문맥 (context)
[청구항 2]
제1항상기 소오스영역(s)과 드레인 영역(d)이 각각, 제2도전형의 저불순물 농도인 각 제1영역(16,18)과, 상기 각 제1영역과 접하고 또 상기 게이트전극 도체층의 단부보다도 외측에 위치하는 제2도전형의 고불순물 농도의 각 제2영역구성되어 있는mos형 전계효과 트랜지스터.
[청구항 3]
제1항에 있어서,상기제3의 절연층(14)이 산화 실리콘으로 구성되어 있고 또 제3의 절연층의 두께이상인mos형 전계효과 트랜지스터.
[청구항 4]
제3항에 있어서,상기제3의 절연층(14)의 두께인mos형 전계효과 트랜지스터.
[청구항 5]
제1항에 있어서,의 절연층(15)이 유전률5이상인mos형 전계효과 트랜지스터.
[청구항 6]
제1항에 있어서,의 절연층(15)이 탄탈,옥사이드구성되어 있는mos형 전계효과 트랜지스터.
[청구항 8]
제7항상기 소오스영역(s)과 드레인영역(d)이 각각, 제2도전형의 저불순물 농도인 각 제1영역(16,18)과, 상기 각 제1영역과 접하고 또 상기 게이트전극 도체층의 단부보다도 외측에 위치하는 제2도전형의 고불순물 농도의 각 제2영역구성되어 있는mos형 전계효과 트랜지스터.
[청구항 9]
제7항에 있어서,상기제3의 절연층(14)이 산화 실리콘으로 구성되어 있고 또 제3의 절연층의 두께이상인mos형 전계효과 트랜지스터.
[청구항 10]
제7항에 있어서,상기제3의 절연층(14)의 두께인mos형 전계효과 트랜지스터.
[청구항 11]
제7항에 있어서,의 절연층(15)이 유전률5이상인mos트랜지스터.
[청구항 12]
제7항에 있어서,의 절연층(15)이 탄탈,옥사이드구성되어 있는mos형 전계효과 트랜지스터.
[청구항 17]
제13항에 있어서,상기제3의 절연층(15)이 탄탈옥사이드인mos형 전계효과 트랜지스터의 제조방법.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
MOS형 전계 효과 트랜지스터의 소오스영역(s)과 드레인 영역(d)은 어떠한 구조로 구성되어 있는가?
추론 과정 (compact_reasoning)
-
1과제 해석
task_interpretationMOS형 전계 효과 트랜지스터의 소오스영역(s)과 드레인 영역(d)이 어떤 구조로 구성되어 있는지 파악해야 한다.
-
2정보 추출
information_extraction청구항 2 및 청구항 8에서 소오스영역(s)과 드레인 영역(d)의 구성을 설명하는 문구를 추출한다.
- 상기 소오스영역(s)과 드레인 영역(d)이 각각, 제2도전형의 저불순물 농도인 각 제1영역(16,18)과, 상기 각 제1영역과 접하고 또 상기 게이트전극 도체층의 단부보다도 외측에 위치하는 제2도전형의 고불순물 농도의 각 제2영역구성되어 있는
-
3근거 선택
evidence_selection질문에 직접적으로 대응하는 소오스 및 드레인 영역의 구성 정보를 포함한 구절을 선택한다.
- 상기 소오스영역(s)과 드레인 영역(d)이 각각, 제2도전형의 저불순물 농도인 각 제1영역(16,18)과, 상기 각 제1영역과 접하고 또 상기 게이트전극 도체층의 단부보다도 외측에 위치하는 제2도전형의 고불순물 농도의 각 제2영역구성되어 있는
-
4논리 통합
logical_integration소오스 및 드레인 영역은 제2도전형의 저불순물 농도인 제1영역과, 이와 접하며 게이트전극 도체층 단부 외측에 위치하는 제2도전형의 고불순물 농도인 제2영역으로 구성됨을 통합한다.
- 상기 소오스영역(s)과 드레인 영역(d)이 각각, 제2도전형의 저불순물 농도인 각 제1영역(16,18)과, 상기 각 제1영역과 접하고 또 상기 게이트전극 도체층의 단부보다도 외측에 위치하는 제2도전형의 고불순물 농도의 각 제2영역구성되어 있는
-
5결론 도출
conclusion_formulation추출된 정보를 바탕으로 소오스영역과 드레인 영역의 구조적 구성을 정리한다.
- 상기 소오스영역(s)과 드레인 영역(d)이 각각, 제2도전형의 저불순물 농도인 각 제1영역(16,18)과, 상기 각 제1영역과 접하고 또 상기 게이트전극 도체층의 단부보다도 외측에 위치하는 제2도전형의 고불순물 농도의 각 제2영역구성되어 있는
-
6답변 생성
answer_generation질문에 대한 답변을 extractive 형식으로 작성한다.
- 상기 소오스영역(s)과 드레인 영역(d)이 각각, 제2도전형의 저불순물 농도인 각 제1영역(16,18)과, 상기 각 제1영역과 접하고 또 상기 게이트전극 도체층의 단부보다도 외측에 위치하는 제2도전형의 고불순물 농도의 각 제2영역구성되어 있는
최종 답변 (final_answer)
상기 소오스영역(s)과 드레인 영역(d)이 각각, 제2도전형의 저불순물 농도인 각 제1영역(16,18)과, 상기 각 제1영역과 접하고 또 상기 게이트전극 도체층의 단부보다도 외측에 위치하는 제2도전형의 고불순물 농도의 각 제2영역으로 구성되어 있다.
핵심 해석 (core_interpretation)
MOS형 전계 효과 트랜지스터의 소오스 및 드레인 영역이 저불순물 농도의 제1영역과 그에 접하며 게이트전극 단부 외측에 위치하는 고불순물 농도의 제2영역으로 이루어진 이중 구조임을 나타냄.