는 상기 제1 및 제2링면과 전기적으로 연결되는 제1 및 제2전극으로 또한 구성되며, 상기 스파크 갭은 상기 전극간에그리고상기환상링의고리내형성됨을특징으로 하는서지 어레스터. [청구항 29] 제27항에 있어서,상기 금속산화물 바리스터가 1메가옴 내지 100메가옴의 범위내의 저항특징으로 하는서지 어레스터. [청구항 30] 제29항에 있어서,상기 비선형 저항소자가 정상상태 시스템 전압에서 1메가옴 내지 20메가옴의 범위내의 저항특징으로 하는서지 어레스터. [청구항 31] 제29항에 있어서,상기 비선형 소자가 정상상태 시스템 전압에서 2메가옴 내지 12메가옴의 범위내에의 저항특징으로 하는서지 어레스터. [청구항 33] 제33항에 있어서,정상상태 전압에서 상기 갭 어셈블리 적층에 걸친 전압이 어레스터에 걸친 전압의 90%이하임특징으로 하는서지 어레스터. [청구항 35] 제32항에 있어서,상기mov적층에 걸친 전압에 대한 상기 갭 어셈블리의 적층에 걸친 전압의 비가 정상상태 전압에서 0.2 내지 2의 범위내특징으로 하는서지 어레스터. [청구항 36] 제32항에 있어서,상기 갭 어셈블리와 상기mov디스크의 두께가 사실상 동일하고, 상기 mov디스크에 걸친 전압에 대한 상기 갭 어셈블리에 걸친 전압의 비가 정상상태 전압에서 0.5 내지 4의 범위내특징으로 하는서지 어레스터. [청구항 37] 제34항에 있어서,상기 갭 어셈블리가 정상상태 전압에서 10이하의 지수를 갖는 실리콘 카바이드 저항소자와 병렬연결되는스파크갭구성됨을특징으로 하는어레스터. [청구항 38] 제37항에 있어서,상기mov디스크가 정상상태 전압에서 10이상의 지수특징으로 하는서지 어레스터. [청구항 39] 제34항에 있어서,상기mov디스크의 높이에 대한 상기 갭 어셈블리의 높이에 대한 비가 0.2 내지 2의 범위내특징으로 하는서지 어레스터. [청구항 40] 제34항에 있어서,상기mov적층에 걸친 전압에 대한 상기 갭 어셈블리에 걸친 전압의 단위두께당의 비가 정상상태 전압에서 0.5 내지 4.0의 범위내특징으로하는서지 어레스터. [청구항 42] 제41항에 있어서,상기mov디스크의 저항이 1메가옴과 100메가옴 사이특징으로 하는서치 어레스터. [청구항 43] 제42항에 있어서,상기 실리콘 카바이드 저항재료의 저항이 정상상태 시스템 전압에서 1메가옴과 20메가옴사이특징으로 하는서지 어레스터. [청구항 44] 제42항에 있어서,상기 실리콘 카바이드 저항재료의 저항이 정상상태 시스템 전압에서 2메가옴과 12메가옴사이특징으로 하는서지 어레스터. [청구항 45] 제43항에 있어서,상기mov적층에 걸친 전압에 대한 상기 갭 어셈블리 적층에 걸친 전압의 비가 정상상태 시스템 전압에서 0.2 내지 2의 범위내특징으로 하는서지 어레스터. [청구항 46] 제43항에 있어서,상기mov적층에 걸친 전압에 대한 상기 갭 어셈블리 적층에 걸친 전압의 단위두께당의 비가 정상상태 시스템 전압에서 0.5 내지 4의 범위내특징으로 하는서지 어레스터.