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TTL 게이트 전류원 제어형과 구동 및 클램프 회로와 사용하는 고속 ECL / CML-TTL 트렌슬레이터 회로 document_id 1019900020238

출원번호
1019900020238
분류
전기(H섹션)
문맥 (context)
[청구항 2] 제1항에 있어서,상기 에미터 폴로워 출력 버퍼 회로는 상기 ttl 게이트 입력 트랜지스터 저항성 방전을 위해 상기 ttl 게이트 입력에 연결되는 레지스터 풀다운 수단포함하는ecl/cml-ttl 트랜슬레이터 회로. [청구항 4] 제3항에 있어서,상기ecl/cml 게이트는 불포화 동작 영역에서 동작하는 트랜지스터 요소를 포함하며 상기 ttl 게이트는 포화동작 영역에서 동작하는 트랜지스터 요소를 포함하고, 상기 기준 전압레벨이 시프트된 출력으로부터 베이스 구동을 수신하고 포화동작 영역에서 상기 ttl 게이트의 입력을 구동시키도록 동작상 연결되며 불포화 동작영역에서 동작되는 에미터 폴로워 출력 버퍼를 구비한 동작 영역 변환 회로를 더욱이 포함함으로써, 상기 기준 전압 레벨을 시프트하는 회로 기능 및 상기 동작 영역을 기준 전압 레벨을 시프트하는 회로 기능 및 상기 동작 영역을 변환시키는 회로 기능을 상기 트랜슬레이터 회로의 분리 회로 부품분리시키는ecl/cml-ttl 트랜슬레이터 회로. [청구항 5] 제4항에 있어서,상기 에미터 폴로워 출력 버퍼회로는 레지스터 풀다운 수단을 거쳐 트랜지스터 요소를 방전시키도록 상기 ttl 게이트 입력 및 상기 보다 낮은 기준 전압 레벨사이에 동작상 연결되는 레지스터 풀다운 수단포함하는ecl/cml-ttl 트랜슬레이터 회로. [청구항 6] 제5항에 있어서,상기ttl 게이트는 상기 에미터 폴로워 출력 버퍼 회로로부터 베이스 구동 전류를 수신하도록 연결되는 위상 반전기 트랜지스터 요소를 포함하며, 상기 레지스터 풀다운 수단은 상기 위상 반전기 트랜지스터 요소의 베이스 노드 및 보다 낮은 기준 전압레벨 사이연결되는ecl/cml-ttl 트랜슬레이터 회로. [청구항 7] 제6항에 있어서,또는 한계 포화 동작 영역에서 상기 위상 반전기 트랜지스터 요소의 동작을 클램프시키도록 상기 위상 반전기 트랜지스터 요소의 콜렉터 노드 및 상기 에미터 폴로워 출력 버퍼 회로의 베이스 노드 사이에 동작상 연결되는 베이스 구동 클램프 회로포함하는ecl/cml-ttl 트랜슬레이터 회로. [청구항 8] 제7항에 있어서,상기 베이스 클램프 회로는 직렬로 연결된 pn 다이오드 접합 및 레지스터포함하는ecl/cml-ttl 트랜슬레이터 회로. [청구항 9] 제7항에 있어서,상기 베이스 구동 클램프 회로는 직렬로 연결된 pn 다이오드 접합 및 쇼트키 다이오드 접합포함하는ecl/cml-ttl 트랜슬레이터 회로. [청구항 10] 제4항에 있어서,상기ttl 게이트 입력은 상기 에미터 폴로워 출력 버퍼 회로로부터 베이스 구동 전류를 수신하도록 연결된 ttl 트랜지스터 요소를 포함하며, 유연 또는 한계 포화 동작 영역에서 상기 ttl 트랜지스터 요소의 동작을 클램프시키도록 상기 ttl 트랜지스터의 콜렉터 노드 및 상기 에미터 폴로워 출력 버퍼 회로의 베이스 노드 사이에 연결된 베이스 구동 클램프 회로포함하는ecl/cml-ttl 트랜슬레이터 회로. [청구항 11] 제10항에 있어서,상기 베이스 구동 클램프 회로는 직렬로 연결된 pn 다이오드 접합 및 레지스터포함하는ecl/cml-ttl 트랜슬레이터 회로. [청구항 13] 제12항에 있어서,레지스터 풀다운 수단을 통해 상기 ttl 게이트의 트랜지스터 요소를 방전시키도록 상기 ttl 게이트의 입력 및 상기 보다 낮은 기준 전압 레벨 사이에 연결된 레지스터 풀다운 수단포함하는ecl/cml-ttl 트랜슬레이터 회로. [청구항 15] 제14항에 있어서,상기 제2전류 미러 트랜지스터 요소의 콜렉터 노드로부터 베이스 구동 전류를 수신하도록 연결되는 에미터 폴로워 트랜지스터 요소의 출력 버퍼 회로 포함하며 포화 동작 영역에서 상기 ttl 게이트의 입력을 구동시키도록 상기 ttl 게이트 입력에 연결되는 에미터 노드를 지니는 동작 영역 변환회로포함하는ecl/cml-ttl 트랜슬레이터 회로. [청구항 16] 제15항에 있어서,상기ttl 게이트 입력은 상기 ttl 게이트의 트랜지스터 요소를 레지스터 풀다운 수단을 통해 상기 보다 낮은 기준 전압레벨로 방전시키도록 레지스터 풀다운 수단을 통해 상기 보다 낮은 기준 전압 레벨연결되는ecl/cml-ttl 트랜슬레이터 회로. [청구항 17] 제16항에 있어서,상기ttl 게이트 입력은 상기 에미터 폴로워 트랜지스터 요소의 출력 버퍼회로의 에미터 노드로부터 베이스 구동전류를 수신하도록 연결되는 위상 반전기 트랜지스터 요소를 포함하며 상기 레지스터 풀다운 수단은 상기 위상 반전기 트랜지스터 요소 베이스 노드 및 보다 낮은 기준 전압 레벨사이연결된ecl/cml-ttl 트랜슬레이터 회로. [청구항 18] 제17항에 있어서,상기 에미터 폴로워 트랜지스터 요소의 출력 버퍼회로의 에미터 노트 및 상기 위상 반전기 트랜지스터 요소 사이에 연결되는 베이스 구동 제한용 레지스터 요소포함하는ecl/cml-ttl 트랜슬레이터 회로. [청구항 19] 제17항에 있어서,상기 위상 반전기 트랜지스터 요소의 동작을 유연 또는 한계 포화 동작 영역에서 클램프시키도록 상기 에미터 폴로워 트랜지스터 요소의 출력 버퍼 회로의 베이스 노드 및 상기 ttl 게이트 위상 반전기 트랜지스터 요소의 콜렉터 노드 사이에 연결되는 베이스 구동 클램프 회로포함하는ecl/cml-ttl 트랜슬레이터 회로. [청구항 20] 제14항에 있어서,상기제1의 일정 전류원 가지 회로는 상기 제 2의 일정 전류원 가지 회로의 기준 전압레벨 시프트용 저항 수단과 거의 동일한 저항을 지니는 표준형 기준 저항 수단을 포함하며, 상기 표준형 기준 저항 수단 양단간의 표준형 기준 전압강하는 상기보다 낮은 기준 전압레벨로부터다이오드 스택부에의해설정되는ecl/cml-ttl 트랜슬레이터 회로. [청구항 21] 제20항에 있어서,상기 다이오드 스택부는 적어도 하나의 베이스 콜렉터 단락형(bcs)트란 지스터 요소를 포함하며 상기 bcs 트랜지스터 요소는 또한 상기 제1전류 미러 트랜지스터 요소포함하는ecl/cml-ttl 트랜슬레이터 회로. [청구항 22] 제20항에 있어서,상기ecl/cml 게이트용 미부 전류원을 더욱이 포함하며 상기 제1의 일정 전류원 가지 회로는 상기 ecl/cml 게이트용 미부 전류원을 구동시키도록 연결되고, 상기 다이오드 스택부는 미부 전류원전압설정하는ecl/cml-ttl 트랜슬레이터 회로. [청구항 24] 제23항에 있어서,상기 베이스 구동 클램프 회로는 직렬로 연결된 pn 다이오드 접합 및 레지스터포함하는ecl/cml-ttl 트랜슬레이터 회로. [청구항 25] 제23항에 있어서,상기 베이스 구동 클램프 회로는 직렬로 연결된 pn 다이오드 접합 및 쇼트키 다이오드 접합포함하는ecl/cml-ttl 트랜슬레이터 회로. [청구항 26] 제23항에 있어서,상기ttl 입력 트랜지스터 요소는 위상 반전기 트랜지스터 요소포함하는ecl/cml-ttl 트랜슬레이터 회로. [청구항 28] 제27항에 있어서,상기ttl 스위칭 트랜지스터 요소는 ttl 출력 버퍼 회로의 출력에 연결된 쇼트키 풀다운 트랜지스터 요소를 지니도록 ttl 출력 버퍼 회로에 위상 반전기 트랜지스터 요소를 포함하며, 상기 위상 반전기 트랜지스터 요소는 상기 풀다운 트랜지스터 요소의 베이스 노드를 구동시키도록 연결된 에미터 노드를 지니므로써, 상기 기준전압 전류원, 에미터 폴로워 트랜지스터 요소, 위상 반전기 트랜지스터 요소 및 풀다운 트랜지스터 요소는 상기 ttl 출력에서 고 전위로부터 저전위로 전이하는 동안 상기 ttl 출력 버퍼 회로의 출력에서 접지언더슈트를 제거시키도록 중화 전류발생시키는과구동 및 클램프 회로. [청구항 29] 제27항에 있어서,상기 기준 전압 전류원은 전류 미러 회로포함하는과구동 및 클램프 회로. [청구항 30] 제27항에 있어서,상기 베이스 구동 클램프 회로는 직렬로 연결된 pn 다이오드 접합 요소 및 레지스터 요솔르포함하는과구동 및 클램프 회로. [청구항 31] 제27항에 있어서,상기 베이스 구동 클램프 회로는 직렬로 연결된 pn 다이오드 접합요소 및 쇼트키 다이오드 접합 요소포함하는과구동 및 클램프 회로. [청구항 32] 제27항에 있어서,상기ttl 스위칭 트랜지스터 요소의 베이스 노드 및 접지 전위사이에 연결된 레지스터 풀다운 요소포함하는과구동 및 클램프 회로. [청구항 34] 제33항에 있어서,상기 클램프 회로는 레지스터 및 pn 접합 다이오드의 직렬 결합포함하는ttl 논리 게이트 회로. [청구항 35] 제33항에 있어서,상기 클램프 회로는 쇼트키 다이오드 및 pn 접합 다이오드의 직렬 결합포함하는ttl 논리 게이트. [청구항 36] 제33항에 있어서,상기 기준 전류원은 전류 미러회로포함하는ttl 논리게이트. [청구항 37] 제33항에 있어서,상기 스위칭 트랜지스터 요소의 베이스 노드 및 접지 사이에 연결된 풀다운 레지스터를 더욱이 포함함으로써 상기 스위칭 트랜지스터 요소의 베이스 노드 및 상기 에미터 폴로워트랜지스터요소의에미터노드방전될수있는ttl 논리 게이트 회로. [청구항 38] 제33항에 있어서,상기 스위칭 트랜지스터 요소는 상기 ttl 논리 게이트이 출력 풀다운 트랜지스터 요소포함하는ttl 논리 게이트 회로. [청구항 39] 제33항에 있어서,상기 스위칭 트랜지스터 요소는 위상 반전기 트랜지스터 요소포함하는ttl 논리 게이트 회로. [청구항 40] 제39항에 있어서,출력 풀다운 트랜지스터 요소 및 심화된 포화 동작영역에서 분리된 상태로 상기 풀다운 트랜지스터 요소의 동작을 클램프시키도록 상기 풀다운 트랜지스터 요소의 콜렉터 노드 및 상기 에미터 폴로워 트랜지스터 요소의 베이스 노드 사이에 연결된 제2클램프 회로포함하는ttl 논리 게이트 회로. [청구항 42] 제41항에 있어서,상기 스위칭 트랜지스터 요소는 위상 반전기 트랜지스터 요소포함하는ttl 버퍼 회로. [청구항 43] 제41항에 있어서,상기 스위칭 트랜지스터 요소는 상기 풀다운 트랜지스터 요소포함하는ttl 버퍼 회로. [청구항 44] 제42항에 있어서,상기 클램프 회로는 직렬로 연결된 적어도 하나의 pn 접합 다이오드 요소 및 레지스터 요소포함하는ttl 버퍼 회로. [청구항 45] 제43항에 있어서,상기 클램프 회로는 직렬로 연결된 적어도 두 개의 pn 접합 다이오드 요소 및 레지스터 요소포함하는ttl 버퍼 회로. [청구항 46] 제41항에 있어서,상기 레벨 시프트 전류원은 전류 미러 회로포함하는ttl 버퍼 회로. [청구항 47] 제41항에 있어서,적어도 하나의 스위칭 트랜지스터 요소는 위상 반전기 트랜지스터 요소 및 상기 풀다운 트랜지스터 요소포함하는ttl 버퍼 회로. [청구항 48] 제47항에 있어서,상기 클램프 회로는 직렬로 연결된 두 개의 pn 접합 다이오드 요소 및 레지스터 요소포함하는ttl 버퍼 회로. [청구항 49] 제46항에 있어서,상기 레벨 시프트 전류원은 일정 전류용 전류 미러 회로포함하는ttl 버퍼 회로. [청구항 51] 제50항에 있어서,상기 피드백 클램프 회로는 직렬로 연결된 적어도 하나의 pn 접합 다이오드 및 레지스터 요소포함하는ttl 버퍼 회로. [청구항 52] 제51항에 있어서,상기 피드백 클램프 회로는 심화된 포화에서 분리된 상태로 상기 스위칭 트랜지스터 요소의 동작을 클램프시키도록 구성배치되는ttl 버퍼 회로.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
ECL/CML-TTL 트랜슬레이터 회로에서 동작 영역 변환 회로가 수행하는 세 가지 주요 회로 기능은 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
  1. 1과제 해석task_interpretation

    ECL/CML-TTL 트랜슬레이터 회로 내 '동작 영역 변환 회로'가 수행하는 세 가지 주요 회로 기능을 찾는 것이다.

  2. 2정보 추출information_extraction

    청구항 4에서 동작 영역 변환 회로의 기능에 관한 구절을 추출한다.

    • 상기 기준 전압 레벨을 시프트하는 회로 기능 및 상기 동작 영역을 기준 전압 레벨을 시프트하는 회로 기능 및 상기 동작 영역을 변환시키는 회로 기능
  3. 3근거 선택evidence_selection

    질문에서 요구하는 세 가지 기능을 명시한 문구를 선택한다.

    • 상기 기준 전압 레벨을 시프트하는 회로 기능 및 상기 동작 영역을 기준 전압 레벨을 시프트하는 회로 기능 및 상기 동작 영역을 변환시키는 회로 기능
  4. 4논리 통합logical_integration

    추출된 문구에서 중복된 표현을 정리하여 세 가지 독립적인 기능을 도출한다. (문맥상 '기준 전압 레벨을 시프트하는 기능', '동작 영역을 기준 전압 레벨을 시프트하는 기능(문맥상 동작 영역 변환과 연관)', '동작 영역을 변환시키는 기능'으로 해석되나, 텍스트 그대로의 나열을 따른다.)

  5. 5결론 도출conclusion_formulation

    청구항 4에 명시된 세 가지 기능을 리스트 형식으로 정리한다.

    • 상기 기준 전압 레벨을 시프트하는 회로 기능 및 상기 동작 영역을 기준 전압 레벨을 시프트하는 회로 기능 및 상기 동작 영역을 변환시키는 회로 기능
  6. 6답변 생성answer_generation

    최종 답변을 리스트 형태로 작성한다.

최종 답변 (final_answer)
1. 상기 기준 전압 레벨을 시프트하는 회로 기능 2. 상기 동작 영역을 기준 전압 레벨을 시프트하는 회로 기능 3. 상기 동작 영역을 변환시키는 회로 기능
핵심 해석 (core_interpretation)
본 발명은 ECL/CML 게이트의 불포화 동작 영역과 TTL 게이트의 포화 동작 영역 사이의 전압 레벨 및 동작 영역을 변환하여 상호 연결을 가능하게 하는 트랜슬레이터 회로 기술에 관한 것이다.