탄화규소로 형성된 푸른 빛 발광 다이오우드 document_id 1019900701778

[청구항 2] 제1항에 있어서,타입 서브스트레이트와 n-타입 에피택셜층은 도우너캐리어서 질소를 함유하고 p-타입 에피택셜층은 억셉터캐러어로서 알루미늄함유하는발광다이오우드. [청구항 5] 제3항에 있어서,타입 에피택셜층은 도우너캐리어 로서 질소를 함유하고 p-타입 서브스트레이트와 p-타입 에피택셜층은 억셉터캐리어로서 알루미늄함유하는발광다이오우드. [청구항 7] 제6항에 있어서,타입 서브스트레이트와 n-타입 에피택셜층은 도우너캐리어로서 질소를 함유하고 p-타입 에피택셜층은 억셉터캐리어로서 알루미늄함유하는발광다이오우드. [청구항 9] 제8항에 있어서,실질적으로 보상안된 p-타입 에피택셜층이 p-타입 서브스트레이트의 캐리어농도 이상의 캐리어 농도가지는발광다이오우드. [청구항 10] 제9항 또는 8항에 있어서,단지 50 나노미터의 피이크파장에서 스텍트럼 반폭을 가지고 약 424와 428 나노미터 사이의 피이크방출하는발광다이오우드. [청구항 11] 제8항에 있어서,타입 에피택셜층들은 도우너캐리어로서 질소를 함유하고 p-타입 서브스트레이트와 p-타입 에피택셜층은 억셉터캐리어로서 알루미늄함유하는발광다이오우드. [청구항 14] 제12항에 있어서,보상된 p-타입 에피택셜층 위체 위치하고 이 보상된 p-타입 에피택셜층의 캐리어농도 이상의 캐리어농도를 가지며, 그리고 그 접속 주위에서 이 p-타입 에피택셜층 쪽으로 전류쇄도를 완화시키는 전도면을 형성하는 보상안된 α-타입 탄화규소의 p-타입 에피택셜층을 추가구성시킨발광다이오우드. [청구항 19] 제17항에 있어서,타입 서브스트레이트와 보상된 n-타입 에피택셜층은 도우너캐리어로서 질소를 함유하고, 이 보상된 n-타입 에피택셜층은 억셉터캐리어로서 알루미늄을 추가로 함유하며, 그리고 실질적으로 보상안된 p-타입 에피택셜층은 억셉터캐리어로서 알루미늄함유하는발광다이오우드. [청구항 22] 제20항에 있어서 n-타입 에피택셜층은 도우너캐리어로서 질소를 함유하고 p-타입 서브스트레이트와 보상된 p-타입 에피택셜층은 억셉터캐리어로서 알루미늄을 함유하며, 그리고 이 보상된 p-타입 에피택셜층은 도우너 캐리어로서 질소를 추가함유하는발광다이오우드. [청구항 25] 제23항에 있어서 단지 약 25나노미터의 피이크파장에서 스텍트럼 반폭을 가지고 약 475와 480나노미터 사이의 파장방출하는발광다이오우드. [청구항 26] 제23항에 있어서,보상된 n-타입 에피택셜층과 실질적으로 보상안된 n-타입 에피택셜층은 도우너캐리어로서 질소를 함유하고, 이 보상된 n-타입 에피택셜층은 억셉터캐리어로서 알루미늄을 추가함유하는발광다이오우드. [청구항 29] 제 1, 3, 6, 8, 12, 17, 20 또는 23항에 있어서 n-타입 단결정질에피택셜층은 단일 폴리타입으로 구성되고 p-타입 단결정질에피택셜층도 단일 폴리 타입으로 구성된 발광다이오우드