맥동하는 이중 부동 상태하의 웨이퍼 이송 및 처리용 개량 장치 document_id 1019900701672

[청구항 1] a)하나의 하부 챔버블록; 하나의 상부챔버블록; 그리고 두 블록사이에 있는 하나의 웨이퍼 가공 챔버를 최소한 구비한 하나의 가공 모듈 b)상기 가공챔버로 웨이퍼를 연속적으로 공급하기 위한 하나의 웨이퍼 이송기구 c)상기 가공챔버로 웨이퍼를 연속적으로 방출하기 위한 하나의 웨이퍼 이송기구 그리고 하나의 챔버벽의 왕복에 의한 상기 가공챔버내에서의 웨이퍼 가공동안만이라도 임시적 또는 비임시적으로 상기 가공챔버의 높이를 빈번히 변경시키는 수단을 포함하여 이루어지는 웨이퍼 이송 및 처리 장치 [청구항 2] 제1항에 있어서,상기 가공챔버내의 웨이퍼 가공중 적어도 임시적으로라도 외기로부터 밀폐되고 상기 웨이퍼를 위해 이중 부동 상태를 유지하기 위한 수단포함하여 이루어지는,웨이퍼 이송 및 처리장치. [청구항 3] 제2항에 있어서,웨이퍼 가공중에, 적어도 임시적으로 상기 웨이퍼위의 상부 가공갭을 향해 가공매체를 거의 공급하지 않으면서 상기 이중 부동 상태를 유지하기 위한 수단포함하여 이루어지는웨이퍼 이송 및 가공장치. [청구항 4] 제3항에 있어서,상기 챔버로부터 방출구조 가공매체를 방출함이 없이 상기 가공챔버내에서 상기 이중 부동상태를 임시적으로 유지하기 위한 수단포함하여 이루어지는웨이퍼 이송 및 처리장치. [청구항 5] 제2항에 있어서,상기 웨이퍼 가공의 일부를 가공매체의 공급없이 밀폐 가공 챔버내에 이중 홀로팅 상태에 두기 위한 수단포함하여 이루어지는웨이퍼 이송 및 처리장치. [청구항 6] 제1항에 있어서,웨이퍼 가공중에 상기 웨이퍼위에 0.1mm보다 작은 상부 가공갭높이가 형성되도록, 상기 챔버블록들의 웨이퍼 가공위치에 상기 웨이퍼의 바로위에 상부 챔버벽의 위치를 가지기 위한 수단포함하여 이루어지는,웨이퍼 이송 및 처리장치. [청구항 7] 제1항에 있어서,상기 가공챔버의 원주형 박막부를 통해 상기 챔버블록의 왕복등 가능한 중앙부가상기블록의외곽부연결되는것을특징으로 하는웨이퍼 이송 및 처리장치. [청구항 8] 제7항에 있어서,상기 상부챔버블록내의 상기 박막부의 위치에 의해특징지워지는웨이퍼 이송 및 처리장치. [청구항 9] 제7항에 있어서,상기 중앙블록부의 왕복을 위한 적어도 하나의 맥동기포함하여 이루어지는,웨이퍼 이송 및 처리장치. [청구항 10] 제9항에 있어서,상기 맥동기가 하나의 전자석기구인,웨이퍼 이송 및 처리장치. [청구항 12] 제9항에 있어서,상기 맥동기가 상기 중앙블록부옆에 위치한 하나의 압축/감압 챔버를 구비하고, 상기 압축/감압챔버내외로 쓰러스트 매체를 출입시키기 위한 수단포함하는,웨이퍼 이송 및 처리장치. [청구항 13] 제12항에 있어서,상기 맥동기가 고저 주파부진동의 결합의 생성을 위한 요소의 하나의 결합체포함하여 이루어지는웨이퍼 이송 및 처리장치. [청구항 14] 제7항에 있어서,상기 블록의 외곽부의 적어도 일부가 상기 가공챔버를 위한 밀폐부로 기능하는 구조있는,웨이퍼 이송 및 처리장치. [청구항 15] 제14항에 있어서,상기 맥동기가 외기로부터 밀폐된 맥동기 챔버내위치한,웨이퍼 이송 및 처리장치. [청구항 16] 제14항에 있어서,상기 하부 챔버블록의 상부벽이, 원주형의 밀폐부를 만들면서, 상기 원주형 박막부 넘어로 가로방향으로 연장되고, 반출통로를 만들면서 하측 방향으로 어느 정도의 거리로 연장되는 오목부가 위치하며, 그위에는 적어도 하나의 매체 방출선이 연결되고 그에 따라 상기 방출통로가 상기 박막부 너머로 가로방향위치하는웨이퍼 이송 및 처리장치 [청구항 17] 제16항에 있어서,상기 방출통로 넘어 가로방향에 기체밀폐격실위치하는,웨이퍼 이송 및 처리장치. [청구항 18] 제17항에 있어서,상기 가공챔버내의 웨이퍼 가공중 상기 가공챔버내의 압력에 대하여 상기 격실내에는 그안에 공급된 매체의 과압이 유지되도록 하는 수단포함하여 이루어지는웨이퍼 이송 및 처리장치. [청구항 19] 제18항에 있어서,상기 방출통로와 상기 기체 밀폐격실의 사이에는 하부 챔버블록의 원주형 밀폐부가, 상기 가공챔버와 상기 방출 통보사이에서이 제1, 밀폐부옆에서의 제2 밀폐부를 설치하기 위한 적어도 웨이퍼 가공중에 상부 쳄버블록의 밀폐부상응하는,웨이퍼 이송 및 처리장치. [청구항 20] 제19항에 있어서,상기 하부챔볼록의 상기 상부벽이 상기 기체 밀폐 격실 너머 가로방향으로 뻗어서, 상부 챔버블록의 원주형 밀폐부와 상응하는 원주형 밀폐부를 만들고, 밀폐된 가공챔버내에서의 가공중에 두 챔버블록사이에 제3의 밀폐부만드는,웨이퍼 이송 및 처리장치. [청구항 21] 제20항에 있어서,웨이퍼 가공중 일부동안에 있어서, 방출통로에 상기 가공챔버내의 가공 매체의 평균압력으로 원하는 평균압력과 거의 같은, 과압유지되는,웨이퍼 이송 및 처리장치. [청구항 22] 제21항에 있어서,상기 원주형 박막부와 다른 챔버블록의 사이에 미니 버퍼격실이 위치하여도 적어도 일부가 미크론 이하의 오염물질을 포함할 수도 있는 가공매체가 상기 가공 챔버로 부터 누출하는 것을 방지하는 제1기체 밀폐구로서 작용하는 수단포함하며 이루어진,웨이퍼 이송 및 처리장치. [청구항 23] 제21항에 있어서,상기 방출통로내의 압력보다 큰 과압이 웨이퍼 가공중 적어도 일부동안에 상기 개스 밀폐격실에 유지되어, 상기 가공 챔버내에서의 웨이퍼 가공중 상기 방출 통로로 부터의 매체가 가로 외측방향으로 누출하는 것을 방지하는 수단포함하여 이루어지는웨이퍼 이송 및 처리장치. [청구항 24] 제23항에 있어서,상기 기체밀폐격실내의 기체매체의 과압이 상기 모듈 외부의 대기압보다 높고, 상기 가공챔버내의 상기 웨이퍼 가공중에 상기 기체 밀폐격실과 상기 모듈밖에 구역의 사이에 제3의 기체 밀폐구가 만들어져서, 두챔버 블록 사이의 밀폐부로 외부 공기가 들어가는 것을 막고 뒤이어 상기 기체 밀폐격실로 부터 매체에 의해 밀려나지 않도록 하는 수단포함하여 이루어지는웨이퍼 이송 및 처리장치. [청구항 25] 제23항에 있어서,상기 방출통로에의 상기 처리완료 매체의 방출구에 의해 상기 가공챔버내의 처리 완료 가공매체를 새로 공급된 가공매체를 대체하는 중에, 그 통로에 적어도 강하된 압력이 유지되도록 하는 수단포함하여 이루어지는,웨이퍼 이송 및 처리장치. [청구항 26] 제17항에 있어서,상기 하부쳄버블록이 적어도 공동으로 유연성 재료로 만들어 지므로, 상기 블록이 그 측면 외측이 주름부를 포함하고 하단 공기가 모듈 하우징에 밀폐되어, 쓰러스트 매체에 의해 상기 블록의 상부를 측면 방향으로 옮겨 놓기 위한 쓰러스트내는웨이퍼 이송 및 처리장치. [청구항 27] 제26항에 있어서,상기 블록의 중앙, 불변형부가 테프론 pfa와 같은 유연성 합성물질로 되어 있는 이 주름부와 연결됨으로써 적어도 상기 주름부가 직조층으로 보강되고 라이닝으로서의 상기 합성물이 상기 불변형 중앙 블록부를 덮어 씌워서 적어도 미세한 흠에 의해 거기고정된,웨이퍼 이송 및 처리장치. [청구항 28] 제27항에 있어서,상기 상부쳄버블록의 적어도 하면부가 국부적이든 아니든, 오염을 일으키지 않고 가공 매체에 저항성인 테프론 pfa와 같은 합성물질, 금속, 기타 물질로 안댄,웨이퍼 이송 및 처리장치. [청구항 29] 제26항에 있어서,액체쓰러스트 매체가 상기 하부챔버블록의 상부의 수직 변위에 사용되도록 하는 수단포함하여 이루어지는,웨이퍼 이송 및 처리장치. [청구항 30] 제29항에 있어서,상기 쓰러스트 챔버내의 쓰러스트 매체의 압력에 관하여 상기 가공챔버내의 가공매체의 압력의 높기 때문에, 적어도 임시적으로 상기 하부 쳄버블록이 적어도 국부적으로 극히 작은 거리가 하향 변위되어, 처리완료된 가공매체가 상기 방출통로로 방출되며, 그에 따라 동시에 누출갭근처에 공동으로 하나의 방출갭이 상기 기체밀폐격실과 상기 방출 통로 사이에 만들어져서, 공동으로 기체매체를 상기 격실로부터 상기 방출 통로로 밀어내는 수단포함하여 이루어지는,웨이퍼 이송 및 처리장치. [청구항 31] 제7항에 있어서,상기 중앙쳄버블록부에 적어도 가공쳄버를 위한 각 공급 채널이 중앙부위치한,웨이퍼 이송 및 처리장치. [청구항 32] 제31항에 있어서,가공매체의 상기 가공챔버에 대한 중앙공급에 앞서서 그리고/또는 전체 웨이퍼 가공의 끝에, 중앙공급된 기체 린스매체에 의해, 처리완료된 가공매체가 상기 방출통로로 방출되고 그에 따라 동시에 상기 기체 밀폐격실로부터 린스매체로서의 기체매체가 방출통로로 보내져서, 처리완료된 가공매체를 이 통로로부터 상기 방출선으로 제거하는 수단포함하여 이루어지는,웨이퍼 이송 및 처리장치. [청구항 33] 제1항 내지 제32항의 하나에 있어서,상기 맥동기에 의해 이루어진 상기 챔버벽의 왕복운동과 독립하여, 상기 벽의 수직방향으로의 변위를 위한 수단포함하여 이루어지는,웨이퍼 이송 및 처리장치. [청구항 34] 제33항에 있어서,상기 가공챔버의 메체 충진이 일어나고 상기 챔버가 적어도 대부분 밀폐되므로 상기 챔버내의 적어도 기체매체의 압축이 상기 진동 챔버벽의 변위에 의해 일어나도록 하는 수단포함하여 이루어지는,웨이퍼 이송 및 처리장치. [청구항 35] 제33항에 있어서,상기 맥동기가 하나의 맥동기 쳄버내에 위치하여, 이 챔버위에 적어도 하나의 매체 공급및 방출채널이 연결되고, 본 장치가 적어도 공동으로 상기 챔버벽의 수직변위를 일으키기 위하여 이 챔버에 압력차이를 일으키기 위한 수단포함하여 이루어지는웨이퍼 이송 및 처리장치. [청구항 36] 제33항에 있어서,상기 맥동기의 일부가 아교 접합에 의하거나 아닌 방법으로 상기 중앙 왕복가능 쳄버블록부통합부를이루는,웨이퍼 이송 및 가공처리장치. [청구항 37] 제33항에 있어서,원주형 버퍼블록에 의해 상기 맥동기의 단부가 모듈 내면부에 고정되어 상기 맥동기옆에 쓰러스트 격실을 만들고, 그것이 이 맥동기 챔버의 나머지 부분밀폐된,웨이퍼 이송 및 처리장치. [청구항 38] 제37항에 있어서,상기 쓰러스트 격실이 매체의 공급 그리고/또는 방출선과 연결되고, 본 장치 상기 쓰러스트 격실내의 이 매체의 압력을 조절함으로써 그 높이가 조절가능하고 상기 맥동기의 변위가 상기 왕복 챔버벽의 연속적인 수직위치제공하는웨이퍼 이송 및 처리장치. [청구항 39] 제38항에 있어서,상기 쓰러스트 격실내의 매체의 압력이 적어도 공동으로 상기 가공챔버내의 가공매체의 원하는 평균압력을 결정하도록 하는 수단포함하여 이루어지는,웨이퍼 이송 및 처리장치. [청구항 40] 제39항에 있어서,상기 맥동기 챔버내의 매체의 압력이 적어도 공동으로 상기 가공챔버내의 가공매체의 원하는 평균압력을 결정하는 수단포함하여 이루어지는웨이퍼 이송 및 처리장치. [청구항 41] 제40항에 있어서,상기 맥동기 챔버내의 매체의 압력이 대략 상기 쓰러스트 격실내의 매체의 압력과 상응하도록 하는 수단포함하여 이루어지는,웨이퍼 이송 및 처리장치. [청구항 42] 제40항에 있어서,웨이퍼 가공 및 매체 방출중에 두 챔버벽 사이에 평행 세팅이 만들어지도록 하는 수단포함하여 이루어지는웨이퍼 이송 및 처리장치. [청구항 43] 제42항에 있어서,상기 평행 세팅이 상기 맥동기 쳄버와 상기 쓰러스트 격실내의 매체에 의해 만들어지도록 하는 수단포함하여 이루어지는,웨이퍼 이송 및 처리장치. [청구항 44] 제40항에 있어서,상기 맥동기와 상기 모듈사이에 적어도 맥동기진동을 감쇄시키기 위하여 제진기위치한,웨이터 이송 및 처리장치. [청구항 45] 제44항에 있어서,상기 쓰러스트 격실내의 매체가 기체 매체이도록 하는 수단포함하여 이루어지는웨이퍼 이송 및 처리장치. [청구항 46] 제45항에 있어서,상기 맥동기 챔버내의 매체가 또한 기재 매체이고 공동으로 상기 전기맥동기의 냉각제의 기능을 하도록 하는 수단포함하여 이루어지는웨이퍼 이송 및 처리장치. [청구항 47] 제46항에 있어서,상기 챔버벽의 왕복변위가, 교류의 정,부 부분의 연속적인 변화에 의해 얻어지는 적어도 두 진동의 결합이고, 거기에 맥동기가 연결되도록 하는 수단포함하여 이루어지는웨이퍼 이송 및 처리장치. [청구항 48] 제38항에 있어서,상기 쓰러스트 격실이 상기 매동기의 왕복변위를 위한 연속적인 공급과 방출을 하는 물리적, 맥동기로서의 기능하도록하는 수단포함하여 이루어지는웨이퍼의 이송 및 처리장치. [청구항 49] 제48항에 있어서,상기 챔버벽의 진동을 위한 주파수-전압변조가 각각 대, 중, 소 전압을 가진 저, 중, 고 주파수 진동으로 이루어지도록 하는 수단포함하여 이루어지는웨이퍼 이송 및 처리장치. [청구항 50] 제1항 내지 제49항에 있어서,상기 가공챔버내의 웨이퍼의 가공주기에 적어도 부분적으로 적어도 기체가공매체가 사용되도록 하는 수단포함하여 이루어지는웨이퍼 이송 및 처리장치. [청구항 51] 제50항에 있어서,하부가 공갭내의 압축가능매체의 층이 균등하게 그 전체바닥면위로 웨이퍼를 지지하도록 하는 수단포함하며 이루어지는웨이퍼 이송 및 처리장치. [청구항 52] 제50항에 있어서,가공주기의 적어도 부분적으로 기체와 액체 매체의 혼합물이 사용되도록 하는 수단포함하여 이루어지는웨이퍼 이송 및 처리장치. [청구항 53] 제50항에 있어서,웨이퍼 가공 주기의 적어도 부분적으로 기체와 기화된 매체의 혼합물이 사용되도록 하는 수단포함하여이루어지는웨이퍼 이송 및 처리장치. [청구항 54] 제50항에 있어서,가공주기의 적어도 부분적으로 증기 및 액상의 가공 매체가 사용되도록 하는 수단포함하여 이루어지는웨이퍼 이송 및 처리장치. [청구항 55] 제50항에 있어서,웨이퍼의 모든 측면의 클리닝이 되도록하는 수단포함하여 이루어지는웨이퍼 이송 및 처리장치. [청구항 56] 제50항에 있어서,상부 가공캡내에서 웨이퍼의 상부벽의 가공이 이 표면의 부식, 탈지, 현상, 제거를 위한 적어도 하나의 매체에 의해 이루어지고, 하부 가공 갭내에서 적어도 기체가공매체에 의해 적어도 이 웨이퍼의 부동 상태가 유지되도록 하는 수단포함하여 이루어지는웨이퍼 이송 및 처리장치. [청구항 57] 제50항에 있어서,상기 쓰러스트 격실내의 매체의 증가된 압력에 의해 두 가공갭내의 가공매체의 처리, 방출 및 대체를 위해 상기 진동 챔버벽이 다른 챔버벽쪽으로 변위되도록 하는 수단포함하여 이루어지는웨이퍼 이송 및 처리장치. [청구항 58] 제57항에 있어서,가공매체의 증가된 압력에 의해 비진동챔버 블록이 적어도 임시적으로 그리고 국부적으로 변위되어, 가공매체를 상기 가공챔버로 부터 상기 원국형 방출통로로 방출하기 위한 방출갭을 만들도록하는 수단포함하여 이루어지는웨이퍼 이송 및 처리장치. [청구항 59] 제58항에 있어서,가공매체의 적어도 일부를 상기 가공챔버로부터 방출한 후에 뒤어 상기 진동벽이 대체가공매체의 중앙공급을 위해 이동하도록 하는 수단포함하여 이루어지는웨이퍼 이송 및 처리장치. [청구항 60] 제59항에 있어서,상기 쓰러스트 격실내의 매체의 임시적인 압력감소에 이하든 아니든 린스 매체와 같은 이 공급매체의 적어도 첫번째 부분이 이 가공갭으로부터 방출갭을 통해 상기 방출통로로 방출되도록 하는 수단포함하여 이루어지는웨이퍼 이송 및 처리장치. [청구항 61] 제60항에 있어서,가공갭을 새로운 매체로 다시 채운후에 상기 진동벽이 다음의 가공을 위해 다른 챔버벽으로 변위되도록 하는 수단포함하여 이루어지는웨이퍼이송 및 처리장치. [청구항 62] 제50항에 있어서,상기 가공챔버의 수직측벽의 상단이 적어도 곡면으로되어 있어서 상부 챔버벽의 압축 스트로크에 의한 가공중에, 가공 매체의 흐름이 상부가 공갭으로부터 수직챔버측벽을 따라 웨이퍼 가장자리로 강제되어 이 웨이퍼 가장자리를 따라 원추형 버퍼격실을 만들도록하는 수단포함하여 이루어지는웨이퍼이송 및 처리장치. [청구항 63] 제62항에 있어서,상부 가공갭의 외축부가 매체에 대하여 그 만큼 큰 흐름저항을 가지며 이갭내에서 거의 독립적인 가공이 이루어질 정도로 상부 가공갭의 평균높이가 작으며 웨이터 가공중에, 제1 버퍼격실로서 외측 갭부에만 웨이퍼 가장자리밖에 제2 버퍼 격실에 대하여 가공매체가 방출되고 반대로 이 제1버퍼격실에 대하여 이 제2격실로부터 가공매체가 공급되도록하는 수단포함하여 이루어지는웨이퍼 이송 및 처리장치. [청구항 64] 제63항에 있어서,적어도 임시적으로 하부 가공갭에 대한 매체의 계속적인 중앙공급에 의해 상부가공갭의 평균높이가 하부갭의 그것보다 더 작도록하는 수단포함하여 이루어지는웨이퍼 이송 및 처리장치. [청구항 65] 제63항에 있어서,일정한 웨이퍼 가공을 위해 적어도 공동사용이 급속 왕복 운동웨이퍼의 래킹 효과에 의해 이루어지도록 하는 수단포함하여 이루어지는웨이퍼이송 및 처리장치. [청구항 66] 제50항에 있어서,일정한 웨이퍼가공을 위해 임시로 단독액체 매체의 주입이 상부가공갭내로 이루어지도록 하는 수단포함하여 이루어지는웨이퍼 이송 및 처리장치. [청구항 67] 제66항에 있어서,상부챔버벽의 상향 확장 스트로크중에, 상기 벽이 빠르게 상향견인되므로, 웨이퍼가 상대적으로 큰 질량으로 인해 뒤로 쳐져서, 액체 매체내에 진공거품이 생기고 이 거품의 파열작용에 의해 웨이퍼의 바로위의 경계층으로 부터 매체의 합동제거가 일어나도록하는 수단포함하여 이루어지는웨이퍼 이송 및 처리장치. [청구항 68] 제67항에 있어서,상부챔버벽의 압축스트로크 중에 파열하는 진공거품으로 인한 골(valleys)을 포함한 웨이퍼 표면부와 경계층위에 이 액체입자의 강한 작용과 공동으로 고속의 매체입자가 웨이퍼에 가해져서 최초에는 아직 상향이동하도록 하는 수단포함하여 이루어지는웨이퍼 이송 및 처리장치. [청구항 69] 제66항에 있어서,양의 기체매체의 동시주입에 의하든 아니든 액상의 풍부한 혼합물이 얻어지도록 하는 수단포함하여 이루어지는웨이퍼 이송 및 처리장치. [청구항 70] 제50항에 있어서,가공갭내의 웨이퍼 가공중에 적어도 임시적으로 처리완료된 가공매체의 점진적인 대체가 이 갭에 중앙 공급된 매체에 의해 이루어지도록하는 수단포함하여 이루어지는웨이퍼이송 및 처리장치. [청구항 71] 제70항에 있어서,처리완료된 가공매체의 방출이, 상기 방출 통로에 대한 그 이상의 중단되거나 되지 않은 방출을 위해, 웨이퍼 가장자리옆의 원주형 버퍼 격실에 대하여 축면방향으로 이루어지도록하는 수단포함하여 이루어지는웨이퍼 이송 및 처리장치. [청구항 72] 제71항에 있어서,사익 대체가 적어도 일시적으로 계속하여 그리고 적어도 대부분이 중단되지 않고 일어나도록하는 수단포함하여 이루어지는,웨이퍼 이송 및 처리장치. [청구항 73] 제70항에 있어서,웨이퍼가 공중에 적어도 상부 가공갭내에서 그리고 적어도 임시적으로 처리완료된 가공매체의 점진적인 대체가 새로운, 중앙 공급된 매체에 의해 일어나도록 하는 수단포함하여 이루어지는,웨이퍼 이송 및 처리장치. [청구항 74] 제73항에 있어서,매체가 액상매체가 되도록 하는 수단포함하여 이루어지는,웨이퍼 이송 및 처리장치. [청구항 75] 제74항에 있어서,하부 가공갭에 대하여 가공매체의 대체가 중앙공급된 새로운 기체매체에 의해 일어나도록 하는 수단포함하여 이루어지는,웨이퍼 이송 및 처리장치. [청구항 76] 제50항에 있어서,맥동기로서 전자석이 이용되어, 상부챔버벽의 상향 변위의 감속이 고정자와 요크사이의 미니캡내에 고압압축된 매체의 의해 적어도 공동으로 이루어지도록 하는 수단포함하여 이루어지는,웨이퍼 이송 및 처리장치. [청구항 77] 제1항 내지 제76항의 하나에 있어서,교류의 주파수와 진폭이 변동될수 있고 이들 교류의 주파수 및 진폭변조가 이루어지는 변조기포함하여 이루어지는웨이퍼 이송 및 처리장치. [청구항 78] 제50항에 있어서,상부 가공갭에 대한 매체의 공급이 극소하여, 중앙 모리피스에 대한 공급선이 그와 같은 작은 내경을 가지므로, 그에 작용하는 방출력이 없이는 액체가공 매체모세관이 그안에 포함되도록하는 수단포함하여 이루어지는웨이퍼 이송 및 처리장치. [청구항 80] a)상기 웨이퍼 가공챔버로부터 또는 그에 향하여 수평 및 수직웨이퍼 이송의 결합을 중앙웨이퍼 이송부 b)웨이퍼 이송 유니트로부터 상기 중앙 이송부에로의 수평웨이퍼 이송을 위한송출 이송부 그리고 c)상기 중앙 이송부로부터 웨이퍼 인도 유니트에로의 수평 웨이퍼 이송을 위한 접수이송부를 포함하여 이루어지는 웨이퍼 이송장치를 구비하는 웨이퍼 이송 및 처리장치 [청구항 81] 제80항에 있어서,상기 중앙웨이퍼 이송부가 a)상기 하부챔버블록; 그리고 b)웨이퍼 인도 위치로부터 상부 웨이퍼가공 위치에로 그리고 반대로 웨이퍼 이송부에로의 상기 하부 챔버블록의 적어도 수직방향 변위를 위한 수단포함하여 이루어진,웨이퍼 이송 및 처리장치. [청구항 82] 제81항에 있어서,상기 하부 챔버블록과 상기 웨이퍼사이의 기체쿳숀에 의해, 상기 하부 챔버블록위의 부동상태하에서 상기 가공챔버에로의 웨이퍼 변위의 마지막 단계에서 웨이퍼가 상기 가공챔버의 수직 측벽에 대하여 정지하도록, 상기 송출부 이송유니트로부터 상기 가공챔버에로의 방향으로 웨이퍼가 경사지도록 하는 수단포함하여 이루어지는웨이퍼 이송 및 처리장치. [청구항 83] 제82항에 있어서,원주형의 박막부에서 상기 하부챔버블록이 적어도 공동으로 부동 웨이퍼의 회전축의 기능을 하도록 하는 수단포함하여 이루어지는웨이퍼 이송 및 처리장치. [청구항 84] 제83항에 있어서,상기 하부쳄버블록내의 기체지지 매체를 위한 중앙공급 채널이 상기 수직챔버축벽의 정지부의 방향으로 경사져서, 상기 웨이퍼의 지지매체의 흐름을 제공하고 그것은 그에 따라 그 추진작용과 별도로 상기 웨이퍼에 상향 쓰러스트가하는,웨이퍼 이송 및 처리장치. [청구항 85] 제81항에 있어서,상기 상부챔버블록에 대한 상기 하부 챔버블록의 중앙부의 경사진 위치를 제공하기 위한 수단, 부동 상태하의 웨이퍼 변위의 마지막 단계에서 상기 가공챔버에 대한 상기 웨이퍼의 충분한 중심위치를 확보하기 위해 상기 가공챔버의 수직축벽에 대하여 상기 웨이퍼가 자리잡도록하는 수단포함하여 이루어지는웨이퍼 이송 및 처리장치. [청구항 86] 제85항에 있어서,상기 웨이퍼의 중력에 의해 적어도 공동으로 상기 가공챔버에 대하여 또는 그로부터 상기 하부챔버블록위의 부동 상태하의 상기 웨이퍼를 변위시키는 수단포함하여 이루어지는웨이퍼 이송 및 처리장치. [청구항 87] 제86항에 있어서,웨이퍼 이송부내의 상기 송출부 이송 유니트로부터 상기 가공 챔버에로의 경사와 함께 적어도 상기 가공 모듈의 경사진 위치를 성취할 목적으로, 거기에 적어도 하나의 변위기가 본 장치의 하부에 위치하도록 하는 수단포함하여 이루어지는웨이퍼 이송 및 처리장치. [청구항 88] 제87항에 있어서,상기 중앙 하부 챔버블록부의 상기 경사위치가 상기 모듈의 경사진 위치에 임시적으로 반대되도록하는 수단포함하여 이루어지는웨이퍼 이송 및 처리장치. [청구항 89] 제86항에 있어서,상기 하부 챔버블록부의 경사지게 된 위치가 상기 송추불 이송 유니트로부터 상기 가공챔버에 대한 방향으로 계속경사지게 되도록하는 수단포함하여 이루어지는웨이퍼 이송 및 처리장치. [청구항 90] 제88항에 있어서,부동 웨이퍼가 그 변위의 시작에 중력작용의 임시적인 증가를 위하여, 상기 웨이퍼의 변위의 적어도 시작단계에서 임시로 상기 상부 챔버브록에 대하여 동일한 경사방향으로 상기 중앙하부 챔버 블록부의 국가적인 경가위치를 성취하기 위한 수단포함하여 이루어지는웨이퍼의 이송 및 처리장치. [청구항 91] 제82항에 있어서,상기 하부챔버블록내의 중앙공급 오리피스로부터의 기체 매체에 의해 공동으로 상기 하부챔버 블록위의 부동상태의 상기 웨이퍼의 변위가 성취되도록 하는 수단포함하여 이루어지는웨이퍼 이송 및 처리장치. [청구항 92] 제90항에 있어서,모듈 하우징에 고정된, 가이드 블록의 넓은 오목부내에 위치한, 원통형 가이드부와 함께 상기 중앙하부 챔버블록부가 하향 연장되고 본 장치가 상기 원통형 가이드부의 경사진 위치에 의해 상기 중앙하부를 블록부의 경사진 위치가 성취되도록하는 수단포함하여 이루어지는웨이퍼 이송 및 처리장치. [청구항 93] 제92항에 있어서,상기 가이드 블록내에 위치한 액체매체의 수많은 공급채널이, 상기 가이드부의 회전을 위해 상기 가이드부열의 중앙오목부내로 이 매체를 집어넣기 위해, 그 중앙 오목부연결된,웨이퍼 이송 및 처리장치. [청구항 94] 제1항 내지 제93항의 어느 하나에 있어서,상기 하부 챔버블록위의 부동 상태하에서 상기 웨이퍼의 변위 중에 적어도 임시적으로 상기 진동 상부챔버벽에 의해, 상기 웨이퍼에 대하여 그리고 그로부터의 매체의 왕복 흐름이 상기 웨이퍼에 적어도 감속작용을 가하도록하는 수단포함하여 이루어지는웨이퍼 이송 및 처리장치. [청구항 95] 제94항에 있어서,상기 하부 챔버블록위의 상기 웨이퍼 변위의 대부분이 상기 상부챔버블록의 오목부 바로 아래에서 일어나서 상기 가공챔버를 제공하도록하는 수단포함하여 이루어지는웨이퍼 이송 및 처리장치. [청구항 96] 제95항에 있어서,상기 상부 챔버벽의 왕복작용으로 인해, 상기 웨이퍼가 상기 가공챔버의 상기 수직축벽에 대하여 정지한후, 상기 웨이퍼가 마지막으로 0.3mm보다 짧게 뒤로 움직여서, 상기 웨이퍼가 상기 챔버에 대하여 적어도 거의 중심위치를 잡도록하는 수단이루어지는웨이퍼 이송 및 처리장치. [청구항 97] 제94항에 있어서,상기 중앙하부를 챔버벽부의 상기 하부챔버 블록내에 그 입출구축에, 상기 웨이퍼의 부동상태를 지지하기 위하여 추가적인 기제 매체의 제공을 위해, 기체매체의 공급을 위한 하나의 공급채널이 위치하고, 상기 채널이 상기 기체 밀폐격실내방출하는,웨이퍼 이송 및 처리장치. [청구항 98] 제97항에 있어서,상기 가공챔버에로의 웨이퍼 변위의 마지막 단계에서, 상기 하부챔버블록내의 매체를 위한 상기 중앙 오리피스로부터 상기 웨이퍼에로 매체 공급이 일어나도록 하는 수단이루어지는웨이퍼 이송 및 처리장치. [청구항 99] 제97항에 있어서,상기 가공챔버에로의 상기 웨이퍼 변위의 마지막 단계에서, 상기 하부 챔버블록도 진동하도록 하는 수단이루어지는웨이퍼 이송 및 처리장치. [청구항 100] 제81항에 있어서,상기 웨이퍼 이송 유니트가 하부 챔버블록에로의 상기 웨이퍼의 이송을 위한 웨이퍼 지지부를 가진 웨이퍼 이송 아암을 포함하고, 상기 이송부가 상기 아암의 웨이퍼 이송 위치에상기하부챔버블록옆위치한것을특징으로 하는웨이퍼 이송 및 처리장치. [청구항 101] 제100항에 있어서,상기 점수부이송유니트가 상기 하부챔버블록으로부터 상기 웨이퍼를 이송하기 위한 웨이퍼 지지부를 가진 웨이퍼 이송 아암을 포함하고, 상기 이송 유니트가 상기 아암의 웨이퍼 인도 위치에서상기하부챔버블록의옆위치한것을특징으로 하는,웨이퍼 이송 및 처리장치. [청구항 102] 제100항에 있어서,상기 웨이퍼 지지부가, 진공하에 상기 웨이퍼를 임시적으로 지지하기 위한 진공블록이고, 그 상부에 진공오리피스위치한,웨이퍼 이송 및 처리장치. [청구항 103] 제100항에 있어서,상기 송출부 및 접수부 이송 아암의 선형 변위를 위한 구동매카니즘이 상기 가공모듈의 외측위치한,웨이퍼 이송 및 처리장치. [청구항 104] 제103항에 있어서,상기 송출부 아암의 웨이퍼 이송위치가 상기 하부 챔버블록건너에 위치하고, 본 장치가 웨이퍼가 포함된 웨이퍼 지지부를 가진 상기 송출부 이송아암이 상기 모듈의 입구에 있는 상기 하부 챔버블록너외측의 웨이퍼 인도 위치로부터 상기 하부 챔버블록위로 변위되어 자유통과 위치쪽으로 아래로, 상기 하부 챔버블록너머의 상기 이송위치이동하는웨이퍼 이송 및 처리장치. [청구항 105] 제104항에 있어서,상기 접수부 이송아암의 웨이퍼 인도위치가 상기 하부 챔버블록앞에 위치하고, 본 장치가 가공된 웨이퍼를 포함한 지지부를 가진 상기 접수부 이송아암이 상기 인도위치로부터 상기 하부챔버블록위로 변위되어, 자유 통과 위치에로 아래, 본 장치의 입구축의 하부 챔버블록밖의 이송 위치를 이동하도록 하는 수단포함하여 이루어지는웨이퍼 이송 및 처리장치. [청구항 106] 제105항에 있어서,상기 웨이퍼 이송아암이 송출부 이송 아암부와 접수부이송아암부를 포함하고, 수평 웨이퍼 이송 방향에서 볼때, 상기 이송암의 상기 송출부 웨이퍼 지지부와 상기 접수부 웨이퍼 지지부는, 그 아암의 선형 변위를 위한 단일 구동 메카니즘과 함께 그 아암의 양측면위치한,웨이퍼 이송 및 처리장치. [청구항 107] 제106항에 있어서,장치의 입구축의 웨이퍼 이송장치로부터 웨이퍼를 접수하기 위한 상기 이송아암의 웨이퍼 공급위치도 또한, 상기 가공챔버에서 가공되고 상기 하부 챔버블록위의 플로팅 상태에서 상기 위치로 변위하는, 하나의 웨이퍼의 안도위치인,웨이퍼 이송 및 처리장치. [청구항 108] 제107항에 있어서,접수되었으나, 가공되지 않은 웨이퍼를 상기 가공 챔버로 변위시키기 위해 상기 하부 챔버블록으로 이송하기 위한 상기 이송아암의 웨이퍼 이송위치가 또한 가동된 웨이퍼를 본 장치의 출구측의 웨이퍼 인도 장치에로 이송하기 이한 상기 아암과 방출위치가 되도록 하기 위한 수단포함하여 이루어지는웨이퍼 이송 및 처리장치. [청구항 109] 제108항에 있어서,상기 가공챔버에 대하여 그 중심위치에 상기 웨이퍼가 도착후에, 하부 챔버 블록과 웨이퍼의 결합체가 본 장치의 입구축의 웨이퍼 인동위치쪽으로 상기 결합체 위로 상기 이송 아암이 자유롭게 귀환하기 위한 자유위치를 하향이동되고, 상기 아암의 그러한 변위후에 상기 결합체가 상기 가공위치를 상향이동되도록하는 수단포함하여 이루어지는웨이퍼 이송 및 처리장치. [청구항 110] 제109항에 있어서,웨이퍼 가공후에 하부 챔버블록과 웨이퍼의 상기 결합체가 상기 이송아암에 대하여 상기 하부 챔버블록 위로의 선형 웨이퍼 변위를 위한 웨이퍼 이송 위치로 하향이동 되도록하는 수단포함하여 이루어지는웨이퍼 이송 및 처리장치. [청구항 111] 제110항에 있어서,상기 웨이퍼에 대하여 그리고 그로부터 수직방향으로 왕복하는 상기 상부챔버에 의해 이루어지는 매체의 흐름이 상기 웨이퍼의 속도를 감속시키도록 하는 수단포함하여 이루어지는웨이퍼 이송 및 처리장치. [청구항 112] 제111항에 있어서,상기 이송아암위의 인도위치에 가공 웨이퍼가 도착된후, 하부 챔버블록과 웨이퍼의 결합체가 하향이동되고, 가공 웨이퍼와 가공설 웨이퍼의 상기 이송아암에 흡입되고, 이어서 그 블록이 그 자유 통과 위치로 더 하향이동되며, 그 후에 그 아암이 상기 웨이퍼들과 함께 그 웨이퍼 이송 위치에로 상기 하부챔버블록위로 이동하고, 뒤이어 압력을 해제함으로써, 상기 가공웨이퍼의 이송이 인도장치에로 일어나며, 상기 하부 챔버블록의 그 인도위치에로의 상향이동후에 상기 가공될 웨이퍼의 이송은 상기 블록에도 일어나도록 하는 수단포함하여 이루어지는웨이퍼 이송 및 처리장치. [청구항 113] 제1항 내지 제112항의 하나에 있어서,복수의 가공모듈이설치된,웨이퍼 이송 및 처리장치. [청구항 114] 제113항에 있어서,개의 가공모듈에 대하여 하나의 공동 웨이퍼 이송장치사용되는웨이퍼 이송 및 처리장치. [청구항 115] 제113항에 있어서,하나의 웨이퍼 이송아암이 적어도 두개의 모듈에 대해 사용되고 상기 아암이 양측에 웨이퍼 공급 및 방출부를 가지는 제1아암부, 오직 하나의 웨이퍼 방출부를 가지는 제2아암부로 되고, 그러한 구성은 이어지는 모듈반복되는,웨이퍼 이송 및 처리장치. [청구항 120] 제1항 내지 제119항의 하나에 있어서,입구그리고/또는 출구측에 부착되거나 되지 않은 구성의 본 장치가, 웨이퍼 카세트 웨이퍼 카세트를 가지는 smf박스, 공기공모듈, 시험, 검사, 측정 마킹 또는 취급용 모듈은 포함하는 주가공 모듈로 되는 웨이퍼 이송 및 인도장치들의 하나와 접소되도록 하는 수단포함하여 이루어지는웨이퍼 이송 및 처리장치. [청구항 121] 제120항에 있어서,세적 초음파 세척, 메가소닉세척, 플라스마 세척 부식, 플라스마부식, 반응이온 플라스마부식, 마그네트론 이온부식 스피터부식 현상, 제저, 플라스마 제거 도판트 가공 코팅 기구를 포함하는 여러가지 형태의 평판인쇄, 저압 또는 고압하에서의 화각증착, cvd에 피택시알 질소, 산소 또는 폴리실리콘 cvd증착, 물리증착, 전자빔증착, 이온 빔 증착, 플라즈마증착, 고온증발시스템, 증기상 또는 기체상에서의 코팅의 증착, 증기상에서의 프라이머의 진공증착; 그리고 마이크로파 및 열판을 포함하는 오븐소성, 근접소성 및 탈수소성의 적어도 하나가 결합하거나 결합하지 않고 이루어지도록 하는 수단포함하여이루어지도록 웨이퍼 이송 및 처리장치. [청구항 196] 제195항에 있어서,웨이퍼 카세트, 웨이퍼 카세트를 갖는 smif 박스, 고진공모듈, 시험 마킹 측정 및 취급용 모듈을 포함하는 주 웨이퍼 가공모듈, 그리고 웨이퍼 이송 로보트와 같은 웨이퍼 이송장치와 같은, 웨이퍼 이송 및 인도 장치와의 인터페이스포함하는방법.