문맥 (context)
[청구항 3]
제1항에 있어서,상기 하부층은 불순물도핑영역인것을특징으로 하는반도체장치의 배선형성법.
[청구항 4]
제1항에 있어서,상기 제1피가공물층은도전물질구성되는것을특징으로 하는반도체장치의 배선형성법.
[청구항 5]
제4항에 있어서,상기 도전물질nan은반사율물질인것을특징으로 하는반도체장치의 배선형성법.
[청구항 6]
제4항에 있어서,상기 도전물질은 알루미늄합금인것을특징으로 하는반도체장치의 배선형성법.
[청구항 7]
제1항에 있어서,상기 제2피가공물층은반사율물질인것을특징으로 하는반도체장치의 배선형성법.
[청구항 8]
제7항에 있어서,상기 반사율이 낮은 물질은티타늄나이트라이드인것을특징으로 하는반도체장치의 배선형성법.
[청구항 9]
제1항에 있어서,상기 절연막은 층간절연막 혹은 패시베이션(passivation)을 위한막인것을특징으로 하는반도체장치의 배선형성법.
[청구항 10]
제9항에 있어서,상기 절연막은 bpsg, sio2, teos중하나인것을특징으로 하는반도체장치의 배선형성법
[청구항 11]
제1항에 있어서,물질제거는 배선형성을 위한 상기 식각공정을 반복하여상기하부층을과다식각하는것을특징으로 하는반도체장치의 배선형성법.
[청구항 12]
제1항에 있어서,물질제거는 등방성식각에 의한 것인 것특징으로 하는반도체장치의 배선형성법.
[청구항 13]
제6항에 있어서,물질제거를 위한 에천트(etchant)는 인산과 불산을 함유하는용액인것을특징으로 하는반도체장치의 배선형성법.
[청구항 15]
제14항에 있어서,상기 반사율이 높은 합금물질은 실리콘(si) 또는 실리콘(si) 및 구리(cu)를 함유하는알루미늄인것을특징으로 하는반도체장치의 배선형성법.
[청구항 16]
제14항에 있어서,상기 반사율이 낮은물질인것을특징으로 하는반도체장치의 배선형성법.
[청구항 17]
제14항에 있어서,상기 배선형성을 위한 식각공정은 할로겐계가스를 사용하는플라즈마에칭방법이용하는것을특징으로 하는반도체장치의 배선형성법.
[청구항 18]
제14항에 있어서,물질은 상기 배선형성 공정시 생성도는반응성잔유물인것을특징으로 하는반도체장치의 배선형성법.
[청구항 19]
제14항에 있어서,물질을 제거하는 공정은 배선형성을 위한 상기 이방성식각공정을 반복하여상기층간절연막을과다식각하는것을특징으로 하는반도체장치의 배선형성법.
[청구항 20]
제14항에 있어서,물질을 제거하는 공정은 등방성식각에 의한 것인 것특징으로 하는반도체장치의 배선형성법.
[청구항 21]
제14항에 있어서,물질을 제거를 위한 에천트(etchant)는 인산과 불산을 함유하는용액인것을특징으로 하는반도체장치의 배선형성법.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
반도체장치의 배선형성법에서 제1피가공물층의 도전물질이 알루미늄합금인 경우, 해당 물질을 제거하기 위해 사용되는 에천트(etchant)의 성분은 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation제1피가공물층의 도전물질이 알루미늄합금일 때, 이를 제거하기 위한 에천트의 성분을 찾는 것이다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 6에서 도전물질이 알루미늄합금임을 확인하고, 청구항 13에서 해당 조건(제6항을 인용)에 따른 에천트 성분을 추출한다.
- 상기 도전물질은 알루미늄합금인것을특징으로 하는반도체장치의 배선형성법
- 제6항에 있어서,물질제거를 위한 에천트(etchant)는 인산과 불산을 함유하는용액인것을특징으로 하는반도체장치의 배선형성법
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3근거 선택
evidence_selection알루미늄합금 조건과 에천트 성분이 명시된 청구항 6과 청구항 13의 구절을 선택한다.
- 상기 도전물질은 알루미늄합금인것을특징으로 하는반도체장치의 배선형성법
- 제6항에 있어서,물질제거를 위한 에천트(etchant)는 인산과 불산을 함유하는용액인것을특징으로 하는반도체장치의 배선형성법
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4논리 통합
logical_integration청구항 13은 청구항 6을 인용하고 있으므로, 도전물질이 알루미늄합금인 경우의 에천트는 인산과 불산을 함유하는 용액이다.
- 제6항에 있어서,물질제거를 위한 에천트(etchant)는 인산과 불산을 함유하는용액인것을특징으로 하는반도체장치의 배선형성법
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5결론 도출
conclusion_formulation에천트의 성분은 인산과 불산이다.
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6답변 생성
answer_generation질문에 대한 직접적인 답변으로 에천트 성분을 제시한다.
최종 답변 (final_answer)
인산과 불산
핵심 해석 (core_interpretation)
알루미늄합금을 도전물질로 사용하는 반도체 배선 형성 공정에서, 물질 제거를 위해 인산과 불산을 함유하는 용액을 에천트로 사용함을 명시하고 있다.