불휘발성 반도체 메모리 및 그 제조방법 document_id 1019900701347

[청구항 2] 제1항에 있어서,상기 부유게이트의 폭은 상기 채널영역의 폭보다도 작고, 상기 채널영역의 양 측선보다도내측을부분적있는것을특징으로 하는불휘발성 반도체메모리. [청구항 3] 제1항에 있어서,상기 부유게이트는 상기 채널영역의 폭방향의 한쪽으로 벗어나고, 상기 채널영역의 폭방향의 거의 중앙으로부터 한쪽의 측선에 걸쳐부분적있는것을특징으로 하는불휘발성 반도체메모리. [청구항 4] 제3항에 있어서,상기 메모리셀중어떤 셀에 있어서는 상기 부유게이트가 상기 채널영역의 폭방향의 한쪽으로 벗어나고, 채널영역의 폭방향의 거의 중앙으로부터 한쪽의 측선에 걸쳐 부분적으로 덮고 있고, 상기 메모리셀중 다른 셀에 있어서는 상기 부유게이트가 상기 채널영역의 폭방향의 다른 쪽으로 벗어나서, 상기 채널영역의 폭방향의 거의 중앙으로부터 다른 쪽 측선에 걸쳐있는것을특징으로 하는불휘발성 반도체메모리. [청구항 5] 제4항에 있어서,상기 기본블럭중의 상기 복수의 메모리셀은 임의의 수의 상기 메모리셀로 이루어진 복수의 셀군으로 나누어져 있으며, 동일한 셀군중에 있는 메모리셀의 부유게이트는 동일한 방향으로 벗어나 있고, 상기 복수의 셀군중 임의의 셀군과 다른 셀군이 벗어나 있는방향반대일것을특징으로 하는불휘발성 반도체메모리. [청구항 7] 제6항에 있어서,상기 부유게이트의 아랫면과 상기 소스ㆍ드레인영역이 윗면 사이의 간격이 상기 부유게이트의 아랫면과 상기 채널영역의 윗면 사이의 간격보다도 작은 것특징으로 하는불휘발성 반도체메모리. [청구항 8] 제1항에 있어서,상기 소거는 상기 부유게이트와, 상기 부유게이트와 상기 제어게이트의 사이에 설치된 소거게이트와의 사이에 전류를 흐르게 함으로써 행해지는것을특징으로 하는불휘발성 반도체메모리. [청구항 9] 제1항에 있어서,상기 복수의 기본블럭은 그임의의수끼리병렬접속되어있는것을특징으로 하는불휘발성 반도체메모리. [청구항 10] 제1항에 있어서,상기 부유게이트와 상기 제어게이트와의 사이에실리콘질화막설치한것을특징으로 하는불휘발성 반도체메모리. [청구항 11] 제1항에 있어서,상기 기본블럭중 횡방향으로 나란한 것 끼리는필드산화막분리되어있는것을특징으로 하는불휘발성 반도체메모리. [청구항 13] 제12항에 있어서,상기 트랜지스터는 횡으로 나란한 상기 2개의 기본블럭 사이에 이 기본블럭의 길이방향을 따라 형성한 게이트를 갖추고서, 이 게이트는 상기 기판과 게이트산화막을 매개하여있는것을특징으로 하는불휘발성 반도체메모리. [청구항 18] 제16항에 있어서,상기 제6공정nan은불순물이온의주입열처리하는것을특징으로 하는불휘발성 반도체메모리의 제조방법