발광장치 및 그 제조방법 document_id 1019900700863

[청구항 2] 제1항에 있어서,동일 반도체 기판상에 적어도 층상의 레이저 발생부와 박막 층상의 제2차 고조파 발생 광도파로를 가지며, 전기 레이저 발생부와 전기 광도파로가 실질적으로 동일 평면상에 배치되며또한각각의일단면있는것을특징으로 하는발광 장치. [청구항 3] 제1항에 있어서,동일 반도체 기판상에 적어도 층상의 레이저 발진부와 박막 층상의 제2차 고조파 발생 광도파로를 가지며, 전지 레이저 발생부와 전기 광도파로가 실질적으로 동일 평면상에 배치되며 또한 각각의 맞대하는 단면의 적어도 한쪽의 단면을 레이저 부의 발진 파장의 반분의 광로장이 되는두께의유전체막도막한것을특징으로 하는발광장치. [청구항 4] 제1항에 있어서,동일 반도체 기판상에 적어도 층상의 레이저 발진부와 박막 층상의 제2차 고조파 발생 광도파로를 가지며, 전지 레이저 발생부와 전기 광도파로가 실질적으로 동일 평면상에 배치되며 또한 각각 맞대하는 단면이레이저부의발진 파장의반분의거리형성한것을특징으로 하는발광장치. [청구항 5] 제1항에 있어서,전기 레이저 발생부가 ⅲ-ⅴ화합물 반도체 결정 박막으로 구성되며, 전기 제2차 고조파 발생 박막 광도파로가 ⅱ-ⅵ족화합물 반도체결정박막구성되고특징으로 하는발광장치. [청구항 6] 제1항에 있어서,전기 제2차 고조파 발생 광도파로가 전기 반도체 기판상에리지형상의스트라이프를형성이루는것을특징으로 하는발광장치. [청구항 7] 제1항에 있어서,전기 제2차 고조파 발생광도파로가 ⅱ-ⅵ족 화합물 반도체로 이루는 크래드 층과 그 크래드 층을 구성하는 반도체 보다 작은 밴드갭을 갖는 ⅱ-ⅵ족 화합물 반도체로 이루는비선형 광학매체의광도파로구성되는것을특징으로 하는발광장치. [청구항 8] 제1항에 있어서,전기 제2차 고조파 발생 광도파로가 전기 리지 형상의 스트라이프를 가지며, 또한 전기 크래드층과 전기 비선형 광도파로로 되며, 전기 리지 형상 스트라이프가 전기 비선형 광도파로를 구성하는 반도체 보다 작은 굴절율을 갖는 ⅱ-ⅵ족 화합물 반도체특징으로 하는발광장치. [청구항 9] 제1항에 있어서,전기 비선형 광도파로가 막후가 기본파와 제2차 고조파의 위상 정합 조건을 채우는 두께특징으로 하는발광장치. [청구항 10] 제1항에 있어서,전기 제2차 고조파 발생 광도파로가 전기 반도체 기판에 형성되는 줄무늬상의 홈내에 배치되며, 또한 전기 기판면과 거의 동일한높이형성되고특징으로 하는발광장치. [청구항 11] 제1항에 있어서,레이저 발진용 광공진기가 레이저 발생부 및 제2차 고조파 발생 광도파로를 내부에 포함하는대향2단면의반상경구성되는것을특징으로 하는발광장치. [청구항 12] 제1항에 있어서,전기 제2차 고조파 발생 광도파로가 ⅱ-ⅵ족 화합물 반도체로 이루는 다층 초격자 구조특징으로 하는발광장치. [청구항 13] 제1항에 있어서,전기 반도체 레이저가 ⅲ-ⅴ족 화합물 반도체로 이루는 활성층, 크래드층 및 콘택트층으로 구성되는 더블헤테로 구조를 가지며, 전기 활성층 바로위의 크래드 층의 중간의 깊이까지 에칭 제거된 줄무늬상의 리브를 가지며, 그 리브의 양측단을 ⅱ-ⅵ족화합물 반도체층매입되고있는것을특징으로 하는발광장치. [청구항 14] 제1항에 있어서,전기ⅲ-ⅴ족화합물 반도체층혼정으로이루는것을특징으로 하는발광장치. [청구항 15] 제1항에 있어서,전기ⅲ-ⅴ족화합물 반도체층혼정으로이루는것을특징으로 하는발광장치. [청구항 20] 동일 반도체 기판상에 적어도 층상의 ⅲ-ⅴ족 화합물 반도체로 되는 레이저 발생부와, 박막 층상의 ⅱ-ⅵ족 화합물 반도체로 되는 제2차 고조파 발생 광도파를 가지며, 전기 레이저 발생부와 전기 광도파로가 실질적으로 동일 평면상에 배치된 발광 장치를 광원으로 쓴 것을 특징으로 하는 광 메모리 장치