문맥 (context)
[청구항 2]
제1항에 있어서,상기 용량수단은 상기 공통 드레인 노드에 게이트전극이 연결되고 n+ 소오스전극(또는 n+드레인전극)이 접지전압에 연결되는 nmos 캐패시터와, 상기 공통 드레인 노드에 게이트전극이 연결되고 p+ 소오스전극(또는 p+드레인전극)이 공급전압에 연결되는 pmos캐패시터구비한것을특징으로 하는신호지연회로.
[청구항 3]
제2항에 있어서,상기 제1전압은 상기 nmos캐패시터의 스레쉬 홀드 전압이고, 상기 제2전압은 상기 공급전압 +상기 pmos캐패시터쉬홀드전압인것을특징으로 하는신호지연회로.
[청구항 4]
제1항에 있어서,상기 부하용량수단은 상기 공통 드레인 노드에 게이트적극이 연결되고 n+소오스전극(또는 n+드레인전극)이 접지전압에 연결되는 제1nmos 캐패시터와 상기 공통드레인 노드에 n+소오스 전극(또는 n+드레인 전극)이 연결되고 게이트적극이 공급전압에 연결되는 제2nmos캐패시터구비한 것을특징으로한 신호 지연회로.
[청구항 5]
제4항에 있어서,상기 제1전압은 상기 11nmos 캐패시터의 스레쉬홀드 전압이고 상기 제2전압은 상기 공급 전압-상기 제2m캐패시터쉬홀드전압인것을특징으로 하는신호지연회로.
[청구항 6]
제1항에 있어서,상기 부하용량수단은 상기 공통 드레인 노드에 게이트전극이 연결되고 p+소오스전극(또는 p+드레인 전극)이 공급 전압에 연결되는 제1pmos 캐패시터와 상기 공통 드레인 노드에 p+소오스전극(또는 p+드레인전극)이 연결되고 게이트전극이 접지전압에 연결되는 제2pmos캐패시터구비한것을특징으로 하는신호지연회로.
[청구항 7]
제6항에 있어서,상기 제1전압은 상기 2pmos캐패시터의 스레쉬홀드전압의 절대값이고, 상기 제2전압은 상기 공급전압 +상기 제1pmpos 캐패시터의 스레쉬홀더전압인것을특징으로 하는신호지연회로.
[청구항 9]
제8항에 있어서,상기 부하용량수단은 상기 공통 드레인 노드에 게이트전극이 연결되고 n+소오스전극(또는 n+드레인전극)이 상기 접지전압에 연결되는 제1nmos 캐패시터와, 상기 공통 드레인 노드에 n+소오스전극(또는 n+드레인전극)이 연결되고 게이트전극이 상기 공급전압에 연결되는 제2nmos캐패시터구비한것을특징으로 하는신호지연회로.
[청구항 10]
제9항에 있어서,상기 제1전압은 상기 공급전압- 상기 제2nmos캐패시터의 스레쉬홀드전압이고, 상기 제2전압은 제1nmos캐패시터쉬홀드전압인것을특징으로 하는신호지연회로.
[청구항 11]
제8항에 있어서,상기 부하용량수단은 상기 공통 드레인 노드에 게이트전극이 연결되고 n+소오스전극(또는 n+드레인전극)이 상기 접지전압에 연결되는 nmos 캐패시터와, 상기 공통 드레인 노드에 게이트전극이 연결되고 p+소오스전극(또는 p+드레인전극)이 상기 공급전압에 연결되는 pmos캐패시터구비한것을특징으로 하는신호지연회로.
[청구항 12]
제11항에 있어서,상기 제1전압은 상기 공급전압+ 상기 pmos캐패시터의 스레쉬홀드전압이고 상기 제2전압은 상기 nmos캐패시터쉬홀드전압인것을특징으로 하는신호지연회로.
[청구항 13]
제8항에 있어서,상기 부하용량수단은 상기 공통 드레인 노드에 게이트전극이 연결되고 p+소오스전극(또는 p+드레인전극)이 공급전압에 연결되는 제1pmos 캐패시터와, 상기 공통 드레인 노드에 p+소오스전극(또는 p+드레인전극)이 연결되고 게이트전극이 접지전압에 연결되는 제2pmos캐패시터구비한것을특징으로 하는신호지연회로.
[청구항 14]
제13항에 있어서,상기 제1전압은 상기 공급전압+상기 제1pmos캐패시터의 스레쉬홀드전압이고 상기 제2전압은 상기 제2pmos 캐패시터의 스레쉬홀드전압의절대값인것을특징으로 하는신호지연회로.
[청구항 15]
제8항에 있어서,상기 부하용량수단은 상기 공통 드레인 노드에 p+소오스전극(또는 p+드레인전극)이 연결되고 게이트전극이 상기 공급전압에 연결되는 pmos 캐패시터와, 상기 공통 드레인 노드에 게이트전극이 연결되고 n+소오스전극(또는 n+드레인전극)에 접지전압에 연결되는 nmos캐패시터구비한것을특징으로 하는신호지연회로.
[청구항 16]
제15항에 있어서,상기 제1전압은 상기 공급전압 + 상기 pmos 캐패시터의 스레쉬홀드전압이고, 상기 제2전압은 상기 nmos캐패시터쉬홀드전압인것을특징으로 하는신호지연회로.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
청구항 2항 및 3항에 기재된 신호지연회로에서, 용량수단을 구성하는 nmos 캐패시터와 pmos 캐패시터의 각각의 연결 관계와 그에 따른 제1전압 및 제2전압의 정의는 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
-
1과제 해석
task_interpretation청구항 2항과 3항을 바탕으로 nmos 캐패시터와 pmos 캐패시터의 연결 관계 및 제1전압, 제2전압의 정의를 추출해야 한다.
-
2정보 추출
information_extraction청구항 2항에서 nmos 캐패시터는 게이트전극이 공통 드레인 노드에, 소오스전극이 접지전압에 연결됨을 확인하고, pmos 캐패시터는 게이트전극이 공통 드레인 노드에, 소오스전극이 공급전압에 연결됨을 확인한다.
- 상기 용량수단은 상기 공통 드레인 노드에 게이트전극이 연결되고 n+ 소오스전극(또는 n+드레인전극)이 접지전압에 연결되는 nmos 캐패시터와, 상기 공통 드레인 노드에 게이트전극이 연결되고 p+ 소오스전극(또는 p+드레인전극)이 공급전압에 연결되는 pmos캐패시터구비한것을특징으로 하는신호지연회로. 상기 제1전압은 상기 nmos캐패시터의 스레쉬 홀드 전압이고, 상기 제2전압은 상기 공급전압 +상기 pmos캐패시터쉬홀드전압인것을특징으로 하는신호지연회로
-
3근거 선택
evidence_selection연결 관계에 대한 청구항 2항의 구절과 전압 정의에 대한 청구항 3항의 구절을 선택한다.
- 상기 용량수단은 상기 공통 드레인 노드에 게이트전극이 연결되고 n+ 소오스전극(또는 n+드레인전극)이 접지전압에 연결되는 nmos 캐패시터와, 상기 공통 드레인 노드에 게이트전극이 연결되고 p+ 소오스전극(또는 p+드레인전극)이 공급전압에 연결되는 pmos캐패시터구비한것을특징으로 하는신호지연회로. 상기 제1전압은 상기 nmos캐패시터의 스레쉬 홀드 전압이고, 상기 제2전압은 상기 공급전압 +상기 pmos캐패시터쉬홀드전압인것을특징으로 하는신호지연회로.
-
4논리 통합
logical_integrationnmos 캐패시터의 연결 구조와 제1전압의 관계, pmos 캐패시터의 연결 구조와 제2전압의 관계를 결합한다.
-
5결론 도출
conclusion_formulationnmos 캐패시터는 게이트가 공통 드레인 노드, 소오스가 접지에 연결되며 제1전압은 nmos의 스레쉬홀드 전압이다. pmos 캐패시터는 게이트가 공통 드레인 노드, 소오스가 공급전압에 연결되며 제2전압은 공급전압에 pmos의 스레쉬홀드 전압을 더한 값이다.
-
6답변 생성
answer_generation질문에 명시된 두 가지 요소(연결 관계, 전압 정의)를 구조화하여 답변을 작성한다.
최종 답변 (final_answer)
1. 연결 관계:
- nmos 캐패시터: 게이트전극이 공통 드레인 노드에 연결되고, n+ 소오스전극(또는 n+드레인전극)이 접지전압에 연결됨.
- pmos 캐패시터: 게이트전극이 공통 드레인 노드에 연결되고, p+ 소오스전극(또는 p+드레인전극)이 공급전압에 연결됨.
2. 전압의 정의:
- 제1전압: nmos 캐패시터의 스레쉬 홀드 전압.
- 제2전압: 공급전압 + pmos 캐패시터의 스레쉬 홀드 전압.
핵심 해석 (core_interpretation)
신호지연회로에서 용량수단을 구성하는 nmos 및 pmos 캐패시터의 게이트와 소오스 전극 연결 방식과, 이를 통해 결정되는 제1 및 제2 전압의 임계값 정의를 나타냄.