문맥 (context)
[청구항 1]
하나의 스위칭트랜지스터와 하나의 커패시터로 이루어진 복수의 메모리셀을 매트릭스 모양으로 반도체 기판에 구비한 고집적 반도체 메모리장치에 있어서
상기 커패시터는, 상기 스위칭 트랜지스터의 소오스영역과 연결되고, 상기 각 메모리셀 영역내에 고립된 하부도전층, 상기 하부도전층상에 수직으로 형성되고 어느 한 방향으로 달리는 적어도 하나 이상의 수직도전벽 및 상기 하부 도전층과 상기 수집도전벽과는 일정공간을 유지하면서 소정두께로 이들을 덮고, 그의 양단이 상기 하부도전층의 양단과 각각 연결되어 물결모양의 구조를 갖는 상부도전층으로 이루어진 스토리지 전극
상기 스토리지전극의 표면에 도포되는 유전체막
및 상기 유전체막 위에 형성되는 플레이트전극을 구비하는 것을 특징으로 하는 고집적 반도체 메모리 장치
[청구항 2]
제1항에 있어서,상기 커패시터의 커패시턴스는 상기 수직도전벽의 높이 및 갯수를 조절하여결정하는것을특징으로 하는고집적 반도체 메모리장치.
[청구항 3]
제1항에 있어서,상기 스토리지전극의 하부도전층은 상기 스위칭트랜지스터의 소오스영역과 연결부분을 제외하고는 일정두께로 평평한층구조한것을특징으로 하는고집적 반도체 메모리장치.
[청구항 4]
제1항에 있어서,상기 스토리지전극의 하부도전층을 상기 스위칭트랜지스터의 소오스영역과의 연결부분을 제외하고는 그의 하부 구조물의 표면굴곡에 따른 굴곡을 가지고 일정두께로 형성된층구조한것을특징으로 하는고집적 반도체 메모리장치.
[청구항 5]
제1항에 있어서,상기 스토리지전극의 하부도전층의 상면은평탄한것을특징으로 하는고집적 반도체 메모리장치.
[청구항 6]
제1항에 있어서,상기 커패시터의 스토리지전극은 상기 각메모리셀의비트라인형성후형성되는것을특징으로 하는고집적 반도체 메모리장치.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
고집적 반도체 메모리장치의 커패시터 구성 요소 중 스토리지 전극은 어떠한 구조적 특징을 갖는가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation고집적 반도체 메모리장치의 커패시터 구성 요소인 스토리지 전극의 구조적 특징을 파악하는 것이 과제이다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 1에서 스토리지 전극을 구성하는 하부도전층, 수직도전벽, 상부도전층에 대한 정보를 추출한다.
- 상기 커패시터는, 상기 스위칭 트랜지스터의 소오스영역과 연결되고, 상기 각 메모리셀 영역내에 고립된 하부도전층, 상기 하부도전층상에 수직으로 형성되고 어느 한 방향으로 달리는 적어도 하나 이상의 수직도전벽 및 상기 하부 도전층과 상기 수집도전벽과는 일정공간을 유지하면서 소정두께로 이들을 덮고, 그의 양단이 상기 하부도전층의 양단과 각각 연결되어 물결모양의 구조를 갖는 상부도전층으로 이루어진 스토리지 전극
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3근거 선택
evidence_selection스토리지 전극의 구조를 설명하는 핵심 구절인 하부도전층, 수직도전벽, 상부도전층의 관계를 선택한다.
- 상기 각 메모리셀 영역내에 고립된 하부도전층, 상기 하부도전층상에 수직으로 형성되고 어느 한 방향으로 달리는 적어도 하나 이상의 수직도전벽 및 상기 하부 도전층과 상기 수집도전벽과는 일정공간을 유지하면서 소정두께로 이들을 덮고, 그의 양단이 상기 하부도전층의 양단과 각각 연결되어 물결모양의 구조를 갖는 상부도전층
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4논리 통합
logical_integration하부도전층, 수직도전벽, 상부도전층이 결합하여 물결모양의 구조를 형성함을 논리적으로 연결한다.
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5결론 도출
conclusion_formulation스토리지 전극은 하부도전층, 수직도전벽, 상부도전층으로 구성되며, 상부도전층이 물결모양을 갖는다는 결론을 도출한다.
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6답변 생성
answer_generation추출된 정보를 바탕으로 질문에 대한 답변을 작성한다.
최종 답변 (final_answer)
고집적 반도체 메모리장치의 스토리지 전극은 각 메모리셀 영역 내에 고립된 하부도전층, 상기 하부도전층 상에 수직으로 형성되어 어느 한 방향으로 달리는 적어도 하나 이상의 수직도전벽, 그리고 상기 하부도전층 및 수직도전벽과 일정 공간을 유지하며 소정 두께로 이들을 덮으면서 양단이 하부도전층의 양단과 각각 연결되어 물결모양의 구조를 갖는 상부도전층으로 이루어져 있다.
핵심 해석 (core_interpretation)
스토리지 전극이 하부도전층, 수직도전벽, 물결모양의 상부도전층이라는 세 가지 구성 요소의 유기적 결합을 통해 특정 구조를 형성함을 나타낸다.