탄화규소로 제조된 초고속 고온 정류다이오우드 document_id 1019900701777

[청구항 2] 제1항에 있어서,제1에피택설층은 제2에피택설층이 역방향 바이어스에서 주로 공핍되도록 이 제2에피택설층 보다도 더욱 높은 캐리어농도특징으로 하는정류다이오우 [청구항 3] 제1항에 있어서,제2에피택설층은 제1에피택설층이 역방향 바이어스에서 주로 공핍되도록 이 제1에피택설층 보다도 더욱 높은 캐리어농도특징으로 하는정류다이오우드. [청구항 4] 제1항에 있어서,제2에피택설 위에 위치하는 제3에피택설층을 추가로 구성시키되, 이 제3에피택설층은 제2에피택설층과 동일한 전도타입을 가지며 그리고 정류 다이오우드에 접속저항을 감소시키기 위하여 제2에피택설층 보다도 더욱 높은 캐리어농도특징으로 하는정류다이오우드. [청구항 5] 제1항에 있어서,탄화규소 서브스트레이트는 α=탄화규소를 포함하고 그리고 <1120> 방향 중에서 한 방향을 향하여 실질적으로 그것의 기준평면에 대하여 축에서 일도 이상으로 경사진 평평한 경계면을 가지며, 제1에 피택설층은 상기 서브스트레이트 경계면 위에 호모예피택설하게 성장된 α-탄화규소포함함을특징으로 하는정류다이오우드. [청구항 6] 제1항에 있어서,상기 접합의 근처에 가열하여 성장시킨이산화규소안정화층을추가구성시킴을특징으로 하는정류다이오우드. [청구항 8] 제7항에 있어서,탄화규소 서브스트레이트는 n-타입 α-탄화규소로 형성되고, 제1에피택설층도 n-타입 α-탄화규소로 형성되고, 그리고 제2에피택설층은 p-타입 α-탄화규소형성됨을특징으로 하는정류다이오우드. [청구항 9] 제7항에 있어서,제1에피택설층이 서브스트레이트의 캐리어농도보다도 낮은 캐리어농도특징으로 하는정류다이오우드. [청구항 10] 제7항에 있어서,서브스트레이트 쪽에 니켈로 구성된 오오믹접속과, 그리고 제2에피택설층 쪽에 알루미늄을 함유하는 바이메탈 합금으로 구성된오오믹접속을추가구성시킴을특징으로 하는정류다이오우드. [청구항 11] 제7항에 있어서,탄화규소가 6h, 3c, 4h 및 폴리타입들로 구성된 그룹에서 선택된 단일 폴리타입특징으로 하는정류다이오우드. [청구항 12] 제7항에 있어서,전압과 커패시턴스 사이의 관계는 가해진 전압과 커패시턴스 제곱의 역수 사이의 관계가 거의 선형관계가 되도록 하는 그런 관계특징으로 하는정류다이오우드. [청구항 13] 제7항에 있어서,5000볼트만큼이나 높은 역방향 항복전압을 가지고 -55℃와 350℃사이의온도범위작동함을특징으로 하는정류다이오우드. [청구항 14] 제7항에 있어서,7볼트만큼이나 낮은 순방항전압에서 적어도 400밀리암페어의 순방향전류를 가지고 25℃의온도작동함을특징으로 하는정류다이오우드. [청구항 15] 제7항에 있어서,2볼트만큼이나 낮은 순방향전압에서 적어도 400밀리암페어의 순방향전류를 가지고 350℃의온도작동함을특징으로 하는정류다이오우드. [청구항 16] 제7항에 있어서,내지약350℃온도범위에 대하여 2.7볼트만큼이나 낮은 순방향전압에서 10암페어까지의 순방향전류특징으로 하는정류다이오우드. [청구항 17] 제7항에 있어서,정격 역방향 항복전압까지 25마이크로 암페어보다도 크지 않는 역방향 누설전류를 가지고 25℃의온도작동함을특징으로 하는정류 다이오우드. [청구항 18] 제7항에 있어서,정격 역방향 항복전압까지 100마이크로암페어보다도 크지 않는 역방향 누설전류를 가지고 350℃의온도작동함을특징으로 하는정류 다이오우드. [청구항 19] 제7항에 있어서,400볼트에서 8마이크로암페어보다도 크지 않는 역방향 누설전류를 가지고 25℃의온도작동함을특징으로 하는정류다이오우드. [청구항 20] 제7항에 있어서,400볼트에서 80마이크로암페어보다도 크지 않는 역방향 누설전류를 가지고 350℃의온도작동함을특징으로 하는정류다이오우드. [청구항 21] 제7항에 있어서,200나노초보다 낮은 역방향 회복시간특징으로 하는정류다이오우드. [청구항 22] 제7항에 있어서,10나노초보다 낮은 역방향 회복시간특징으로 하는정류다이오우드. [청구항 23] 제7항에 있어서,의 작동온도에서 6나노초만큼이나 작은 또는 그 이하의 역방향 회복시간특징으로 하는정류다이오우드. [청구항 24] 제7항에 있어서,의 작동온도에서 7나노초만큼이나 작은 또는 그이하의 역방향 회복시간특징으로 하는정류다이오우드. [청구항 25] 제7항에 있어서,제13도의 ag선을 따라서 선택되고 직접 수평으로 마주보는 cd 선상의 점을 한정하는 항복전압(볼트)을 가지며, 그리고 cd 선을 따라서 그 한정된 점 아래로 직접 수직으로 떨어지는 제13도의 ef선상에 있는 점으로부터 선택되고 ag선을 따라서 직접 수평으로 마주보는 점으로부터 선택되는 그 대응하는 공핍층폭(마이크론)을 가지며, 또한 cd선과 ef선을 따라서 그 한정된 점들 아래로 직접 수직으로 떨어지는 제13도의 gh선상에 있는 점으로부터 선택되는 그 대응하는 캐리어농도(원자수특징으로 하는정류 다이오우드. [청구항 27] 제26항에 있어서,서브스트레이트와 제1에피택설층은 n-타입 α-탄화규소로 구성되고, 제2 및 제3에피택설층은 p-타입 α-탄화규소구성됨을특징으로 하는발광 다이오우드. [청구항 28] 제26항에 있어서,5000볼트만큼이나 높은 역방향 항복전압을 가지고 -55℃와 350℃사이의온도범위작동함을특징으로 하는정류다이오우드. [청구항 29] 제26항에 있어서,내지약350℃온도범위에 대하여 2.7볼트만큼이나 낮은 순방향전압에서 10암페어까지의 순방향전류특징으로 하는정류다이오우드. [청구항 30] 제26항에 있어서,정격 역방향 항복전압까지 100마이크로암페어보다도 크지 않는 역방향 누설전류를 가지고 350℃의온도작동함을특징으로 하는정류 다이오우드. [청구항 31] 제26항에 있어서,20나노초 이하의 역방향 회복시간을 가짐을특징으로 하는정류다이오우드.