반도체 처리용 2개의 반구형 반응기 document_id 1019910003706

[청구항 2] 제1항에 있어서,상기 지지수단은 상기 웨이퍼의 제2면과 접촉하는서셉터포함하는것을특징으로 하는반도체 처리용 반응기. [청구항 3] 제1항에 있어서,상기 가열수단은, 상기 웨이퍼를 향하여 상기 제1반구형체를 거쳐서 에너지가 방사되도록 배치되고 상기 챔버 외부에 있는 제1열원과, 상기 웨이퍼를 향하여 상기 제2반구형체를 거쳐서 에너지가 방사되도록 배치되고 상기 챔버 외부에 있는제2열원포함하는것을특징으로 하는반도체 처리용 반응기. [청구항 4] 제3항에 있어서,상기 가열수단은 상기 제1 및 제2열원들의 상대적인 에너지 기여를 제어하기 위한열제어수단포함하는것을특징으로 하는반도체 처리용 반응기. [청구항 5] 제4항에 있어서,상기 각각의 열원들은 가열요소들의 각각의 내부 원형 배치부와 가열요소들의 각각의 외부 원형 배치부를 포함하고, 상기 열 제어수단은 상기 각각의 열원들을 위한 내부 및 외부 배치부들의 상대적인에너지기여제어하는것을특징으로 하는반도체 처리용 반응기. [청구항 6] 제1항에 있어서,상기 가스 핸들링 수단은 상기 제1 및 제2반구형체들 사이에 배치되고, 상기 제1 및 제2반구형체들의 각각에 기계적으로 결합되는가스다기관포함하는것을특징으로 하는반도체 처리용 반응기. [청구항 7] 제1항에 있어서,상기 가스 핸들링 수단은 상기 제1반구형체에 의하여 적어도 부분적으로 경계되는 상기 챔버의 제1구역부와, 상기 제2반구형체에 의하여 적어도 부분적으로는 경계되는 상기 챔버의 제2구역부를 한정하는 장벽을 포함하며, 상기 제1구역부 안으로 반응가스를 주입하고 상기 제2구역부 안으로 비반응가스를 주입하기에 적합하며, 상기 비반응가스가 상기 제2구역부 안으로반응가스의흐름방지하는것을특징으로 하는반도체 처리용 반응기. [청구항 8] 제6항에 있어서,상기 가스 핸들링 수단은 상기 가스 다기관을 통하여반응가스주입시키는것을특징으로 하는반도체 처리용 반응기. [청구항 9] 제6항에 있어서,상기 제1반구형체는 상기 축선을 중심으로 한 제1반구형체 개구부를 포함하고, 상기 가스 핸들링 수단은 반응가스가 상기 개구부를 통하여 주입될 수 있도록상기개구부결합되는것을특징으로 하는반도체 처리용 반응기. [청구항 10] 제9항에 있어서,상기 가스 핸들링 수단은 상기 가스 다기관을 통하여가스를방사상배출시키는것을특징으로 하는반도체 처리용 반응기. [청구항 11] 제6항에 있어서,상기 제2반구형체는 상기 축선을 중심으로 한 제2반구형체 개구부를 포함하고, 상기 웨이퍼 지지수단은 상기 웨이퍼를 회전시키기 위한 웨이퍼 회전 수단을 포함하며, 상기 웨이퍼 회전 수단은 상기 챔버 외부에 있고 축에 의하여 상기 제2반구형체 개구부를 거쳐서 상기 서셉터에 기계적으로 결합되는모터포함하는것을특징으로 하는반도체 처리용 반응기.