문맥 (context)
[청구항 1]
도파관내의 전자기력의 전파 방향으로 도파관을 따라 길이 방향으로 연장하는 2개의 대향하는 넓은 벽 및 2개의 대항하는 측벽을 갖고 있는 직사각형 단면의 도파관
제1 넓은 벽에 배치되고 행 및 열로 상기 제1 넓은 벽을 따라 정열되는 한 셋트의 복사 소자
및 제2넓은 벽을 따라 배치되고 상기 제1 넓은 벽을 향하는 한 셋트의 베인을 포함하고, 상기 2개의 넓은 벽들이 일정한 간격을 두고 격설되어 상기 2개의 측벽에 연결되고, 고차 모드의 횡전파를 지지하기 위해 측벽의 높이보다 몇배 더 큰 폭을 갖고 있으며
상기 열이 상기 측벽에 평행하며
상기 베인이 제1넓은 벽을 향해 어느 정도 연장되고, 상기 복사 소자에 등록된 장소에 위치하는 것을 특징으로하는 안테나
[청구항 2]
제1항에 있어서,전자기력을 상기 베인을 지나 상기 도파관의 제2단부쪽으로 향하게 하기 위해 상기 도파관의 제1단부에 배치되고, 상기 모드의 차수가 상기 열의 복사 소자의 수와 일치하는 고차모드의 저자기파를 발사하는파발사대더포함하는것을특징으로 하는안테나.
[청구항 3]
제2항에 있어서,상기 베인이상기측벽의횡단면배향되는것을특징으로 하는안테나.
[청구항 4]
제3항에 있어서,상기 복사 소자 각각이 상기 제1 넓은 벽내의 슬롯형 애퍼츄어로형성되는것을특징으로 하는안테나.
[청구항 5]
제4항에 있어서,슬롯형 애피츄어의 슬롯이상기측벽평행한것을특징으로 하는안테나.
[청구항 6]
제5항에 있어서,베인의 평면이복사소자의애피츄어의슬롯이등분하는것을특징으로 하는안테나.
[청구항 7]
제5항에 있어서,상기 베인의 각각이 열의 상기 복사 소자를 가로 질러 어느정도연장되는것을특징으로 하는안테나.
[청구항 8]
제5항에 있어서,공직선성 복사 소자중 열의 복사 소자가 등록된 장소에 위치한 베인이 교번 형태를 제공하기 위해 열에 대해 한측면씩면배치시에변하는것을특징으로 하는안테나.
[청구항 9]
베인의 평면은 복사 소자의 애피츄어의 슬롯을 이등분하고
상기 베인의 각각의 열의 상기 복사 소자를 가로 질러 어느정도 연장되며
열의 복사 소자중 상기 복사 소자가 등록된 장소에 위치한 베인이 교번 형태를 제공하기 위해 열에 대한 한 측면씩 변화되고
상기 발사대가 뎔등 중 연속하는 열사이의 전자기파에 180°위상 변이를 도입하며
상기 베인의 교번 형태가 한열씩 반전되고, 열들 중 연속하는 열의 베인에 인접하는 베인을 각각 갖는 것을 특징으로 하는 안테나
[청구항 10]
제2항에 있어서,베인의 면적이 베인으로부터 파의 반사를 방지하기 위해 전자기파의 주파수에서 공진되는 인덕턴스의 값 및 커패시턴스의 값을 생성하도록선택되는것을특징으로 하는안테나.
[청구항 11]
도파관내의 전자기파의 전파 방향으로 도파관을 따라 길이 방향으로 연장하는 2개의 대향하는 넓은 벽 및 2개의 대향하는 측벽을 갖고 있는 직사각형 단면의 도파관 제1 상기 넓은 벽에 배치되고 열내의 상기 제1 넓은 벽을 따라 정렬되는 상기 한 셋트의 복사 소자
및 제2상기 넓은 벽을 따라 배치되어 상기 제1 넓은 벽을 향하는 한 셋트의 베인을 포함하고, 2개의 넓은 벽이 챔버를 정하기 위해 일정한 간격으로 떨어져서 2개의 측벽에 결합됨으로써 도파관이 횡전파를 지지하고
열이 상기 파의 최대치 전계의 위치가 등록된 장소에 있으며
상기 베인이 상기 제1 넓은 벽을 향해 어느 정도 연장되며, 상기 복사 소자가 등록된 장소에 위치하고
상기 베인의 각각이 상기 복사 소자의 열을 지나서 어느 정도 연장되며
상기 베인이, 파의 전파 방향을 따라 1/2 파장만큼 떨어지게위상을 복사 소자가 배치하게하도록 위상 교번의 형태를 제공하기 위해 한 측면씩 위치가 변하는 것을 특징으로 하는 안테나
[청구항 12]
제11항에 있어서,상기 복사 소자의 각각이 상기 제1 넓은 벽내의 슬롯형 애피츄어로서 형성되고; 슬롯형 애퍼츄어의 슬롯이 상기 측벽에 평행하며; 베인의 평면이 복사 소자의 애퍼츄어의슬롯이등분하는것을특징으로 하는안테나.
[청구항 13]
제11항에 있어서,복사 조사 중심의 격자 로브 또는 제2차 비임의 발생을 방지하기 위해서 일정한 사각형 또는 직사각형 그리드상에 정확하게 위치하고, 넓은 면에 바람직한비생성하는것을특징으로 하는안테나.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
베인의 면적이 전자기파의 주파수에서 공진되는 인덕턴스 및 커패시턴스 값을 생성하도록 선택되는 목적은 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation질문은 베인의 면적이 특정 인덕턴스 및 커패시턴스 값을 생성하도록 선택되는 목적(기능)을 묻는다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 10에서 베인의 면적이 전자기파의 주파수에서 공진되는 인덕턴스 및 커패시턴스 값을 생성하도록 선택된다는 내용을 추출한다.
- 베인의 면적이 베인으로부터 파의 반사를 방지하기 위해 전자기파의 주파수에서 공진되는 인덕턴스의 값 및 커패시턴스의 값을 생성하도록선택되는것을특징으로 하는안테나
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3근거 선택
evidence_selection목적을 나타내는 구절인 '베인으로부터 파의 반사를 방지하기 위해'를 선택한다.
- 베인으로부터 파의 반사를 방지하기 위해
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4논리 통합
logical_integration베인의 면적 조절을 통해 특정 공진 값을 생성하는 행위의 직접적인 목적은 파의 반사를 방지하는 것임을 연결한다.
- 베인으로부터 파의 반사를 방지하기 위해
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5결론 도출
conclusion_formulation질문에 대한 답변으로 '베인으로부터 파의 반사를 방지하기 위해'를 도출한다.
- 베인으로부터 파의 반사를 방지하기 위해
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6답변 생성
answer_generation추출된 근거를 바탕으로 최종 답변을 작성한다.
- 베인으로부터 파의 반사를 방지하기 위해
최종 답변 (final_answer)
베인으로부터 파의 반사를 방지하기 위해
핵심 해석 (core_interpretation)
본 발명은 베인의 면적을 조절하여 특정 주파수에서 공진하는 인덕턴스 및 커패시턴스 값을 생성함으로써, 베인에 의한 전자기파의 반사를 방지하는 기술적 특징을 포함한다.