자동-정렬접촉부및상호접속부구조물및그제조방법 document_id 1019910000425

[청구항 16] 집적회로를 형성하는 복수의 전계효과 트랜지스터의 게이트와 소스 또는 드레인 영역을 전기적으로 접속시키기 위한 구조물에 있어서 전기 접촉부가 상기 게이트와 상기 소스 또는 드레인 영역 각각에 형성된 전도성 보호물질과 상기 전도성 보호물질을 적어도 부분적으로 덮어서 접촉부를 형성함으로써 선정된 하나의 상기 게이트와 상기 소스 또는 드레인 영역을 전기적으로 접속시키는 전도성 실리사이드 상호접속부를 구비하는 것을 특징으로 하는 구조물 [청구항 17] 제16항에 있어서,상기 전도성 보호물질은 티타늄 질화물로 덮여진티타늄실리사이드인것을특징으로 하는구조물. [청구항 18] 제16항에 있어서,상기 전도성 실리사이드 상호 접속부는 티타늄 질화물에 의해 적어도 부분적으로 덮여진티타늄실리사이드인것을특징으로 하는구조물. [청구항 19] 반도체 기판상에 모두 형성되어 있는 소스영역과, 드레인영역 및 상기 드레인영역으로부터 상기 소스영역을 분리시키는 채널영역과, 다결정 실리콘으로 형성되어 있으며 절연에 의해서 상기 채널영역과 분리되어 상부에 놓이는 게이트와, 상기 소스영역 또는 상기 드레인 영역과의 전기접촉부를 각각 구비하는 복수의 전계효과 트랜지스터를 가진 구조물에 있어서 상기 트랜지스터가, 상기 게이트는 그 상부에 형성된 실리콘 산화절연체의 제1층과 제2절연층을 가지며 상기 게이트의 각면에 인접되게 부착되어 각면을 커버함으로써 상기 전기접촉부로부터 상기 소스영역 또는 상기 드레인영역까지 상기 게이트를 전기적으로 보호 및 절연하는 절연물질과 상기 게이트와 전기접촉을 이루도록 상기 게이트 상부의 실리콘 이산화물의 제1층과 제2절연층에 형성된 제1개구부와 상기 제1개구부에 형성된 상기 게이트와의 전기접촉부를 구비하며, 상기 전계효과 트랜지스터의 상기 소스영역 또는 상기 드레인영역과의 상기 전기접촉부는 상기 실리콘게이트와 이격되어 형성되어 있으므로 상기 제1개구부를 통해 상기 게이트와 전기접촉을 이룰때 상기 게이트에 바로 인접한 상기 소스영역 또는 상기 드레인영역과 전기접촉을 이루며 상기 게이트와의 전기접촉부는 상기 소스영역 또는 상기 드레인 영역과 전기접촉을 이루지 않고 상기 소스영역 또는 상기 드레인 영역과 오버랩될 수 있으며, 상기 소스영역 또는 상기 드레인영역과의 상기 전기 접촉부는 상기 게이트와 오버랩될 수 있지만 상기 게이트의 각면에 부착되어 각면을 커버하도록 인접되게 형성된 절연물질과 상기 제2 절연층에 의해 상기 게이트와의 전기접촉이 방지되는 것을 특징으로 하는 구조물 [청구항 20] 제19항에 있어서,상기 게이트의 각 측면에 부착되어 덮도록 인접하여 형성된 상기 절연물질은 상기 게이트와 상기 채널 영역간의 절연체에 비해 두껍게 된실리콘 디옥사이드인것을특징으로 하는구조물. [청구항 21] 제20항에 있어서,상기 제2절연층은실리콘 질화물로된것을특징으로 하는구조물. [청구항 22] 제19항에 있어서,트랜지스터는 상기 소스영역 또는 상기 드레인영역을 덮는 제3 실리콘 산화물층과; 상기 소스영역 또는 상기 드레인영역 위에 상기 제3 실리콘 산화물층에 형성되어 상기 소스영역 또는 드레인영역으로 전기 접촉하는제2개구부구비하는것을특징으로 하는구조물. [청구항 23] 제22항에 있어서,상기 제1개구부에 의해 노출된 상기 게이트부분과 상기 제2개구부에 의해 노출된 상기 소스영역 또는 상기 드레인영역의 부분은 사익 게이트의 전기 접촉부가 상기 제1개구부를 지나서 형성되기 전과 상기 소스영역 또는 상기 드레인영역의 전기 접촉부가 상기 제2개구부를 지나서 형성되기 전에 보호 전도 물질에 의해 덮여지는것을특징으로 하는구조물. [청구항 24] 제23항에 있어서,상기 보호전도물질은 박막의 티타늄 질화물로 덮여진티타늄실리사이드인것을특징으로 하는구조물. [청구항 25] 제24항에 있어서,상기 복수의 전계효과 트랜지스터 중에서 소정의 트랜지스터는 소정회로를 형성하도록 전도성 상호접속부에 의해 전기적으로 상호 접속부에 의해 전기적으로상호접속되는것을특징으로 하는구조물. [청구항 26] 제25항에 있어서,상기 전도성 상호접속부는 적어도 일부분이티타늄실리사이드형성된것을특징으로 하는구조물. [청구항 27] 제26항에 있어서,상기 전도성 상호접속부는 적어도 일부분이 티타늄 질화물에 의해 덮여진 것특징으로 하는구조물. [청구항 28] 제26항에 있어서,상기 전도성 상호접속부는티타늄실리사이드형성된것을특징으로 하는구조물. [청구항 29] 소스영역, 드레인영역 및 그들간의 채널영역을 포함하는 활성영역과 상기 채널영역으로부터 절연에 의해 분리되어 상부에 놓이는 게이트와 상기 게이트의 전기적 접촉부를 각각 갖는 복수의 전계효과 트랜지스터를 구비하는 구조물에 있어서 상기 게이트의 전기적 접촉부는 상기 활성영역의 상부상에 형성되는 것을 특징으로 하는 구조물