문맥 (context)
[청구항 2]
제1항에 있어서,모양은 실린더모양인것을특징으로 하는고집적 반도체 메모리장치.
[청구항 3]
제1항에 있어서,상기 스토리지전극은 한층 혹은 두층의도전층구성하는것을특징으로 하는고집적 반도체 메모리장치.
[청구항 4]
제1항에 있어서,상기 밑판전극부는 평탄하게형성하는것을특징으로 하는고집적 반도체 메모리장치.
[청구항 5]
제1항에 있어서,상기 밑판전극부를 그 하부구조물의 굴곡을 따라형성하는것을특징으로 하는고집적 반도체 메모리장치.
[청구항 6]
제1항에 있어서,상기 커패시터는 상기 밑판부의 하면까지유효커패시터영역이용하는것을특징으로 하는고집적 반도체 메모리장치.
[청구항 7]
제1항에 있어서,상기 고집적 반도체 메모리장치의 비트라인은 상기 커패시터 형성전에 메몰하는것을특징으로 하는고집적 반도체 메모리장치.
[청구항 8]
제7항에 있어서,상기 비트라인은평탄한것을특징으로 하는고집적 반도체 메모리장치.
[청구항 9]
제1항에 있어서,상기 고집적 반도체 메모리장치의 비트라인nan은상기커패시터형성후형성하는것을특징으로 하는고집적 반도체 메모리장치.
[청구항 10]
제1항에 있어서,상기 기둥전극부를 구성하는 기둥의 갯수, 모양 및 그 크기는 조절할 수있는것을특징으로 하는고집적 반도체 메모리장치.
[청구항 11]
제1항에 있어서,상기 커패시터는 상기 원통전극부의 두께 및 높이, 상기 기둥전극부를 구성하는 기둥의 갯수, 모양 및 크기에 따라유효커패시터면적결정하는것을특징으로 하는고집적 반도체 메모리장치.
[청구항 38]
제34항에 있어서,상기 스토리지전극 상부 및 하부에 남겨진 물질은 습식식각에 의해제거하는것을특징으로 하는고집적 반도체 메모리장치의 제조방법.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
고집적 반도체 메모리장치에서 커패시터의 유효 커패시터 면적을 결정하는 요소들은 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation고집적 반도체 메모리장치에서 유효 커패시터 면적을 결정하는 구성 요소들을 찾는 것이다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 11에서 유효 커패시터 면적과 관련된 기술적 요소를 추출한다.
- 상기 커패시터는 상기 원통전극부의 두께 및 높이, 상기 기둥전극부를 구성하는 기둥의 갯수, 모양 및 크기에 따라유효커패시터면적결정하는것을특징으로 하는고집적 반도체 메모리장치
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3근거 선택
evidence_selection면적 결정 요소로 명시된 '원통전극부의 두께 및 높이'와 '기둥전극부를 구성하는 기둥의 갯수, 모양 및 크기'를 선택한다.
- 상기 원통전극부의 두께 및 높이, 상기 기둥전극부를 구성하는 기둥의 갯수, 모양 및 크기
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4논리 통합
logical_integration추출된 요소들을 결합하여 유효 커패시터 면적을 결정하는 요인들의 목록을 구성한다.
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5결론 도출
conclusion_formulation질문에 대한 답변으로 원통전극부의 두께 및 높이, 기둥전극부를 구성하는 기둥의 갯수, 모양 및 크기를 정리한다.
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6답변 생성
answer_generationlist 형식에 맞춰 최종 답변을 생성한다.
최종 답변 (final_answer)
1. 원통전극부의 두께 및 높이, 2. 기둥전극부를 구성하는 기둥의 갯수, 모양 및 크기
핵심 해석 (core_interpretation)
본 발명은 원통전극부의 치수와 기둥전극부의 구성 요소(갯수, 모양, 크기)를 조절함으로써 커패시터의 유효 면적을 제어하는 기술에 관한 것이다.